Yb3+掺杂锌锗碲酸盐玻璃的热分析、光谱和激光性质

设计了组成为0．70TeO2-(0．20-x)ZnO-xGeO2—0．05La2O3-0．025K2O-0．025Na2O-0．01Yb2O3(摩尔分数x=0,0．05，0．10，0．15和0．20)的碲酸盐激光玻璃，测试了热学性质、吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命。计算了Yb^3 离子的吸收截面、受激发射截面、荧光有效线宽等参数。结果表明，组成为0．70TeO2-0．20GeO2-0．05La2O3-0．025K2O-0．025Na2O的玻璃具有优于著名的碲锌钠(TZN)玻璃的热稳定性，高的受激发射截面(1．23pm^2)。长的荧光寿命(0．92ms)和宽的荧光有效线宽(77nm)。通过激光性能评价。最小抽运强度为0．98kW／cm^2，表明掺Yb^3 组份的碲酸盐玻璃是实现高能短脉冲可调谐激光器的理想增益介质。     

新浪潮:网络革命2.0

在Web 2．0的浪潮下，互联网的声音将体现得越来越真实，越来越个性化，这将改变互联网世界的传统面貌 Web 1．0的模式是读，Web 2．0则是写和贡献；Web 1．0是静态的，Web 2．0是动态的；Web 1．0的内容创建者是网页编写者，Web 2．0则是任何人都可以创建内容[编者按]     

新型高效空调铝翅片清洗剂的研制

新型高效空调铝翅片清洗剂主要由10．0～20．0％(质量分数)苛性钠、0．5～5．2％环保型表面活性剂、0．25～1．0％缓蚀剂和0～0．6％助剂等组成。使用该清洗剂清洗空调铝翅片，清洗时间仅为1～3min，清洗率可高达96%，腐蚀微小，使用极为方便。该产品稳定性好，可采用普通塑料喷雾瓶包装。     

亚稳态Ge_xSi_(1-x)/Si单量子阱的缺陷性质

对于处在亚稳态生长区域内阱宽为15um锗组分x=0．25、0．33、0．40的单量子阱样品，及阱宽相同x=0．45、0．53的单量子阱样品，首先通过喇曼光谱测量了样品的应变弛豫程度，发现当锗组分增加到X≥0．45时，其应变开始逐渐弛豫，然后通过测量深能组瞬态谱（DLTS），研究应变弛豫程度不同的样品中形成的缺陷性质。在X=0.25、0.33、0．40样品中均可以观察到量子阱中载流子发射产生的DLTS峰，由它求得的能带们移值与理论预计值符合。对于X=0．45、0．53样品阱中载流子发射信号已被缺陷信号淹没，表明此时样品的缺陷浓度很大。相应的缺陷情况是：对于应变未弛豫的样品（X=0．25），DLTS测得的缺陷为一点缺陷；对于应变基本未弛豫的样品（X=0．33、0．40）DLTS测得的缺陷主要为一组界面缺陷；而应变部分弛豫的样品（X=0．45、0．53），DLTS测得的缺陷与前三种样品不同，样品的缺陷可能与形成的穿透位错有关。通过电化学腐蚀，可以确定这些缺陷均位于异质界面附近。     

F210系列HCMOS振荡器

Fox Electronics推出1．8VHCMOS振荡器F210系列。F210系列振荡器占位面积很小，兼具低产热量和电耗。该系列振荡器符合RoHS标准，占位面积为2．5min×2．0mm，在整个0．75MHz至50．0MHz频率范围内的输入电流为2．5mA至5．0mA。     

Avid推出全新剪辑和制作资产管理解决方案

2009年9月10日，Avid发布Media Composer（4．0），Symphony^TM（4．0），NewsCutter（8．0）等专业剪辑软件及Interplay（2．0）制作资产管理系统的最新版本。新版本特点为：     

力旺推出高电压制程OTP

力旺电子宣布完成0．15微米高电压制程之Neobit硅智财的技术开发。在达成此项里程碑后，力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂（IDM）与晶圆代工厂高压制程平台之上，其涵盖了0．6微米、0．5微米、0．35微米、0．25微米、0．22微米、0．18微米与0．15微米的制程技术。     

Radisys：ATCA的3.0时代

ATCA的发展经历了3个阶段：1．0、2．0和3．0。1．0时代是一个技术规格完善、标准形成和市场大力宣传的阶段，其中充满外界的质疑与ATCA的自我证明。在第二个阶段，1GbE产品诞生，测试和试点工作全面展开，但是缺乏互操作性。现在ATCA正处在第三个阶段——3．0时代，其突出表现是，ATCA生态系统开始形成，规模商用出现，互操作性有了很大的改变，万兆交换能力出现。     

量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)在阱平面方向上的电子能带色散关系

采用经验赝势方法及界面边界条件，计算了生长在Ge0．3Si0．7（001）衬底上的导带电子量子阱Ge0．3Si0．7／Si／Ge0．3Si0．7的电子束缚能级，对它们在阶平面方向上的色散关系进行了讨论。     

