ZnS(Ag)内闪烁α-粒子4π探测法

比活性测量常用η~2/n_b表示装置优化程度。由于优化度与探测效率的平方成正比,因此提高探测效率的意义十分明显。介绍了将样品直接掺入(或称一次掺入)zns(Ag)得到95±1％探测效率的经验进一步改进,用夹层制样方法取得98±1％的探测效率的情况。     

α、β粒子在钝化注入平面硅探测器中的脉冲形状分析

利用钝化注入平面硅探测器(PIPS)测量α、β时,某些情况下只通过能量甄别无法区分这两种粒子,而通过脉冲形状甄别的方法可以很好地解决这一问题.通过研究α、β粒子在PIPS中脉冲形状不同的机制,分析了脉冲形状的特征;测量分析了一款PIPS探测器的电压脉冲上升时间及其随偏压的变化;分析得出了对PIPS探测器进行脉冲形状甄别...     

电子阻止截面对平均投影射程计算结果的影响

以氦离子轰击碳靶和镍靶为例，通过五种半经验理论计算与实验结果的比较，指出基于ＢＫ模型的通用计算公式可以在很宽能区范围内得到与实验值非常接近的电子阻止截面。还用Ｂｉｅｒｓａｃｋ给出的一阶线性常微分方程的平均投影射程算法，研究了不同电子阻止截面对平均投影射程计算结果的影响。     

电子辐照对硅双极晶体管参数的影响

报道了2MeV电子束辐照对硅双极晶体管参数h_(FE)、t_(off)和C_T的影响。这些参数的变化依赖于电子辐照在晶体管内部引人缺陷能级的性质。实测表明,这些缺陷能级引起的少数载流子寿命下降和多数载流子去除效应是h_(FE)、t_(off)和C_T变化的直接原因。     

不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较

在粒子与物理相互作用的理论基础上,编写了计算中子非电离能量损失（NIEL）和电离能量损失（IEL）以及电子和γNIEL的Monte Carlo计算程序,利用编写的程序以及TRIM95和SANDYL程序计算了1MeV中子、20MeV以下电子和γ在硅中IEL和NIEL的大小和分布。对计算结果进行了分析和比较。     

基于粒子-蒙特卡洛模型的气体电子倍增探测器的研究

采用粒子一蒙特卡罗模型(Particle in Cell-Monte Carlo Collision,PIC-MCC)对气体电子倍增探测器(Gaselectron multiplier,GEM)的倍增放大过程进行了模拟,这对更好的理解和把握GEM的物理机理具有重要的意义.在电场分析的基础上,从GEM空间粒子数和粒子的空...     

固体径迹探测器对P和α粒子的甄别

本文比较了国产硝酸纤维素和两种厚度的醋酸纤维素膜片的一般性能,并着重从实验上介绍了这些膜片对质子和α粒子的甄别性能。最后选择了140μm厚的醋酸纤维素作为阻塞效应测核寿命实验中所用的固体径迹探测器。     

质子、α粒子在水中的径迹结构：

生物体系对电离辐射的响应不仅依赖于平均吸收剂量(即单位质量吸收的平均能量)，而且依赖于辐射粒子的类型和能量(这一点在同等剂量下表现出来)。人们通常认为生物体系对电离辐射的响应起源于不同的带电粒子产生不同的径迹结构。     

重氮甲烷酯化α-羟基异丁酸的气相色谱测定

本文介绍了用气相色谱法测定含盐α—羟基异丁酸水溶液及经辐照后其中α—羟基异丁酸的浓度。水溶液经真空脱水后,用重氮甲烷将α—羟基异丁酸转化为较易挥发的甲酯形式,然后进行气相色谱分析。α—羟基异丁酸甲酯可在PEG 20 M/101白色担体柱上得到对称性很好的峰,峰形尖锐,峰高与浓度呈很好的线性关系,可直接用峰高进行定量。在仔细控制的条件下,分析误差约2%;极限检出量约1微克α—羟基异丁酸。     

CR39探测器对5种能量α粒子的响应

利用5种能量的α射线照射CR39探测器,采用浓度分别为6.0 N和6.25 N的NaOH溶液,在70℃的恒温条件下蚀刻,获得了体蚀刻率,蚀去厚度、径迹直径与蚀刻时间的关系,α粒子能量与径迹直径的关系等性能参数,为研究CR39对质子和中子的响应奠定基础。     

