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本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42A/cm~2的阳极电流. 相似文献
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新型功率器件MCT的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨了新型功率器件CMT(MOS控制晶闸管)的参数设计和工艺设计及实施方法,通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接健合),硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室里制成了MCT样品。测试结构表明,在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42Acm^2的阳极电流。 相似文献
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利用硅栅自对准分离子注入工艺制备了SOI/SDB CMOS器件,讨论了该器件的短沟道效应、“Kink”效应以及SOI硅膜厚度对NMOS、PMOS管参数的影响。 相似文献
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本文介绍了利用硅片直接键合(SDB)技术代替三重扩散,生产DK55双极功率器件。实验说明,SDB片代替三重扩散无需高温长时间的扩散,由于衬底质量好,器件特性得到提高,工艺过程中碎片率减少,生产效率提高。 相似文献
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介绍了利用硅片直接键合技术代替三重扩散,生产DK55双极功率器件,实验说明SDB片代替三重扩散无需长时间高温扩散,由于衬底材料质量好,器件特性得到提高,工艺过程中碎片率减少,生产效率提高。 相似文献
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硅/硅直接键合SDB硅片的减薄研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了硅/硅直接键合SDB硅片的精密机械/化学抛光减薄方法,进行了实验,分析了减薄后工作硅膜的平整性和膜厚的均匀性等重要技术指标,讨论了影响这些技术指标的因素。 相似文献
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本文主要研究了硅片直接键合技术制备SOI材料,并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了1μm沟道CMOS环形振荡器。由于SOI。SDB中的硅膜保持着本体硅的性质,故所得陪管的特性比较好,(迁移率:NMOS为680cm2/V·s,PMOS为370cm2/V·s,跨导:NMOS为38mS,PMOS为25mS)。但发现MOS管具有“Kink”效应,随着硅膜厚度的减小,“Kink”效应有所抑制。实验所得CMOS19级环形振荡器的单级延时为0.79ns,由此可见,SOI/SDB材料在VLSI中将有很大的发展前景 相似文献
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10A/500V MCT器件的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法。西安徽电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品。测试结果表明,其在20V的栅压下能在4μs内关断50A/cm^2的阴极电流。 相似文献
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采用了合理的物理模犁和精确的数值解法,对MCT进行了一维数值求解,得到了器件内部载流子分布和电场分布以及外部端特性。这些结果对MCT的优化设计具有实际指导意义。 相似文献
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对SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET(FDBC NMOSFET)的器件结构及导电机理进行了深入研究,建立了明确的物理解析模型,推导出各种状态下器件工作电流的解析表达式。并将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。 相似文献
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科学数据库系统平台数据访问子系统的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
文章简单介绍了科学数据库(SDB)系统平台软件的组成、数据访问子系统在系统平台软件中的地位以及与其他子系统的关系,概要介绍了数据访问的处理对象、访问模型以及处理框架. 相似文献
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MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安全工作区。开关仿真结果表明CIGBT具有比MCT更短的关断时间和更小的关断能量,更适合应用于高频领域。同时研究了MCT和CIGBT在脉冲放电应用中的特性,结果表明MCT具有更大的脉冲峰值电流和更快的电流上升率,并首次论证了脉冲放电过程中器件物理机制的区别。 相似文献
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本文概要叙述了128元长波碲镉汞焦平面器件的原理及研制工艺;CMOS互连后测试结果:峰值Dλ^*=3.4×10^10cmHz^1/2W^-1,Rvλ=1.2×10^8V/W,利用128元长波碲镉汞焦平面器件研制成功的热像仪成像情况。 相似文献