高压换流阀可控硅组件均压特性的研究

高压直流输电系统用可控硅换流阀要求在各种条件下都能稳定运行 ,这必须合理地选择可控硅辅助电路参数来保证系统的稳定操作 ,并降低可控硅换流阀的能量损耗。用可控硅宏模型对换流阀内的一个可控硅模块进行动态仿真研究 ,综合考虑可控硅的开通、关断特性以及可控硅换流时电压振荡特性和器件的能量损耗 ,从而给出优化的电路参数     

可控硅整流桥均流的探讨

引起可控硅整流桥不均流的原因很多,文中分析了导致可控硅整流桥均流变差的原因,提出了可控硅均流的评判方法,有效地解决可控硅整流桥均流的方法,为现场可控硅均流问题的分析和解决提供指导。试验结果佐证了相关的结论。     

热处理控制盘可控硅保护的改进

一、可控硅保护存在的问题在电力建设中,热处理控制大多数采用可控硅无触点调压方式。可控硅的保护采用快速熔断器,串在可控硅回路中,见图1。由于施工现场较乱,连接加热器的回路经常发生短路,     

可控硅供电直流电动机的特点和有关设计问题

文章从以下几方面对中,大型可控硅直流电动机的特点和有关设计问题进行了叙述:1)可控硅整流装置的基本特点;2)可控硅供电直流电动机的一些特殊问题及改进措施;3)可控硅供电直流电动机某些参数和结构的选择;4)关于可控硅电动机的几个参数。可供有关人员参考。     

不用电源变砣器的CMOS——可控硅电路

一、引言 采用通常由电源变压器供电的办法,当CMOS组成的电路作功率控制时,输出功率要受到变压器容量的限制。利用CMOS集成元件低功耗、工作电源电压范围宽抗干扰能力强、输入阻抗高等特点由市电220V(或380V)电阻降压供电,使电路系统正常工作,简化了电路。 CMOS集成件输出直接控制灵敏度高的通用小功率可控硅,通过小功率可控硅接成的所谓准双向可控硅,便可作交流负载控制。再由准双向可控硅与大功率双向可控硅组成的复合可控硅,便几乎能控制任意大安培的可控硅。见图(1)。     

高压直流输电用可控硅宏的模型

考虑温度特性和反向恢复过程后建立了可控硅器件宏模型以仿真高压直流输电用可控硅模块暂态特性。分析了器件参数分散性对可控硅端电压分布的影响。结果表明 ,此模型能全面地仿真可控硅动、静态特性 ,可最优化设计换流阀内的电路参数     

可控硅整流器电压负反馈的一种简便方式

我厂为了试验发电机他励特性,制造了一台可控硅整流器。为了使设备轻便,可控硅整流回路采用普通工业用电源220V半波整流,并采用单结晶体管触发器直接触发可控硅的方式。为了使输出电压比较稳定,调节范围宽广,装设了电压负反馈。现将这方面的情况作简单介绍。可控硅整流器原理图如图所示。图中,不采用脉冲变压器来解决触发器与可控硅回路隔离,而是在电压负反馈回路     

换流阀内可控硅端电压分布特性的研究

换流阀内可控硅端电压分布特性取决于可控硅器件性能和相应的缓冲电路参数。用一个较为实际的可控硅宏模型,对换流阀内的一个可控硅模块与饱和电抗器的串联电路进行了动态仿真,分析了可控硅并联的缓冲电路参数对换流阀内电压分布特性的影响,以及换流时换流阀内电压振荡特性,并给出了缓冲电路参数优化的趋势。     

可控硅电极的确定

可控硅有三个电极,即阳极a,阴极c和控制极g。当我们拿到一只可控硅时应如何来识别它的各个电极呢? 可控硅有各种各样的外形。不同的外形,电极的排列方法也不同,如果我们掌握了可控硅的工作特性和内部结构,就可以用万用表进行     

电气传动装置中可控硅与快速熔断器的匹配问题

可控硅与快速熔断器(以下简称快熔)配合的基本要求是在可靠保护的前提下,充分利用可控硅的额定电流。为此分析了可控硅的过载损坏模式、特性及快熔的熔断特性,得出短路保护匹配的一般方法,以及电气传动装置中可控硅与快熔配合的某些特点及现状。     