α粒子在玻璃纤维滤纸中自吸收的实验研究

对采样在玻璃纤维滤纸上的α气溶胶粒子进行分层测量,得出α粒子在滤纸中随质量厚度的沉积分布规律,进而求得了沉积分布函数。用不同质量厚度的玻璃纤维滤纸测出α粒子损失与质量厚度的关系,得出了损失率函数。通过损失率函数与沉积分布函数估算出了一定实验条件下α粒子在最大质量厚度为6 7mg·cm-2的玻璃纤维滤纸中的自吸收系数。对实验结果及相关问题进行了讨论。     

随机阻尼共振波包对高能α粒子输运的影响

聚变产生的高能α粒子的速度通常远大于本底离子的热速度而远小于本底电子的热速度。利用这一特征,提出了用外部注入随机阻尼共振波包,使共振高能α粒子产生快速径向输运的设想,并具体讨论了共振高能α粒子输运对高能α粒子分布函数的影响,及其在托卡马克聚变堆中潜在的应用价值。     

固体径迹测探器对p和α粒子的甄别

在利用晶体的阻塞效应测量~(27)Al(p,α)~(24)Mg(E_p=885keV)共振复合核能级寿命的工作中,我们用上海工卫所制备的硝酸纤维素薄膜(25μm,简称红片)和上海感光胶片厂生产的130μm和140μm(电影基片)厚的两种醋酸纤维素膜(简称上海膜)甄别p和α粒子,结果如下: 1.对α粒子的甄别 实验结果见图1、2(两种厚度的上海膜的能量响应曲线基本一致,     

聚变α粒子对材料辐照损伤瞬时行为的研究

研究聚变α粒子对第一壁材料辐照损伤随时间的发展与变化，用基于时间序列两体碰撞近似的计算机模拟程序研究数＋ｋｅＶ α粒子对无定形铁材料的辐照损伤，计算了α粒子辐照引起的材料中空位和能量沉积分布及α粒子本身的沉积随时间的演化，还对用时间序列和速度序列两类级联碰撞模拟方法计算的结果作了比较。     

质子、α粒子在水蒸气中径迹结构的研究

本工作采用模拟粒子在水蒸气中输运的蒙特卡罗程序,模拟计算了0.3～5MeV质子、α粒子在水蒸气中的径迹结构,记录了相互作用位置的坐标、每次事件中的能量沉积以及相互作用的类型。程序中考虑了弹性散射、电离、激发、电荷转移等物理过程。研究得到了一些有益的结果,为进一步研究粒子致DNA辐射损伤的物理模型奠定了一定的基础。     

随机阻尼共振波包对高能α粒子输运的影响

聚变产生的高能α粒子的速度通常远大于本底离子的热速度而远小于本底电子的热速度。利用这一特征,提出了用外部注入随机阻尼共振波包,使共振高能α粒子产生快速径向输运的设想,并具体讨论了共振高能α粒子输运对高能α粒子分布函数的影响,及其在托卡马克聚变堆中潜在的应用价值。     

10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究

本文介绍10—12MeV高能电子对MOS样品及已封装硅二、三极管辐射效应的实验研究结果。分析了高能电子辐射效应的特点及其实用意义。     

硅对低活化马氏体钢电子辐照行为的影响

利用超高压透射电子显微镜研究了两种成分的低活化马氏体钢(CLAM钢)的辐照损伤行为。结果表明：电子辐照能在未添加硅的CLAM钢中产生辐照空洞;在450℃下辐照至14dpa时,空洞数密度约为8.7×10²¹m^－3,辐照肿胀率约为0.26％;在450℃下的辐照肿胀率明显比500℃下的高;当损伤率为2×10^－3dpa/s时,添加合金元素硅能显著提高CLAM钢的抗辐照肿胀能力,未在添加硅的CLAM钢中实验观察到辐照空洞的形成。在450℃下进行辐照时,添加硅的CLAM钢出现明显的辐照共格析出现象。     

硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响

用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解,形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错。同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。     

γ射线对硝酸纤维素记录α粒子灵敏度影响的探讨

本工作目的是试图利用~(60)Co γ射线辐照朝鲜的硝酸纤维素片,以提高相对灵敏度。在本文中,相对灵敏度定为同样蚀刻时间内,蚀刻终了时,分别以3、4和5MeV的α粒子径迹直径和1MeV α粒子径迹直径之比称之为3、4和5MeV α粒子相对灵敏度。我们对朝鲜硝酸纤维素片,进行了温度范围分别为27、35、40、50、60和70℃的条件实验。在固定温度下,蚀刻剂NaOH的浓度分别为4、5和6N。LiOH浓度分别为4和5N。在每种蚀刻温度和蚀刻剂浓度