碲镉汞光导探测器的性能

本文分析了探测器长度对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响。分析是针对工作在77～300K温度范围3～5μm和8～14μm波段的器件进行的。将由几个厂商制造的探测器的实验数据与基于Rittner模型及我们为有阻挡接触点的光导器件开创的理论研究所做的理论预测进行了比较。力图阐明理论与实验结果之间的差异。     

碲镉汞光导探测器设计参数

利用微机计算了碲镉汞光导探测器的各种参数,如辐射寿命、俄歇寿命、热噪声、产生复合噪声、响应率和探测度。文中强调了背景激发的非平衡载流子△p和扫出效应的作用。在附录中给出了产生复合噪声的扫出作用的新推导。定义了扫出因子Q。详尽分析了各参数之间的关系,以求得最佳器件设计的思想方法。     

0.1电子伏特碲镉汞光电探测器

根据俄歇限制的带—带过程确定n 型材料中的载流子寿命的假设,分析了0.1电子伏特碲镉汞光电探测器的最终D~*。光导器件和光电二极管在热限制下作的定量比较表明,在70°K 以上时,光导器件能提供较良好的最终性能。然而,在较低温度下,受少数载流子扫出限制了的光导器件的D~*的极限表明,较好的性能潜力由光电二极管来提供。与获得这些最终D~*值相联系的问题,在目前的探测器设计和制造工艺的基础上加以探讨。     

碲镉汞光导探测器的变温测试

报道了ＨｇＣｄＴｅ光导探测器光电参数随温度变化的关系，重点描述了光谱响应变温测试，给出了ＨｇＣｄＴｅ器件从液氮到室温 之若干个不同温度点测试的光谱响应曲线及器件变温测试的性能参数对照表，并与经验公式计算结果进行对比，给出了相应的测试误差分析。     

碲镉汞光导探测器与材料性能关系探讨

本文有针对性地考察了碲镉汞3～5μm12元光导探测器平均电阻R与材料电阻率ρ的关系。碲镉汞材料主要用快速淬火固态再结晶法生长,为与其比较,也少量使用了T_e熔剂和布里奇曼法料。退火的晶片厚度约1mm,77K霍尔数据表明,N型材料占被统计数(122片)的88%,材料参数多数为n=8×10~(14)～8×10~(15)cm~(-3)、μ=1×10~3～5×10~4cm~2/     

碲镉汞光导探测器掺杂表面层特性

把掺杂层对HgCdTe光导探测器表面的影响视为掺杂层电活性载流子与基底材料电活性载流子之比的函数关系,作了理论研究。结论是:在较薄层正面和背面作适当掺杂,可能提高光导探测器的响应率。     

多元光导碲镉汞探测器的电串音

讨论了一个多元光导碲镉汞探测器电串音的物理模型，理论计算表明，探测元电串音的大小为（Ｎ－１）Ｒｅ／Ｒｂ，实验结果与计算一致     

光导型碲镉汞探测器的氢化研究

为了提高碲镉汞红外探测器的性能,对ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理研究,发现处理效果与氢等离子体密度和ZnS钝化层的厚度密切相关。对于ZnS层厚度固定的器件,通过改变氢等离子体密度发现低等离子体密度条件氢化处理更有利于提高器件的性能,表现在处理后器件响应信号提高且噪声下降,从光谱响应上表现为器件短波方向的响应抬高;对于同样的氢化处理条件,通过改变ZnS钝化层的厚度,发现具有较大厚度ZnS层的器件的氢化效果更好。SIMS测试发现氢化过程中氢离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,分析认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度,提高了器件的性能。     

航空遥感用碲镉汞光导探测器的研究

介绍几种航空遥感用碲镉汞光导红外探测器的基本设计原理、结构及性能.     

60元光导碲镉汞探测器实用化组件

本文论述了电子工业部十一所６０元光导碲镉汞探测器实用化组件的最新技术进展，着重分析了影响探测器组件性能指标的诸多因素，并且首次发表了几只组件达到的主要技术指标。     

多元光导碲镉汞的双波段红外探测器

本文简单叙述长波１６０元光导碲镉汞红外探测器，３－５μｍ锑化铟和８－１２μｍ光导碲镉汞双波段红外探测器的制造工艺过程，性能和使用情况。     

高光学通量密度下的光导碲镉汞探测器

本文研究了高光学通量密度条件下的n型Hg0.8Cd0.2Te(光导)探测器的性能。在10.6微米激光辐射下测量了探测器的光电导特性和响应时间,通量密度φ最高达10~(21)光子/厘米~2-秒(亦即大约40瓦/厘米~2),变化范围为四个数量级。在高通量下,光电导特性与入射通量成三次方变化,探测器响应时间随φ~(-2/3)变化。结论是:光电导特性的饱和是由于载流子寿命随载流子浓度缩短所造成。在高通量下,主要的复合机理为奥格复合。有证据证明在低通量下其它复合过程也可能是重要的。     

碲镉汞探测器

美国Honeywell公司继续研制碲镉汞探测器以扩大它们的能力和系统应用。已证明长波长红外光电导碲镉汞探测器多元阵列     

180元长波碲镉汞线列光导探测器研制

本文报道了长波180元碲镉汞线列光导探测器的初步研制结果,较为详细地介绍了各步探测器制造工艺以及探测器性能的测试结果。最终得到的拼接和单片180元线列器件,其平均峰值探测率D_(xp)~*达2.0×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),电串音小于5％,功耗小于150mW。     

多元光导碲镉汞和双波段红外探测器

本文简单叙述长波１６０元光导碲镉汞红外探测器，３～５μｍ锑化铟和８～１２μｍ光导碲镉汞双波段红外探测器的制造工艺过程，性能和使用情况。     

小型多元光导碲镉汞线列红外探测器组件

文章介绍了小型实用化长波光导碲镉汞线列红外探测器组件在华北光电技术研究所的发展近况，其制造技术和性能均得到显著的提高。     

105K工作温度的多元长波光导碲镉汞探测器

文章报道了空间多光谱扫描仪红外波段多元光导碲镉汞探测器的研制与优值。重点研究并解决了多元器件光谱曲线不一致性的问题，简述了器件的优值波段响应率RΔλ1，波段探测率DΔλ和单色响应率Rλ的测试定标方法，以及器件按空间环境使用要求经历老炼和环境条件试验的情况。测试结果表明多元件性能稳定可靠，各项指标均达到了空间多光谱扫描仪的技术要求。