Fe2O3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与ＮａＯＨ反应，用共沉淀法磷选出较好的γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料；再通过多种掺杂，研究杂质对材料灵敏度的影响，寻找γ－Ｆｅ２Ｏ３对ＣＯ，Ｈ２，ＬＰＧ灵敏的适宜掺杂剂，以促进γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件的实用化。同时，作者又通过对掺杂物热力学数据的研究，初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律。     

掺Sb2O3 的SnO2与Fe2O3厚膜的 电学行为及气敏特性

介绍掺入Sb_2O_3后的SnO_2和FeO_3(由γ-Fe_2O_3-热处理得到)气敏厚膜元件电阻和灵敏度的变化规律:对于SnO_2基元件,Sb_2O_3具有低掺杂(<4%wt)电阻变小,高掺杂电阻增大的作用,但气敏性降低;对于Fe_2O_3基元件,掺入Sb_2O_3后不但能降低电阻、提高气敏性,而且对丙酮的选择性也增强.指出Sb~(3+)→Sb~(5+)变化对上述效应起着重要作用,并探讨了Fe_2O_3基元件表面化学吸附增强的原因.     

掺杂CNT的Fe2O3气体传感器对乙醇气敏特性的研究

采用酸化后的碳纳米管（CNT）对Fe2O3进行不同比例的掺杂,利用扫描电镜（SEM）对气敏材料进行表征,制作成旁热式气体传感器后在乙醇气氛中与Fe2O3气体传感器进行对比。重点分析了掺杂量,工作温度及气体浓度对传感器灵敏度及响应恢复时间的影响,并对气敏机理进行了详细研究。结果表明碳纳米管的适量掺杂有效的提高了传感器的灵敏度并缩短了响应恢复时间,其中在216℃时对50×10-6的乙醇气体灵敏度达3.4。     

Sn掺杂对MOCVD—Fe2O3薄膜型气敏元件的影响

本文以四甲基锡为掺杂源，用ＭＯＣＶＤ技术在小瓷管沉积了Ｓｎ掺杂的Ｆｅ２Ｏ３薄膜，Ｓｎ的掺杂保持了Ｆｅ２Ｏ３薄膜原有的气敏规律和快速响应特性，却使元件的电阻得以降低，同时抑制了薄膜中颗粒的生长，提高了元件的长期稳定性。     

基于SnO2-La2O3掺杂的敏感材料CO2气敏特性研究

以半导体氧化物SnO2为基体材料加入40％的活性La2O3材料,制备出了对CO2具有敏感性的气体敏感材料,其检测体积分数范围为(0～5000) ×10-6.实验结果表明:在SnO2-La2O3敏感材料的基础上掺杂适量CeO2,Ag2O,SiO2等氧化物,不仅提高了其对CO2气体的灵敏度,而且可以提高其稳定性,从而大大改...     

复合氧化物Fe2O3-SnO2 的气敏特性研究

1962年清山哲郎提出ZnO薄膜的气敏特性后,研究目标较集中于以ZnO,SnO_2,γ-Fe_2O_3和α-Fe_2O_3为基质的氧化物半导体陶瓷材料,并已有商品出售.氧化铁基气敏材料与氧化锌、氧化锡相比,它有无需添加贵金属催化剂便可达到实用气敏灵敏度的优点.我们也曾从催化活性、磁学性能和气敏特性等方面,对α-Fe_2O_3基气敏材料的气敏机制进行了研究,得到满意的结果.本文旨在探讨α-Fe_2O_3-SnO_2配比和氧化铁粒度与气敏性能间关系,并且也浅析了气敏机制,以期为此复合材料实用化提供依据.     

环境温度对SnO2元件气敏特性的影响

研究了环境温度变化对各种ＳｎＯ２元件气敏特性产生的影响，突出地表现为随着环境温度的降低，气敏元件在空气中的阻值Ｒ０明显增大。用有机硅化物处理元件的表面可减小元件Ｒ０的这种漂移。     

ITO薄膜的气敏特性􀀁

本文研究了胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响。通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性。一般催化剂型掺杂物如贵金属等掺杂杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助。ＩＴＯ薄膜与ＳｎＯ２薄膜相比具有更高的稳定性。ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又权有体效应气敏材料的敏感特性。     

气环境温度对元件气敏特性的影响

研究了环境温度变化对各种元件气敏特性产生的影响突出地表现为随着 环境温度的降低一℃ , 气敏元件在空气中的阻值。明显增大用有机硅化物 处理元件的表面可减小元件凡的这种漂移     

低功耗常温CO气敏元件

采用超细SnO2粉体为材料基体，MQ-Y1元件生产工艺制成超细CO元件。在考察了工作温度、选择性、灵敏度、稳定性、响应及恢复时间等器件参数后认为，此元件可以在稍高于室温条件（25～30℃）下工作，是一种具有重要开发应用前途的气敏元件。     

Fe_2O_3系气敏元件热特性定量描述

通过测试某厂生产的Ｆｅ２Ｏ３系烧结型旁热式气敏元件在不同加热条件下空气中的阻值,分析了大量数据,总结出正常条件下元件阻值Ｒａ随加热电流ＩＨ（电压ＶＨ）变化规律,给出经验公式,以利于获得最佳工艺条件。     

金属氧化物掺杂对TiO2气敏特性的影响

掺杂金属氧化物可显著提高TiO2的气敏这一特性，正逐渐成为研究的热点。本文综述了掺杂金属氧化物对TiO2气敏特性的主要影响及机理；总结了目前研究中所掺杂的十多种金属氧化物，并就各种掺杂物对TiO2气敏特性的作用进行了具体分析。     

γ—Fe2O3超微粉的制备及气敏掺杂效应研究新进展

本文综述了近年来γ－Ｆｅ２Ｏ３超微粉在制备方法上的新进展,作为气敏材料时,通过掺杂不同化合物可提高其相变温度和气敏性的效应。     

掺杂离子对O3气敏元件的影响

在WO3中掺入杂质离子，制成傍热式厚膜元件，结合升温脱附（TPD）和半导体分析，研究了掺杂离子对元件性能的影响。     

SnO2系气敏元件热特性定量描述

通过测试某厂生产的SnO     

BaTiO_3对SnO_2基CO气敏元件性能影响

通过掺入BaTiO3来调整SnO2基CO气敏元件的温度系数,进而改善气敏元件的长期稳定性。元件的各种性能与BaTiO3的性质和含量密切相关。当掺入质量分数为2%的含YCl3摩尔分数为0.4%的BaTiO3时,元件的烧结温度升高,抗酒精的干扰能力增强,元件的长期稳定性得到了改善。     

SnO2系气敏元件热特性定量描述

通过测试某厂生产的ＳｎＯ２系烧结型旁热式气敏元件在不同加热条件下空气中的阻值,分析了大量数据,总结出正常条件下元件阻值Ｒａ随加热电流ＩＨ（电压ＶＨ）变化规律,给出经验公式,以利于获得最佳工艺条件。