世界半导体业发展大趋势

15年来始终稳居世界半导体公司龙头老大的Intel公司,只在2001年世界半导体市场狂跌32%之际营收曾跟着滑落21%,随后连续4午保持增长态势.可是,当2006年世界半导体市场增长8.5%的背景下,Intel的营收却又下降了9.5%,利纯更陡挫42%,降幅不小.     

世界半导体业发展图说

半导体产业结构的演变1、1986年前——半导体产品主要由集成器件制造商(IDM-Integrated Device Manufacturer)生产。系统/集成电路设计、工厂(生产线-Fab)和组装测试(Assembly&Test)三业分工。     

世界半导体业发展十大趋势

据ＩＣＩｎｓｉｇｈｔｓ公司总裁预测，１９９８年世界半导体市场将增长１６％，销售量增长１４％。ＤＲＡＭ市场继１９９７年大幅下降２０％之后，今年将转而上升１４％。按ＤＲＡＭ的存储位衡量，则近年仍是连续增长的，１９９６年增长了８０％，１９９７年增长了８１％...     

世界半导体业-减速缓行温和发展

预测上调 2004年世界半导体业比上年增长了28%,达2130亿美元,超过2000年的规模,创历史新高.这一年生产满负荷运行、电子开支强劲、库存很少,市场活跃,一派景气.但是,随着油价节节上升,世界局势不稳,2005年经济降温,对电子开支也带来负面影响,预计牵引半导体需求的主要电子设备生产将发生变化以及库存调整,凡此都导致市场调研机构对今年世界半导体市场作出了暗淡的预测.同时,由于对前途看不清,主流产品拿不准,去年底各家的预测相差很大,增长率从-9%一直到9%都有(表1).     

世界半导体业转移大方向

据报道,今年世界经济发展将不如去年,增长率将从4.6%下降到3.4%.     

世界半导体业缓慢成长

WSTS(世界半导体贸易统计协会)5月30日发表了2007年春季预测.     

世界半导体业走出挫折

据美国半导体工业协会报道；１９９８年世界半导体市场下降了８．４％，计１２５６亿美元，除欧洲微增１．１％之外，美、日、亚太地区统统下降，各大公司不得不冻结投资，调整生产，但从去年第４季度开始出现复苏迹象，世界市场比上一季反弹了１０．５％，尤其是欧、日和亚太地区都出现了两位数增长。预计１９９９年将增长６．６％；达１４００亿美元。今年１月的实绩比去年同期增长了１．２％，更是１年来首次出现的正增长，特别是亚太地区急增９．１％，欧洲增长２．８％，美洲２．９％，只有日本下降了２．５％，人们终于见到了半导体业…     

世界半导体业——减速缓行 温和发展

预测上调2004年世界半导体业比上年增长了28%,达2130亿美元,超过2000年的规模,创历史新高。这一年生产满负荷运行、电子开支强劲、库存很少,市场活跃,一派景气。但是,随着油价节节上升,世界局势不稳,2005年经济降温,对电子开支也带来负面影响,预计牵引半导体需求的主要电子设备生产将发生变化以及库存调整,凡此都导致市场调研机构对今年世界半导体市场作出了暗淡的预测。同时,由于对前途看不清,主流产品拿不准,去年底各家的预测相差很大,增长率从-9%一直到9%都有(表1)。经过观察今年头几个月的市场实际运行和产品销售情况,主要市场研究机构…     

世界半导体业加速向好

日前,WSTS(世界半导体贸易统计协会)和SIA(美国半导体业协会)相继发表今年春季的最新预测,世界半导体市场将加快速度对增长率都作了上调.WSTS比去年秋季预测上调了2.1个百分点,预计今年世界半导体市场将增长10.1%,达2505亿美元.2007年预测上调0.4个百分点,增长11%,2008年维持原预测,增长12.8%.2005年在2004年的历史最高值2130亿美元的基础上提高了6.8%,且从2005年到2008年的年均增长率达到了两位数-11.3%,足见近年世界半导体市场活跃,发展甚好.     

未来半导体业的五大趋势

第一个趋势就是芯片产品走向整合,这种趋势也驱动着电子整机产品的相互融合。20多年前,SOC的出现改变了半导体业的发展。虽然不同的半导体技术服务于不同的市场,例如：通信需要RF技术、消费电子需要混合数模技术,而现在这些技术都融合于一种技术之上,这就是数字CMOS,这也奠定了SOC的发展基础。不过,     

全球半导体设备业的发展

半导体设备业的循环周期是先经过技术准备,购买研发设备(技术购买),然后在研发成功基础上,根据市场的需求,为扩大产能而购买大量设备(产能购买)等两个重要的阶段.     

2006年世界半导体业盘点

本文的数字不是预测,而是统计或根据公司资料做成,故可看作是实情,比较真实地反映了06年业界的经营.     

半导体激光器阈值行为的研究

采用平均场近似，用洛仑兹函数来描述增益曲线和自发辐射，得到了多模速率方程组的隐式解析解。在此基础上，着重对阈值附近半导体激光器的载流子密度、输出功率以及阈值电流等重要特性进行了研究。理论和实验结果吻合得很好。     

半导体制冷器的进展

半导体制冷器具有微型化、轻量化、无振动、长寿命等许多重要优点。目前３００Ｋ室温下优值系数Ｚ最高的半导体制冷材料是Ｐ型Ａｇ０．５８ＣＵ０．２９Ｔｉ０．９４Ｔｅ四元合金,２００－３００Ｋ普冷范围内三元Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ３固溶体合仍然应用最广且性能优良,而２０－２００Ｋ低温下则是Ｂｉ－Ｓｂ合金热电性能最好,电臂材料是决定半导体制冷器性能的主要因素,但通过改进电臂结构,设计特殊的电臂联     

SiGe半导体技术新进展

综述了 Si Ge材料的性质、主要研究方向以及最新的发展情况 ,并介绍了国外 Si Ge的研究情况。     

半导体微结构材料的发展

超晶格的概念与先进的材料生长技术相结合产生了半导体微结构材料。目前，材料设计、材料生长和深微米技术的一体化，推动着半导体微结构材料向着低维化方向发展。     

半导体材料的新发展

近来,半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外廷材料,并研究它们的特殊性能。本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。     

半导体紫外探测器技术进展

介绍了几种新型半导体紫外探测器。列出了这类探测器的各项用途及优点，并对其结构，制作方法以及性能作出了简要说明。N化物半导体紫外探测器具有探测波长范围可调，可靠性好等优点，可以认为是半导体紫外探测器发展的主要方向。     

半导体激光器的进展

文中概述了近年来国际上半导体激光器的发展趋势及各种不同的半导体激光器的具体技术指标。