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根据大功率半导体激光二极管列阵与光纤列阵耦合方式, 分别从理论和实验两方面讨论、分析了大功率半导体激光二极管列阵与微球透镜光纤列阵耦合。将19 根芯径均为200 μm 的光纤的端面分别熔融拉锥成具有相同直径的微球透镜, 利用V 形槽精密排列, 排列周期等于激光二极管列阵各发光单元的周期。将微球透镜光纤列阵直接对准半导体激光二极管列阵的19 个发光单元, 精密调节两者之间的距离, 使耦合输出功率达到最大。半导体激光二极管列阵与微球透镜光纤列阵直接耦合后, 不仅从各个方向同时压缩了激光束的发散角, 有效地实现了对激光束的整形、压缩, 而且实现30 W 的高输出功率, 最大耦合效率大于80%, 光纤的数值孔径为0.16。 相似文献
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介绍了利用多模光纤同空间列阵半导体激光器实现有效耦合,再将光纤组合后输出的技术.阐述了半导体激光器与光纤耦合的一般理论.对半导体激光器的发散角、多模光纤和半导体激光器耦合的常规技术进行了分析.介绍了多模光纤和半导体激光器耦合的新技术,即在半导体激光器与光纤之间加光纤微透镜的耦合技术.这种技术可有效地提高耦合效率,使之达到80%以上.将空间列阵半导体激光器通过光纤耦合后组合输出是使半导体激光器得以实际应用的有效途径.(PC5) 相似文献
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33 W半导体激光器列阵光纤耦合模块 总被引:3,自引:3,他引:0
利用光纤柱透镜和光束转换装置压缩半导体激光器列阵(LDA)的发散角,然后通过聚焦透镜将激光束耦合入芯径为400μm的微球透镜光纤。LDA与光纤耦合输出后,实现33W的高出纤功率,最高耦合效率大于80%,光纤的数值孔径(NA)为0.22。 相似文献
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高功率半导体激光器列阵光纤耦合模块 总被引:3,自引:0,他引:3
根据大功率半导体激光二极管列阵与光纤列阵耦舍方式。分别从理论和实验两方面讨论、分析了大功率半导体激光二极管列阵与微球透镜光纤列阵耦舍。将19根芯径均为200μm的光纤的端面分别熔融拉锥成具有相同直径的微球透镜,利用V形槽精密排列,排列周期等于激光二极管列阵各发光单元的周期。将微球透镜光纤列阵直接对准半导体激光二极管列阵的19个发光单元,精密调节两者之间的距离.使耦合输出功率达到最大。半导体激光二极管列阵与微球透镜光纤列阵直接耦合后,不仅从各个方向同时压缩了激光束的发散角,有效地实现了对激光束的整形、压缩,而且实现30w的高输出功率,最大耦舍效率大于80%,光纤的数值孔径为0.16。 相似文献
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文章提出一种熔锥形透镜光纤的设计方法,与常用的圆锥形保偏单模光纤相比,熔锥形透镜光纤与超辐射发光二极管(SLED)管芯的耦合效率可由原来的45%提高到60%,工作距离由7 μm达到超过15 μm,且前者的耦合容差远远大于后者.对于新设计的熔锥形透镜光纤,文章还给出了偏移和偏心与耦合效率的关系曲线图. 相似文献
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大芯径多模石英光纤端面耦合技术研究 总被引:7,自引:0,他引:7
对大芯径多模光纤端面耦合技术进行了研究,实验测量了光纤端面间的横向偏离、轴向偏离及光纤轴夹角对耦合效率的影响,其中光纤端面间的横向偏离对耦合效率影响较大,这些实验结果对大芯径多模光纤端面间的连接或熔接以及提高耦合效率具有一定意义。 相似文献
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设计了InGaAs探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构,测试了芯片耦合前后的性能变化,并分析了影响耦合效率的因素。结果表明,石英光纤与InGaAs探测器芯片可以较好地耦合。在0.9-1.7um波段,当采用与芯片尺径相当的100um光纤进行无透镜直接耦合时,耦合效率可达30%以上;当采用芯径为500岫的光纤耦合时,耦合效率可达55%以上。多模石英光纤出射端的光强呈高斯分布。随着光纤端面与芯片表面的间距偏差的增加,高斯分布曲线的半宽值增大,光束逐渐发散。芯片与光纤的对准偏差对耦合效率的影响很大,其中对横向偏移量的依赖性最强。 相似文献
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本文用几何光学的方法对遥远小面源目标及点源目标辐射能量在焦平面处的光纤耦合进行了分析,结果表明:(1)光纤面积有一临界值,当它小于临界值时耦合效率随着面积的增加近似线性地增加,当它大于临界值时,耦合效率增加缓慢;(2)光纤的引入使系统信噪比下降。 相似文献