共查询到19条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
磁控溅射制备VO2热致色薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了用磁控溅射制备了VO2热致变色薄膜。在不同的O2/Ar+O2流量比下,沉积了一系列VO2薄膜,给出了沉积速率以及高温/低温下电阻率变化的规律。得到了组分比较的VO2热致变色薄膜。了薄膜的光透谱和相变过程中电学性质的变化。 相似文献
2.
相变光透射特性具有窗口结构的VO2薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
利用无机溶胶凝胶法制备出具有优良热致相变光学特性的VO2薄膜,通过改变制备过程中的条件,发现在一定的制备参数下,可得到光透射性具有窗口形状的热致相变薄膜,该类薄膜相变前后在600~850nm范围出现显著透光度窗口状态化现象。利用XRD、XPS对相变光学特性具有窗口结构的薄膜和具有典型相变特性的薄膜进行对比分析,结果显示利用无机溶胶-凝胶法得到的薄膜表面没有衬底离子出现,衬底扩散离子主要存在于薄膜和衬底界面之间。通过对引起相变过程中光透射窗口状变化的原因进行讨论,得到薄膜在相变过程中出现透射光谱窗口状的变化是来源于V^3 和衬底扩散离子Na^ 的共同作用。 相似文献
3.
4.
5.
二氧化钒薄膜制备及其相变机理研究分析 总被引:5,自引:0,他引:5
VO2是一种固态热致变色材料,随着温度的变化它的晶态结构会从半导体态相变到金属态,而且相变可逆。由于相变前后电、磁、光性能有较大的变化,这使得它成为一种有前景的电/光转换、光存储、激光保护和智能窗材料。本综述VO2膜的制取方法及相变机理的研究进展。 相似文献
6.
二氧化钒薄膜制备及其相变机理研究分析 总被引:3,自引:0,他引:3
VO2是一种固态热致变色材料,随着温度的变化它的晶态结构会从半导体态相变到金属态,而且相变可逆.由于相变前后电、磁、光性能有较大的变化,这使得它成为一种有前景的电/光转换、光存储、激光保护和智能窗材料.本文综述VO2膜的制取方法及相变机理的研究进展. 相似文献
7.
8.
采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)透射率测试,分析了VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态及红外透射率相变特性。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2(011)晶体的氧化钒薄膜,其红外透射率具有明显相变特性,相变中心温度为57.5℃,3~5μm、8~12μm波段的红外透射率对比值达到99.5%,适合应用于红外探测器的激光防护研究。 相似文献
9.
射频溅射的CoMnNiO非晶薄膜在一定温度下热处理产生晶化,经历一个非晶-微晶-多晶的相变过程。XRD和TEM分析表明CoMnNiO非晶薄膜在300℃开始晶化,600℃晶化完全,生成尖晶石多晶。其相变机制是原子扩散和链状组织的规则排列以及有序集团的凝聚合并。 相似文献
10.
11.
12.
13.
14.
15.
氧化锌薄膜的拉曼光谱研究 总被引:8,自引:1,他引:7
利用拉曼光谱结合X射线衍射分析对未掺杂和掺杂的ZnO薄膜,陶瓷薄膜进行了研究,ZnO薄膜及ZnO陶瓷薄膜均由sol-gel法制备,掺杂组份有Bi2O3,Sb2O3,MnO和Cr2O3等。结果表明,未掺杂的薄膜的ZnO主晶相均表现出显著的定向生长特征,其拉曼光谱特征谱峰为437cm^-1,谱峰强度随薄膜退火温度的提高略有增强,掺杂后ZnO的拉曼谱峰发生了红移,掺Bi2O3后ZnO的拉曼谱峰由347cm^-1移质移至434cm^-1,掺Sb2O3后ZnO的拉曼谱峰移至435cm^-1,而掺杂Bi2O3,Sb2O3,MnO和Cr2O3等组份的ZnO陶瓷薄膜的ZnO拉曼谱峰则移至434cm^-1,说明掺杂元素进入了ZnO晶格,引起了晶格的变化,ZnO薄膜性能不仅受次晶相组成的影响,而且受因掺杂元素进入而引起的ZnO晶格畸变的影响。 相似文献
16.
17.
Y-Ba-Cu-O films were prepared by low temperature codeposition of three components. The Y and Cu contents were evaporated from
metallic sources, while Ba was vacuum-evaporated from Ba, BaO and BaF2 sources in separate codeposition experiments. The lowest temperature at which superconducting YBa2Cu3O
x
thin films (about 0.5μm thick) preparedin situ was near 500°C. This process enables preparation of superconducting films on various substrates (SrTiO3, MgO, Al2O3, Si) without a buffer layer. Zero-resistance critical temperature was as high as 88 K and the critical current density was
104 A/cm2 at 4.2 K. The morphology of the films was granular with disordered grain orientation, the average grain size being typically
0.5μm. 相似文献
18.
19.
Influence of Si doping level on the Raman and IR reflectivity spectra and optical absorption spectrum of GaN 总被引:1,自引:0,他引:1
G. Bentoumi A. Deneuville B. Beaumont P. Gibart 《Materials Science and Engineering: B》1997,50(1-3):142-147
The optical absorption (hν) and Raman and Infra Red (IR) spectra of Si doped GaN layers deposited on sapphire through buffer layers have been recorded for electron concentrations from 5×1017 to 5×1019 cm−3. The (hν) values deduced from photothermal deflection spectroscopy (0.5–3.5 eV) and IR absorption (0.15–0.5 eV) vary between 50 and 104 cm−1 showing doping dependant free electron absorption at low energy, doping independant band gap at high energy, and slowly doping dependant defect absorption in the medium energy range. In our micro Raman geometry, maxima appear or can be deduced near the frequency expected for either the A1(LO−) or the A1(LO+) modes split from the A1(LO) mode by plasmon phonon interaction. There is a large systematic evolution in the expected way for the IR reflectivity. 相似文献