配置身份验证增强IIS7.0安全

尽管与IIS 6．0相比，IIS 7．0在性能及安全上都有了极大的提高，但因为IIS系统一直是非法入侵者攻击的重点，因此，我们绝对不能掉以轻心。 那么，怎样才能更好地保护IIS 7．0？ 本文通过分析和测试，教您通过合理使用身份验证的方法来加固IIS7．0系统。     

什么是SAN 2．0

在12月A刊的杂志中，我们刊登了《SAN 2．0，存储的黎明》的文章，结果有很多读者来信表示对SAN 2．0的概念很感兴趣，想进一步了解SAN 2．0的概念，因此，本期杂志继续邀请戴尔的徐良谋先生继续给读者朋友详细讲解SAN 2．0的概念。     

激光焊接陶瓷铂电阻感温元件引线

测温仪表中有一种铂热电阻陶瓷骨架感温元件，原设计由φ0．3铂丝绕在φ0．5铂支强线上作为引线。为节约铂贵金属，改设计用一支φ0．4的、高温强度良好的铂合金丝，以代替二支φ0．3和φ0．5的铂丝。但由于这种铂合金太硬，元件装配时不易操作，现设计在铂合金丝的一端，用激光焊接工艺，     

低压场效应MOS晶体管

基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管适用于超高开关频率的应用，电压为24V和30V，额定电流为8A、12A、27A、50A和80A，10V时的典型通态电阻为0．008Ω、0．01Ω、0．0039Ω、0．012Ω和0．011Ω。     

DOCSIS 2.0国际标准及应用

HFC宽带接入网络技术得以成熟应用，第二代有线电视网络传输数据的技术规范DOCSIS2．0已正式获得批准成为国际标准。将DOCSIS2．0与DOCSIS1．0／1．1技术标准进行对比分析，着重分析DOCSIS2．0的性能特点，并对两标准实际应用的效果进行对比介绍。     

不同铅气氛对PZMN陶瓷压电性能的影响

摘要：采用二次合成法制备了XPMN-(0．2-x)PZN-0．8PZT(x=0．05～0．20)四元系压电陶瓷(PZMN)，系统研究了铅气氛和非铅气氛条件对陶瓷显微组织，介电性能及压电性能的影响规律并探讨了铅气氛作用机制。实验表明在富铅气氛的作用下，PZMN体系具有较优的性能，尤其是x=0．10时，能获得综合优良的压电性能，相对介电常数ε^T33/εo=1000，介电损耗tanδ-0．0050，机电耦合系数Kp=0．52，品质因数Qm=2528，Tc=325℃，可以满足压电变压器等大功率器件应用方面的要求。     

自旋对SiC半导体二维磁极化子基态能量的影响

应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SiC半导体性质的影响。基态能量E0^＋（对应于电子自旋量子数为正）和E0^-（对应于电子自旋量子数为负）都随磁场增加而线性减少：在0T时，E0^＋和E0^-都为-76．24meV；在25T时，E0^＋和E0^-分别为-68．50meV和71．39meV。自旋能量与E0^＋和E0^-之比P0^＋和P0^-都随磁场增加而快速增加：在0T时，P0^＋和P0^-都为0；在20T时，P0^＋为0．627；在25T时，P0^-为0．453。自旋能量与Landau基态能量之比P2始终为0．23。自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加：在0T时，P1和P3都为0；在5T时，P3为0．628；在40T时，P1为0．306。这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。     

世界逻辑LSI发展的方方面面

预计1998年1350亿美元的世界LSI市场中，用0．8μm以上工艺制造的产品占210亿美元(16％)，0．5μm的310亿美元(23％)，0．35μm的580亿美元(43％)，0．25μm的250亿美元(18％)。展望2001年2350亿美元的世界市场中，0．35μm的产品仍将占1070亿美元，独占46％，还略有提高。     

优化HFC射频传输网络，推进数字化发展进程

当前，DOCSIS2．0已经普遍得到了应用，DOCSIS3．0的标准也已出台。DOCSIS2．0标准规定了上行带宽每频道可达30Mb／s。DOCSIS3．0标准规定了频道绑定技术，通过4个频道绑定下行带宽可达160Mb／s，而上行带宽可达120Mb／s。     

一种宽带单平面共面波导／槽线平衡混频器

本文采用共面波导／槽线混合环研制了一种宽带单平面平衡混频器，并得到了较好的实验结果。混频器的最佳变频损耗小于5．5dB，信号端口和本振端口的隔离度在4．0～5．2GHz频带内约为20．0dB，信号端口电压驻波比在3．8～5．5GHz频带内小于2．0，中频输出端口的电压驻波比在中频低于550MHz时小于2．0。     

解析开放标准LSB3.0

介绍了LSB3．0标准规范、基于LSB3．0的发行版组件，构建LSB3．0认证的应用程序．LSB3．0的标准认证、LSB3．0的开发环境和测试工具．最后阐述了LSB标准的意义并对其前景作了展望。