可控硅的检测方法

可控硅分单向可控硅与双向可控硅，外形与三极管相似（有些还像铁壳大功率二极管，只是在阴极旁有一个控制电极），有时容易与三极管（二极管）混淆。单向可控硅一般用于彩电的过流、过压保护电路。双向可控硅一般用于交流调节电路，如调光台灯及全自动洗衣机中的交流电源控制（相当于自动开关）。     

可控硅的谐波、冲击电压的防止方法

可控硅变换装置用于电力方面已经十年,还有扩大使用的趋势。但是,在可控硅变换装置中由变换装置所产生的高次谐波电流将引起电源电压波形的畸变。此问题随着可控硅变换器的容量增加而日益重要。此外,在回路中产生冲击电压是使用可控硅变换器本身固有的问题。     

可控硅中频电源简介

可控硅中频电源是一种由大功率可控硅元件组成的静止武变频设备,是将工频电源整流成直流电源,在直流电源条件下再逆变成中等频率的交流电源,因而称为可控硅中频电源。可控硅中频电源是一种节省能源的新型电源设备,具有效率高、功率大、体积小、重量     

换流阀内可控硅端电压特性分析和缓中电路参数优化

换流阀内可控硅端电压分布特性取决于可控硅器件性能和相应的缓冲电路参数.用一个较实际的可控硅宏模型,对换流阀内的一个可控硅模块与饱和电抗器的串联电路进行动态仿真,分析可控硅并联的缓冲电路参数对换流阀内电压分布特性的影响及换流时换流阀内电压振荡特性;给出缓冲电路参数优化的趋势.     

可控硅的反向恢复触发保护探讨

可控硅是直流输电系统的核心元件,因此对可控硅保护的研究十分必要.可控硅在熄灭过程中,如果突然承受正向电压,可能出现局部导通产生局部过热导致可控硅遭受破坏的情况.为避免这种情况的发生,设置了反向恢复触发保护,该功能向可控硅发一触发脉冲使之均匀导通.对可控硅反向恢复期的情况进行了介绍,分析了现有反向恢复触发保护电路的工作原理及存在的缺陷,并从如何改进保护动作的灵敏性和可靠性方面提出了建议.     

浅析双向可控硅运用的分析报告

目前双向可控硅在家电产品上广泛应用,因其较低的成本在家用产品控制器上大量推广起来。在家用电器控制器上,为了节省成本和降低电磁噪声,大多采用双向可控硅来作为交流开关去控制执行元件的动作,不仅能简化了触发电路的设计,还带来了节省空间的好处。本文分析了双向可控硅的原理,提出了双向可控硅的选型以及注意事项,并列举了双向可控硅在带光耦隔离以及不带光耦隔离的驱动应用电路。     

换流阀内可控硅端电压特性分析和缓冲电路参数优化

换流阀内可控硅端电压分布特性取决于可控硅器件性能和相应的缓冲电路参数。用一个较实际的可控硅宏模型，对换流阀内的一个可控硅模块与饱和电抗器的串联电路进行动态仿真，分析可控硅并联的缓冲电路参数对换流阀内电压分布特性的影响及换流时换流人电压振荡特性；给出缓冲电路参数优化的趋势。     

过流保护在可控硅整流装置中的应用

随着可控硅在各种控制系统中应用的日益广泛,可控硅装置的安全运行与保护日益得到重视.本文介绍了可控硅的过流保护措施,在实践中证明是安全可靠的.     

发光二极管可控硅的调光与应用

文中重点介绍了发光二极管(LED)可控硅调光的工作原理与典型应用,由于可控硅调光具有使用方便、造价低和电路易于实现等一系列优点,所以有很好的应用前景。针对发光二极管(LED)可控硅调光,世界上一些主要半导体集成电路生产厂家也纷纷推出了一系列的集成电路控制芯片,以推动LED可控硅的调光与应用。     

高压大功率可控硅元件的研制

前言 随着可控硅元件制造水平和应用技术的提高,以及使用范围的扩大,近年已经逐步形成了以这种元件为主体的一门电力电子技术学科。我们所研究及生产大功率可控硅元件已十多年,继1972年首先研制成功并投入批量生产的KP500A1500-2000V水冷可控硅元件后,又对500A2000-2500V风冷可控硅元件进行了研制和逐步投产。在近两三年,则着重对1000A2000V及500A4000V级的可控硅进行研究。 在国外,大功率可控硅元件的研制,以日本最为活跃。例如东芝公司在1978年报导研制成功的