TiC-Mo-Fe体系价电子结构的模拟计算

以EET理论为基础,通过建立TiC-Mo-Fe体系金属陶瓷结构模型,分别计算了陶瓷相TiC、环形相(Ti1-xMox)C和金属相Fe的价电子结构,并在此基础上计算了各相间界面原子状态的变化和界面结合情况,以及环形相理论晶格常数值.结果表明:环形相的存在能使金属/陶瓷两相原子状态的突变差异形成渐变过渡;计算获得的环形相的晶格常数对Mo的掺入量不敏感,在x取不同值时仅有很小的变化,相对误差不超过1.2%,环形相与TiC间的原子状态差异非常小,二者界面结合良好;环形相与Fe界面结合明显强于TiC与Fe的界面结合,并且当x=0.5时,这种界面结合最强.     

Al-Cu-Mg-Ag合金Ω相价电子结构与沉淀硬化能力的关系

基于固体与分子经验电子(Empirical electron theory of solids and molecules,EET)理论,计算了Ω相的价电子结构,分析了主键络的空间分布形态,研究了最强共价键与位错运动、共价电子密度与析出相强度、成键能力与析出相稳定性的关系.结果表明:Ω相共价主干键络呈三维"梅花"状分布,"花心"由Cu-Cu原子最强共价键连接;基体α最强共价键的键合力n1α 为0.20857,Ω相的n1Ω 为0.49056,基体{111}晶面上析出的Ω相使{111}晶面上位错滑移的阻力增加135.20％;从共价电子密度看,Ω相强度比S、θ'相的分别大2.67％和15.83％;从成键能力看,Ω相的稳定性比S和θ'相的分别大91.31％和291.92％;从共价电子结构看,{111}晶面析出的Ω相的沉淀硬化能力比{001}晶面析出的S、θ'相强.     

CdS晶体的价电子结构分析和结合能、熔点计算

应用固体与分子经验电子理论(EET)分析了半导体化合物硫化镉(CdS)的价电子结构,并计算了化合物的键能、熔点,计算值与实验值一致。CdS的闪锌矿和纤锌矿两种结构的价电子计算结果表明,两种结构的价电子分布非常相似,其键能主要分布在最近的4条Cd-S键上。闪锌矿和纤锌矿结构的CdS中的Cd原子和S原子都应处于第四杂阶。键能分布计算结果表明,常温下,六角结构的CdS要比立方结构的CdS更加稳定,但两种结构的结合能差值相对于键能非常小,晶体结构的各向异性也在减弱,但总体来说其结构稳定性差别不大,很容易受到环境影响而发生相互转化。对熔点的计算结果表明,CdS的固相稳定性与其共价电子结构密切相关,对熔点起主要作用的是最强键的共价电子对数,其对纤锌矿和闪锌矿两种结构熔点的影响率分别为93.4%和99.2%。     

Np,Pu和Am氧化物的价电子结构研究

本文应用ＥＥＴ理论和三价锕系元素的单键半径Ｒ计算公式及杂阶表，对ＮｐＨ３，ＰｕＨ３和ＡｍＨ３等氢化物进行了价电子结构分析。结果表明：每种氢化物都存在六种主要键，键距差ΔＤ〈０．０５，在允许误差范围之内，强键分别为Ｈ１－Ｐｕ，Ｈ１－Ｎｐ和Ｈ１－Ａｍ。研究结果为三价锕系元素氢化物的性能分析可提供价电子结构方面的基本数据。     

A_Ⅰ型多元固溶体价电子结构的计算

利用“固体与分子经验电子理论”提出:1)A(?)型多元置换、间隙式固溶体价电子结构计算的模型;z)末知键距结构的键距差(BLD)分析方法;3)BLD分析中解的不唯一性的处理。     

Ni2 MnGa合金的价电子结构研究

用“固体与分子经验电子理论”研究了Ni2MnGa合金的价电子结构，研究结果表明，在Ni2MnGa中，Ni的杂化状态为A'种杂化第2阶；Mn的杂化状态为B种杂化第9阶，Ga为A种第9阶杂化。Ni的原子磁矩计算值为3.8666μB十分接近。最强的共价键是Ni-Mn键，其上的共价电子对数为0．577，其次为Ni-Ga键，其价电子对数为0．542，其它键上的共价电子对数小于0．2。     

二元AlRE3化合物价电子结构研究

本文以固体与分子经验电子理论(EET)为基础,用键距差(BLD)法对5种二元AlRE3化合物进行了价电子结构的计算.通过分析发现,5种二元AlRE3化合物的最强键键能远大于Al的最强键键能,且塑性、弹性和强度均显著提高.     

固溶体的价电子结构与固溶强化

为在价电子结构层次研究代位固溶体与间隙固溶体强化差异的本质,建立了代位固溶体含溶质晶胞点阵常数的计算公式,以余(瑞璜)氏固体与分子经验电子理论为基础,按BLD(键距差分析方法)分析方法计算了代位固溶体含溶质晶胞的价电子结构.结果表明:代位固溶体中含溶质原子晶胞的nA值与不含溶质原子晶胞的nA值相差无几,而间隙固溶体中含溶质原子晶胞的nA值远高于不含溶质原子晶胞的nA值.这-信息从价电子结构的角度深刻揭示了两种固溶体强化程度存有严重差异的本质,从而把固溶体强化的机制追溯到固溶体的价电子结构.     

