温度补偿晶体振荡器综述

本文叙述了温度补偿晶体振荡器的发展，国内外水平及各种补偿方法和应用电路，文中还介绍了在生产中应用的自动测试系统和补偿元件的计算方法，在－40－＋70度的温度内采用模拟补偿法可以达到±（1－5）×10^-7的频率稳定度，采用模拟一一数字混合补偿法和微机补偿法可以达到±（1－5）×10^-5的频率稳定度。     

新型模拟温度补偿晶体振荡器

主要提出了一种用于移动通信中间接的模拟温度补偿晶体振荡器(ATCXO),它的温度补偿性能比国内现有的模拟温度补偿晶体振荡器更精确,且适于集成小型化,克服了普通的温度补偿晶体振荡器(TCXO)调试量大的困难,易于实现自动测量和自动补偿。该文提出的TCXO包括两部分:一是适于集成的温度补偿电路部分,它与以往的TCXO不同,其内部装有的模拟方式三次电压发生器及记忆存储器的大规模集成电路(LSI)进行温度补偿的方式取代了以前使用的热敏电阻和电容器的温度补偿方法,其中三次电压发生器又包括三次项和线性项,并且输出随温度变化的三次电压曲线;二是压控晶体振荡器(VCXO)部分,它具有很好的线性电压-频率特性。采用了单片LSI的TCXO的体积大大减小,且在-30~ 80℃的宽温度范围内能获得±2.5×10-6以内的精度。     

温度补偿式晶体振荡器

在无线电通信设备和电子仪器中,广泛使用各种晶体振荡器。对于那些频率稳定度要求在10~(-7)～10~(-9)数量级作为频率基准应用的场合,都采用高稳定度晶体振荡器。它选用高精度石英谐振器,并置于恒温槽中。虽然它的稳定度很好,但由于电路复杂,功耗大,体积重量也比较大,而且需要较长的预热时间才能得到给定的频率稳定度,因此,应用受到一定限制。而温度补偿式晶体振荡器的体积小,省电,具有比普通晶体振荡器频率稳定度高以及接通电源无需预热时间就能达到预期的稳定度等优点,受到越来越多的重视。     

高精度低噪声集成温度补偿晶体振荡器

介绍了一种新的AT切低噪声集成温度补偿晶体振荡器(TCXO)的设计方案、补偿原理及实现.该设计核心是采用电路集成实现器件的小体积、低功耗,并通过模数混合集成工艺,保证温补晶振的高精度和低相噪特性.实验样品在-40~+85 ℃的温度范围内,频率温度稳定度优于±2.8×10-7,相位噪声达到-140 dBc/Hz@1 kHz.测试结果表明,该集成温度补偿晶体振荡器具有工作温度范围宽,补偿精度高,功耗低,频谱纯度高,噪声特性良好等特点.同时,该温度补偿晶体振荡器集成度高,体积小,抗振动冲击,适合大批量生产,可广用于军民用测控通信系统中.     

片式温度补偿晶体振荡器及其应用

扼要介绍国内外片式化温度补偿晶体振荡器的发展现状、性能及应用。     

变容二极管与温度补偿电路

介绍变容二极管的电特性和温度特性。讨论变容二极管在调频电路中的应用。为了提高调频电路和晶体振荡器的频率稳定度，采用温度补偿电路是一种极其有效的方法。     

100.450 MHz五次泛音温度补偿晶体振荡器

应用新的温度补偿方法研制了100.450MHz五次泛音温度补偿晶体振荡器,该振荡器由450kHz陶瓷振荡器,100MHz五次泛音晶体振荡器,混频器,晶体滤波器组成。450kHz陶瓷振荡器的输出频率与100MHz晶体振荡器的输出频率混频,滤波,取其和频。直接利用450kHz陶瓷振荡器输出频率对100MHz晶体振荡器进行温度补偿。实验结果表明,在0~70℃该振荡器的频率-温度稳定度<±7×10-7,初步测量相位噪声为-119dBc@1kHz。     

温补晶体振荡器的频率温度稳定度

大部分晶体振荡器生产厂家的数据手册不会兼顾所有使用者的需要,特别是温补晶体振荡器的频率温度稳定度指标,多数情况下,数据手册所列指标往往只适应于某一类典型的应用场合或只符合生产厂家与其某几个主要用户的验收规则,所以只有充分理解频率温度稳定度的不同定义方法、与频率温度稳定度相关的其他频率温度特性指标、不同的环境温度测试方法,才能正确制定符合自己使用要求的频率温度稳定度指标,不加分析地简单套用频率温度     

一种新型小尺寸微机补偿晶体振荡器

现代电子技术对电子器件的小型化和低功耗有着越来越高的要求,我们设计了一种以微处理器为核心的基于AT切晶体谐振器的小型微机补偿晶体振荡器(MCXO).它所有的器件采用贴片封装,用软件来代替部分硬件电路.补偿后频率温度稳定度为±4.7×10-7(-40～ 85℃),工作电压为3.3 V,消耗的功率约为50 mW.该振荡器为标准的DIP14封装, 其体积只有17.3 mm×9.5 mm×10 mm,它结构简单,造价低,开机即可正常工作,具有很强的竞争力.