GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展

介绍了国外ＧａＡｓ微波器件及ＭＭＩＣ的可靠性研究进展情况，给出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＭＭＩＣ的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。     

GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展

报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退经的ＧａＡｓＭＥＳＰＥＴ的失效分析，结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小，表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高，接触材料也日趋丰富ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的失效分析方法也有明显改进。     

微波MESFETs中金属—GaAs相互作用及接触退化

本文报道并回顾了中低功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ由于金属－ＧａＡｓ反应和接触退化造成失效的机理，这些结论是通过对不同工艺生产的商用器件进行深化和全面的可靠性评估实验得到的，结果表明：至少对于接触退化现象，这些生产工艺已经相当成熟，即使在最恶劣的使用条件和环境下，器件也达到了相当好的可靠性水平，某些厂家的器件仍然存在着可靠性问题，如：金基棚金属化向有源沟道的“沉陷”，Ａｌ的电徒动，被高接触电流密度加     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

Al／n—GaAs肖特基接触正向脉冲退化对GaAsIC的影响

本文描述了Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ肖特基接触的正向脉冲退化效应，探讨了当肖特基二极管承受正向电流冲击时，势垒高度ΦＢ升高，直接影响Ａｌ栅ＭＥＳＦＥＴｓ的特性，导致Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ ＩＣ失效的机理。     

GaAs功率MESFET热阻测试与分析

通过对ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的热阻分析、测试及相关热试验，促进芯片结构的优化设计和工艺控制，能有效地提高ＧａＡｓ器件的可靠性，以延长通讯卫星及微波电子整机的使用寿命。     

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。     

GaAs MESFET直流特性退化的失效分析

ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ直流特性退化的主要原因是源极漏极欧姆接触退化和栅极肖特基势垒接触退化，笔者用结构敏感参数电测法和Ｃ－Ｖ法进行失效定位和失效分析，为上述失效原因提供了证据。     

高温正向大电流下TiAl、TiPtAu栅GaAs MESFET的栅退化机理及其对器件特性的影响

针对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了Ｔｉａｌ栅和ＴｉＰｔＡｕ栅ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的退化是导致器件的跨导ｇｍ、栅反向漏电流Ｉｓ、夹断电压Ｖｐ等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。     

高温正向大电流下TiAl,TiptAu栅GaAsMESFET的栅退化机理 …

针对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了ＴｉＡｌ栅和ＴｉＰｔＡｕ栅ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的经是导致器件的跨导ｇｍ、栅反向漏电流Ｉｓ、夹断电压Ｖｐ等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。     

改善GaAs MESFET性能的新途径

尽管ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ研制工艺已经成熟，但随着电子系统性能不断提高，对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ特性的几种新途径。     

分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用

用分子束外延技术生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料,并用ＨＡＬＬ效应法和电化学Ｃ－Ｖ分布研究其特性。讨论了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ宜质结杨效应晶体管（ＨＦＥＴ）的优越性。和ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ或ＨＥＭＴ相比,由于ＨＦＥＴ没有Ａｌ组份,具有低温特性好,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益ＨＦＥＴ。     

新型GaAsD－MESFETDCFL单元电路

本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ构成的单电源ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ直接耦合逻辑ＦＥＴ单元电路．该单元电路比已有的各种ＧａＡｓ数字集成电路单元电路有明显优点，是ＧａＡｓ数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路．     

改善GaAs MESFET性能的新途径

尽管ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ研制工艺已经成熟，但随着电子系统性能不断提高，对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ特性的几种新途径。     

C波段16W内匹配GaAs功率MESFET

Ｃ波段１６Ｗ内匹配ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ傅炜（南京电子器件研究所，２１００１６）１９９３年１２月２日收到ＡＣ－Ｂａｎｄ１６ＷＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＰｏｗｅｒＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ￥ＦｕＷｅｉ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅ...     

微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究

本文给出了一种利用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能。     

2英寸GaAs快速热退火技术研究

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

GaAs MESFET的压力敏感特性

本文研究了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ对应力的敏感特性，分析了敏感原理。对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ用作力学量传感器的可能性进行了讨论。     

最新的通信IC

以下介绍的通信ＩＣ都是各公司１９９６年的最新产品，其品种涉及到ＰＣＳ手机、无绳电话、无线通信、卫星电视、调制解调器、ＦａｓｔＥｔｈｅｒｎｅｔ和ＡＴＭ等。＋３ＶＤＣＰＣＳ手机用分立器件和ＩＣＯｋｉ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ公司开发了一系列８００～１９００ＭＨｚＰＣＳ手机用＋３ＶＤＣ分立器件和ＩＣ。这些器件是用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ技术和硅ＣＭＯＳ技术制作的。ＧａＡｓ器件包括ＫＧＦ１６０６分立ＧａＡｓ场效应管（ＦＥＴ）、ＫＧＦ１６０８分立ＧａＡｓ　ＦＥＴ和ＫＧＦ１２６２中功率ＧａＡｓ单片微波集成电路…     

金锡烧结的研究和应用提高了GaAs MESFET的可靠性

通过反复研究和不断摸索我们实验成功金锡烧结工艺，该工艺应用在ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的研制和生产过程中，明显地提高了产品的可靠性。