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长虹C2919PV型彩电Y/C分离电路IC工作参数┏━━━━━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━━━━┳━━━━━┳━━━━━━━━━━━┓┃ ┃ ┃ 直流 ┃ 在路电阻(kQ) ┃┃ 引脚 ┃ 功 能 说 明 ┃ ┃ ┃┃ ┃ ┃ ┣━━━━━┳━━━━━┫┃ ┃ ┃电压(v) ┃ 红笔测 ┃ 黑笔测 ┃┣━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━╋━━━━━╋━━━━━┫┃ ┃彩色视频信号输入端,标准输入信 ┃ ┃ ┃ ┃┃ l ┃ ┃ 1.4 ┃ 5.5 ┃ 7.O ┃┃ ┃号幅度约1.5Vp—p ┃ ┃ ┃ ┃┣━━━━━━━━━╋━… 相似文献
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《电视技术》1981,(4)
┌───────────────┐ ┌──────┬──────┐ │井: │┌────┬──┬────────────┬────┐ │尸万蔺 │嚼沪 │ │鲜梦 ││厂-一刁 │!处 │引哒 │ { │ ├──────┼娘笄─┐ │ │ │└────┤ │ e三穿 │,之 │ │鑫户 │厂竺二│ │ │ │ │ │荞球 │ │ │公。 │ │ │ ├───────┐ │ │ │ │ │ │ ├───┼──┤ │悬好 │ │ │ │ │ │ │ │目 │飞浦│ │ │ │ ┌─────────────┐ │ │ ┌───┬──────┤ │ ├──────┼─… 相似文献
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《电子世界》1999,(10)
创维数码5000一25 88彩电集成电路实测检修数据微电脑集成电路Sl(、v01—829A2202┏━━━┳━━━━━━━━┳━━━━━┳━━━━━━━━━━━┳━━━┳━━━━━━━━┳━━━━━┳━━━━━━━━━━━┓┃引脚 ┃ 符 号 ┃ 直流 ┃ 对地电阻(k0) ┃ ┃ ┃ 直流 ┃ 对地电阻(kn) ┃┃ ┃ ┃ 电压(v) ┃ 黑笔地 红笔地 ┃引脚 ┃ 符 号 ┃ ┃ ┃┃ ┃ ┃ ┣━━━━━┳━━━━━┫ ┃ ┃ ┣━━━━━┳━━━━━┫┃ ┃ ┃ ┃ ┃ ┃ ┃ ┃ 电压(v) ┃ 黑笔地 ┃ 红笔地 ┃┃ 1 ┃ REMOT ┃ ┃ ┃ 11.5 ┃ 22 ┃BANnI … 相似文献
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《电子世界》2000,(11)
索尼K V—H29 T G2彩电12C总线系统调整数据┏━━━┳━━━┳━━━━┳━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━┓┃项目 ┃项目 ┃ 数据 ┃H系列 ┃ ┃┃ ┃ ┃ ┃彩电标 ┃ 说 明 ┃┃ 号 ┃ 名 ┃ 范围 ┃ ┃ ┃┃ ┃ ┃ ┃准数据 ┃ ┃┣━━━╋━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━┫┃3E’ ┃PON ┃ 00.01 ┃ 01 ┃图像0N ┃┣━━━╋━━━╋━━━━╋━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━┫┃ 3F0 ┃ RON ┃ 00—0l ┃ 01 ┃红接通 ┃┣━━━╋━━━╋… 相似文献
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康佳T251 9D型彩电IC引脚功能及参数表l 微处理器N601(S116367Bl/嗣玎)┏━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━┳━━━━━━━┳━━━━━━━━━━━┓┃引 ┃ 功 能 ┃工作电压 ┃在路电阻(kn) ┃┃ ┃ ┃ ┣━━━━━┳━━━━━┫┃脚 ┃ ┃ (V) ┃红笔测 ┃黑笔测 ┃┣━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━╋━━━━━╋━━━━━┫┃ l ┃ 色调控制信号输出 ┃ 0—4.0 ┃ 7.5 ┃ 22.5 ┃┣━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━… 相似文献
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大唐电信是信息产业部电信科学技术研究院改革和发展的产物,1993年,由电科院控股成立的西安大唐电信有限公司,以历史盛世“大唐”命名,1999年,为形成规模经营,电信科学技术研究院在大唐股份、上海大唐移动、高鸿通信、信威通信等公司和科研单位的基础上,经信息产业部批准,组建大唐电信科技产业集团公司。大唐电信集团现在员工7000余人,1999年经营规模达42.5亿元. 1996年,大唐成功研制出国产GSM系统. 1998年8月14日,大唐GSM900/1800交换系统通过生产定型鉴定; 1999年1月18日,首家获得住处产业部颁发的移动交换设备进网许可证; 1999年2月25日,DM900/1800基站系统通过生产定型鉴定; 1999年11月5日大唐电信提出的第三代移动通信标准TD-SCDMA被国际电联采纳,这是我国通信标准首次被国际电联采纳; 2000年2月25日,大唐电信召开新闻发布会,公开TD-SCDMA标准部分关键技术.小资料 相似文献
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《激光与红外》1977,(3)
红外器件、应用 247外延外s汀。用宾空旋积法翻作盆流金属 叙化物旅触的光电裸翻拐 Vaeuumd印osition method for fabrieating an ePitaxial PbsnTe代ctifying毗tal semieo- nduetor eontaet photodetector,K.P.Seharuhours, AD一D002717(USP 3 961 998)(1976)sp. 所述为用改进的PbsnTe或Pbsnse厚外延膜制作肖脱基势垒二极管的方法,二极管工作波段为8~14微米。外延膜用准平衡法生长在Ba凡单晶衬底上。在不破坏真空的条件下蒸发带状锢电极,从而确保了金属一半导体界面质量。此种工艺避免了光刻法存在的复杂间题。 248 10.6徽米半导体… 相似文献
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《电讯技术》1977,(5)
(亥料冰究确会字承到最肩刻出,1,月矿加尸哪一,矛应善,几 宙试该亲技太要础己,月犷从尸砰一2‘泳吞舰 入厂川,夕6日.7。,八厅/月p才、乙声着牙几 刀闭5,乡70礴」月N向户四一,。灰苍才几· 刀时5,乡70J.、月万加户丫一‘难一,)威着捉. 一月刀球多J乙乡了6,月心勿尸万一z灰备机 5啥““/,,,‘夕/o·产臼了,月军/夕户叮一,寻浓着机 .万SC,夕乙乡·了·多I·尸·浮乡6 Gp,乡,。一‘多。口。6」.月刀加尸矿一,了去着札 月厂川,夕69 .7;乙)川6,乡?。9·月军/乡尸丫一,2,瑞应件机 月户{叮,乡今叼了心,月万/刀户丫一,了6泣井索乙井SC日尹 乡乙多… 相似文献