离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟

本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的计算机模拟结果，分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动态模拟程序．实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设．多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度．低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而且可以降低注入剂量     

球面离子注入均匀性的计算机模拟

<正> 近几年来,金属材料的真空处理技术飞速发展,从原来的真空热处理,发展到今天的真空镀膜和在金属中的离子注入技术。无论是金属表面的镀膜还是在金属中注入离子,均可改善金属材料的机械性能。     

离子注入机注入离子能量分布的计算机模拟

本文参考ＴＲＩＭ程序，建立用于模拟计算多种荷电态离子注入过程的程序。在此基础上，对注入离子荷电态进行拟合。本文的结论对注入离子束能量分析有应用价值。     

离子注入抛光效应的研究

本文对离子注入重要效应之一的抛光效应产生机理、一些试验结果及其在微细加工中的应用做了较深入的探讨。     

非晶态合金及其离子注入效应

非晶态合金是一种新型的具有独持优异性能的无机材料,其工业应用潜力是无与伦比的。非晶态合金的离子注入效应则是近十多年内发展起来的用离子束技术研究非晶态合金问题的新领域,它主要研究离子注入引起的非晶态合金的结构变化和有关现象,并用以测定非晶态合金的抗辐照损伤能力,为探索高抗辐照损伤能力的材料提供依据。 本文在简述非晶态合金主要优良性能之后,介绍非晶态合金离子注入效应研究的基本内容和取得的结果。包括:注入非晶态合金的结构状态;非晶态合金中注入He的研究及由此引起的注入条件(能量、剂量、束流密度)、合金成分、注入前样品的不同预处理等对注入效应的影响。     

高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了1e16～1e18cm－2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge＋和Ge2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．     

高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的离子注入机,采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法,制备了1016～1018cm-2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品.用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在,并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量.通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸.用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布,与实验结合,得到纳米晶形成的物理机制,即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge+和Ge2+相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关.     

一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法

给出了一种简单而有效的碲镉汞(MCT)离子注入工艺模型,研究了应用该模型进行计算机模拟的数值方法,最后讨论了该模型中一些重要参数的确定方法。     

双极型集成电路瞬时辐照效应的计算机模拟

本文介绍了利用计算机模拟双极型集成电路的瞬时辐照效应。主要包括模拟原理、重要的模拟输入参数的提取、模拟过程和模拟结果和与实验结果的对比。模拟结果与实验结果能较好地吻合,这说明电子电路瞬时辐照效应的计算机模拟是可行的,且大有发展前途。     

氩离子注入硅表面引起氧化增强效应

实验证实了氩离子注入硅表面后在氧化时引起氧化增强效应;在硅表面注入氩离子后,将注入与非注入样品在温度1000℃的炉体中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测二氧化硅层的厚度;结果表明,在相同氧化条件下,氩离子注入样品的氧化层膜厚大于非注入样品的氧化层膜厚度。     

中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法

在CMOS工艺超浅结形成过程中,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成.文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析,这种影响随着注入粒子种类的改变而表现在不同的方面.同时运用分子动力学方法对剂量效应进行了模拟,模拟结果很好地符合了实验数据.     

总剂量加固对SOINMOS器件抗辐射特性的影响

采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响。加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值电压产生漂移,漂移大小与引入电子陷阱的量有关。通过加固可以有效提高器件的抗总剂量辐射特性,电子陷阱的量对器件的抗辐射性能具有显著影响。     

Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响

为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力.     

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的     

Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响

为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料．辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线．结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力．     

强流金属离子注入

金属等离子体浸没注入（MEPIII）技术与金属蒸气真空弧（MEVVA）源注入技术有相同之处,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅,RBS方法分析注入层,并对两种注入技术予以比较。     

低能量He离子注入局域寿命控制LIGBT的实验研究

提出了一种采用低能量大剂量He离子注入局域寿命控制的高速L IGBT,并对其进行了实验研究.粒子辐照实验结果显示与常规的L IGBT相比较,该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善.同时研究了当局域寿命控制区位于p+ - n结附近,甚至在p+阳极内时,该器件的正向压降和关断时间.结果显示当局域寿命控制区在p+ 阳极内时,仍然对关断时间和正向压降有影响     

低能量He离子注入局域寿命控制LIGBT的实验研究

提出了一种采用低能量大剂量He离子注入局域寿命控制的高速LIGBT,并对其进行了实验研究.粒子辐照实验结果显示与常规的LIGBT相比较,该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善.同时研究了当局域寿命控制区位于p+-n结附近,甚至在p+阳极内时,该器件的正向压降和关断时间.结果显示当局域寿命控制区在p+阳极内时,仍然对关断时间和正向压降有影响.     

内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并且编程加以实现.