金属滑移面的价电子结构特性

为在价电子结构层次分析和研究A1型与A2型结构滑移面问题,以“固体与分子经验电子理论”为指导,计算了A1型与A2型结构的低指数晶面的价电子结构,提出了表征晶体沿晶面发生滑移难易的价电子结构参数F及其计算方法．研究结果表明,在A1型结构中,{111}面的F值最小,在Az型结构中,{110}面的F值最小,并以此解释了A1型与A2型结构滑移面分别为{111}与{110}这一金属学问题,从而把滑移面的本质追溯到金属平面的价电子结构上．     

快速凝固Al—Fe—V—Si合金弥散纳米相的价电子结构

计算与分析了快凝Al－Fe－V－Si合金弥散纳米相基本结构单元α-（AlFeSi）的空间构型、价电子结构以及键络键能研究表明，V原子替代Fe原子可使结构稳定性增强主要原因是V原子自身的键合能力（Fα，Bα）优于Fe原子     

红外用超薄PtSi膜的一种制备新方法

膜厚制约着PtSi红外探测器的量子效率。本文介绍了一种根据固相反应理论 ,在 1 0 - 4 Pa量级真空度条件下 ,采用真空退火、化学腐蚀手段制备超薄 (约 5 5nm)PtSi膜的新工艺方法 ,并用XRD ,XPS对所制备的样品进行了物相分析。该方法所需温度低 ,时间短 ,制得薄膜均匀性好     

Al基三元准晶相图的电子浓度特征

准晶是一种电子型金属间化合物，其形成及结构稳定性主要由电子浓度因素控制。三元准晶相图的电子浓度特征表明，三元准晶与其晶体学类似相一起位于一等电子浓度线附近，称为准晶等电子浓度线现象。同时，三元准晶与二元准晶的存在密切联系，它们同第三组元一起落在同一变电子浓度线上，称为准晶变电子浓度线现象，三元准晶的理想成分位于准晶等电子浓度线和准晶变电子浓度线的交点上，据此特征，区分了两种类型的Al-Ni-Fe三元十次准晶，它们的典型成分分别为：D-Al72.5Fe14.5Ni13(Al-Fe型）和D′-Al70.5Fe12Ni17.5(Al-Ni型）。     

钒对NiTi形状记忆合金相变点(Ms)影响的电子结构分析

文中依据固体经验电子理论[1],建立了NiTi形状记忆合金马氏体晶胞的键络模型;并就合金化元素V对其相变点Ms的影响进行了电子结构分析,为揭示该功能材料中成分-性能-结构之间的内在联系做了初步探索,从电子结构的层次上初步解释了V对NiTi合金Ms点的作用机制.     

退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

采用XPS,XRD,AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成,分布及硅化物薄膜表面形貌的影响。测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si,高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si PtSi→PtSi→Si或Pt Pt2 Pt2Si PtSi→PtSi→Si。退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙。     

Topographical, compositional and schottky characterization of PtSi/Si schottky diodes

PtSi ultra-thin films were grown on Si-wafer using pulsed laser deposition (PLD). As determined from X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray diffraction (XRD), the compositional structures of the PtSi were discussed. Furthermore, the surface structure of these films was studied by atomic force microscopy (AFM). A possible growth mechanism is presented, on studying the variation of morphological features (i.e., roughness and size of crystallites) with annealing temperature and films thickness. In addition, by the AFM studies and schottky characterization measurements of PtSi films forming during various annealing processing, preferable preparing conditions are proposed to form the continuous and smooth PtSi thin film on Si substrate by PLD.     

( Ti| Me) ( C,N) / Ni 的润湿性及其价电子结构

运用座滴法研究了( Ti , Me) (C , N) / Ni 体系的润湿性;运用经验电子理论( EET 理论) 计算了多元陶瓷相的价电子结构(VES) , 建立了陶瓷相化学成分与价电子结构的关系, 并建立了价电子结构与接触角的回归关系式。结果表明, 提高温度、延长保温时间均使体系接触角减小; 碳化物的添加使体系接触角进一步减小,碳化物改善润湿性能力的大小依次为: Mo₂C > TaC > WC > VC > NbC。不同碳化物的添加均能导致最强键上共价电子数n_A 增加, 其中添加VC 的影响最为明显, 依次为VC > Mo₂C > NbC > WC > TaC。      

马氏体的价电子结构与马氏体的弹性、红硬性、热强性以及碳的偏聚

建立了常用合金元素在马氏体中的价电子结构,利用 C-Me 偏聚结构单元的 nA 值及其共价键络上的电子对分布讨论了马氏体的弹性、红硬性、热强性和碳的偏聚。从而在固溶态价电子理论的深度揭示了合金元素在马氏体中的力学行为。     

B_2型Fe－Al合金键结构及脆性的电子理论研究

应用余氏理论，对不同Ａｌ含量的富Ｆｅ区Ｆｅ－Ａｌ无序固溶体进行价电子结构计算和分析，从理论上探讨了Ａｌ含量对合金晶格常数、原子磁矩、塑性以及晶体内原子状态的影响。研究发现，Ｆｅ－Ａｌ无序固溶体的晶格常数、原子磁矩和塑性随含Ａｌ量的变化，是由于合金中Ｆｅ、Ａｌ原子之间相互作用导致原子状态发生变化的结果。     

Zr对Al-Li合金晶粒细化作用的电子理论分析

运用固体经验电子理论(EET),对Al-Li-Zr合金的价电子结构进行计算.结果表明:Zr与Al原子存在强烈的相互作用,在固溶体中形成Al-Zr偏聚区.Al-Zr原子的偏聚析出的细小Al3Zr粒子,均匀弥散分布在基体中,起到抑制晶粒长大,细化Al3Li晶粒的作用.Al3Zr和Al3(Zr,Li)粒子具有较强的Al-Zr共价键,不易被位错的切割折断,因而对位错的运动有较大的阻力,对合金起到强化作用.另一方面,共格复合相Al3(Zr,Li)的析出,可以降低共格界面错配度,使得界面键合强度分布较均匀,对提高基体的韧性是有益的.