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相似文献
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1.
《今日电子》2011,(12):66-66
VLMX233系列是超小2.3mm×1.3ram×1.4mmSMD封装的功率型MiniLED。该系列器件具有大红、红色、琥珀色、浅桔色和黄色等几种颜色,采用最先进的AllnGaP技术,  相似文献   

2.
Vishay宣布推出新系列功率表面贴装LED,这些器件极大的改进了散热与亮度。新型VLMx32xx器件采用带引线框的PLCC4封装,该封装专为提供低至290K/W的超低热阻及高达200mW的功耗而进行了优化,可实现高达70mA的高驱动电流,从而比现有的SMDLED产品的亮度提高了一倍。对于汽车应用,VLMx32xx器件已通过AEC—Q101汽车标准认证。  相似文献   

3.
Little Star VLMW711U2U3XVLED器件将超高亮度和紧凑的封装外形集于一身,具有低热阻和高发光强度,为通用照明、消费类等需要高光通量的通用应用进行了优化,可以替代传统的白炽灯,典型的终端产品将包括街道和通用照明,以及日间行驶灯等汽车应用。  相似文献   

4.
5.
Vishay宣布,为其Little Star系列LED增添了一个新成员-通过汽车行业标准认证的1W白光LED—Little Star VLMW711U2U3XV,该LED器件将超高亮度和紧凑的封装外形集于一身。  相似文献   

6.
《国外电子元器件》2009,17(7):61-61
Vishay Intertechnology,Ine.推出通过AEC—Q101汽车认证的1W自然白光LED—VLMW711T3U2US。该款产品具有非常高的亮度和紧凑的封装外形,壮大了Little Star系列SMD功率LED家族的阵容。VLMW711T3U2US LED使用InGaN技术.并具有10K/W的低热阻和高发光强度,可用于各种各样的应用。  相似文献   

7.
功率型LED封装技术   总被引:3,自引:1,他引:2  
随着LED芯片输入功率的提高,带来了大的发热量及要求高的出光效率,给LED的封装技术提出了更新更高的要求,使得功率型LED的封装技术成为近年来的研究热点.首先介绍了几种主要的功率型LED封装结构,对功率型LED封装过程的关键技术,如荧光粉涂覆技术、散热技术、取光技术、静电防护技术等及未来发展方向进行了描述.指出功率型LED封装应选用新的封装材料,采用新的工艺和新的封装理念来提高LED的性能和光效,延长使用寿命,以推进LED固体光源的应用.  相似文献   

8.
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用业内最小0.8×0.8×0.4 mm MICRO FOOT封装的CSP规格尺寸,具有业内最低导通电阻的新款12 V和20 V的N沟道和P沟道TrenchFET誖功率MOSFET。  相似文献   

9.
Vishay Intertechnology.Inc.推出采用InGan技术具有低电阻及高光功率的两个新系列暖白色SMDLED。VLMW611系列采用CLCC-6普通封装,而VLMW621系列采用的是厚度仅有0.9mm的业界最薄的CLCC-6扁平封装。  相似文献   

10.
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优  相似文献   

11.
口前,Vishay Intertechnology,Inc.推出业界首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED——VLMW63..系列和VLMW64..系列。上述系列器件均提供基于蓝宝石InGaN/TAG技术、2240mcd至5600mcd的高光功率。  相似文献   

12.
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14.
《电子设计工程》2012,20(19):170-170
Vishay Intertechnology,Inc.光电子产品部发布新VLMx1500-GS08系列采用小型表面贴装0402 ChipLED封装的大红、浅橙、黄、嫩绿、蓝色和白色的超亮LED。VLMx1500-GS08系列器件的尺寸为1.0×0.5 mm,高0.35 mm,180mcd的发光强度实现了超群亮度。VLMx1500-GS08系列中的蓝色和白色LED使用高效InGaN技术,大红、浅橙、黄色和嫩绿色器件使用最先进的AllnGaP  相似文献   

15.
《电子与电脑》2009,(1):63-63
日前.Vishay宣布推出新型20V和30V p-通道TrenchFET功率MOSFET-Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装,具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。  相似文献   

16.
《电子元器件应用》2008,10(9):83-83
Vishay Intertechnology,Inc.日前推出业界首款采用CLCC-2扁平陶瓷封装的、高强度白光功率SMDI正D系列发光二极管产品。这种十分坚固耐用且具有高发光效率的VLMW82..器件具有20K/W的低热阻以及9000mcd-18000mcd的高光功率,主要面向热敏应用。  相似文献   

17.
18.
日前,Vishay推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。  相似文献   

19.
Vishoy推出采用InGon技术且具有低电阻及高光功率的两个新系列暖白色SMDLED。VLMW611系列采用CLCC-6普通封装,而VLMW621系列采用O.9mmCLCC-6扁平封装。  相似文献   

20.
《电子与封装》2005,5(1):46-46
<正>模拟器件公司(ADI)日前推出一款用于蜂窝手机的射频(RF)功率检测器--AD8321。该器件帮助制造商在减小系统尺寸的同时进一步提高产品性能。这款低漂移的功率检测器能够在很宽的动态范围内实现精密、温度稳定的功率控制,从而提高性能。  相似文献   

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