微米纳米新型微电子器件可靠性技术发展方向研讨

介绍了新型微电子器件发展现状和主要技术，分析了微电子器件可靠性技术发展趋势，提出我国半导体器件可靠性技术发展对策和建议。     

微电子器件可靠性研究与展望

本文扼要介绍了近５年来我国在微电子器件（半导体分立器件及集成电路）可靠性研究方面所取得的进展与成果及存在的问题。预计今后５～１０年内，我国微电子器件可靠性研究工作将在５个方面展开，器件可靠性水平将提高１～２个数量级。     

微电子器件可靠性研究与展望

本文扼要介绍了近５年来我国在微电子器件（半导体分立器件及集成电路）可靠性研究方面所取得的进展与成果及存在的问题。预计今后５￣１０年内，我国微电子器件可靠性研究工作将在５个方面展开，器件可靠性水平将提高１￣２个数量级。     

微电子器件塑封损伤机理分析

分析了塑封微电子器件的失效模式及损伤机理 ,在此基础上讨论了提高塑封器件可靠性的对策及应用前景。     

微波器件的可靠性及失效分析

微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性,失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性,从而提高整机系统的质量与可靠性。同时,失效分析工作会带来很高的经济效益,对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面:固有缺陷和使用不当,固有缺陷由生产方引起,使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类,文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。     

微电子器件主要失效模式与失效机理研讨

当前微电子器件已广泛应用于信息获取、信息传输、信息控制、信息处理等领域。在电子装备、家用电器、工业控制系统等运行过程中，经常发现由于一个电子器件的失效造成整机的严重故障甚至整机损坏。为了提高电子装备的可靠性，必须从根本上提高元器件的质量与可靠性。要提高元器件的可靠性必     

GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展

介绍了国外ＧａＡｓ微波器件及ＭＭＩＣ的可靠性研究进展情况，给出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＭＭＩＣ的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。     

厚膜混合集成电路可靠性技术

总结了混合集成电路的主要失效模式,在此基础上,主要从混合集成电路的设计和工艺两方面分析了其产生的原因,通过设计、工艺、原材料和元器件等方面采取对策和措施,达到提高混合集成电路可靠性的目的.     

微电子器件多失效机理可靠性寿命外推模型

提出了一种新的微电子器件快速评价方法,具有快速、准确、成本低、能观察分析参数退化的全过程,能有效地分析器件的失效机理。它与常规方法不同,可对单样品求出不同失效阶段的失效激活能和寿命,根据其参数退化的温度范围可外推出单样品工作条件下的寿命。通过一定数量的对比试验,该方法与常规方法有可比性。     

微电子工艺技术可靠性

对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方，它是针对技术磨损的机理，通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试，获取可靠性模型参数和可靠性信息，超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应，金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿，本文对这三种失效机理分别进行了介绍，对各自对应的可靠性模型进行了说明，列举了热载流子汪入效应的寿命评价实例，说明了可靠性评价的重要性，给出了可靠性主人在工艺中的应用流程图。     

CMOS／SOSCC4066器件的可靠性研究

本文介绍了CMOS/SOS CC4066器件长期可靠性试验结果。对失效器件的分析表明,硅-蓝宝石技术没有新的失效机理。该器件的可靠性不低于国内体硅MOS IC能达到的水平,并接近“七专”器件的水平。     

可靠性分析在新产品研发中的作用

主要围绕产品开发，提出了可靠性分析在研发过程中的重要作用和工作程序．将以往单纯追求产品仿造转换为失效模式分析与失效机理分析相结合、技术指标与质量验证相结合的工作模式．不仅改进了研发的工作模式，而且保证了产品的可靠性，其目的是确保研发产品达到预定的技术指标。由于这种工作模式从根本上确保质量达标，因此可以固化为标准的方法，应用到新产品的研发工作中。     

BaTiO_3半导瓷失效机理及可靠性增长技术

为了提高BaTiO3半导瓷的可靠性,系统地研究了可靠性增长技术。针对BaTiO3半导瓷不同的失效模式,重点研究了瓷体电场分布、电阻率及温场分布、热应力、电极界面应力对BaTiO3半导瓷可靠性的影响及其作用机理,并从原材料控制、材料配方设计、均匀化技术、电极技术及测试技术等方面提出了增加可靠性的方法。     

微电子器件测试技术(中)

(接上一期) CPU的测试首先要解决测试程序(测试向量),CPU的功能不同于一般通用数字电路,CPU是在软件的介入下进行工作,而用户在使用CPU的时候也都有自己不同的用户程序,所以要验证CPU的功能是否正常,是否能在各种用户程序下都能可靠工作,所编制的测试向量必须覆盖CPU的各种工作方式和各种失效模式.     

塑封微电子器件失效机理研究进展

塑封器件在现在的封装产业中具有无可比拟的优势,相关研究引起了人们广泛关注.简要介绍了塑封微电子器件的发展史,以及国内外塑封器件可靠性的研究现状.对塑封器件的主要失效机理研究进展进行深入探讨,如腐蚀、分层、开裂等,提出了几种提高塑封器件可靠性的措施.论述了用于塑封器件质量评估的试验方法,并展望了塑封器件在军工领域的潜在应用前景.     

半导体可靠性技术现状与展望

随着半导体技术的迅速发展,各种新材料、新工艺和新的设计技术不断涌现,给半导体器件及电路带来了各种新的可靠性问题。阐述了半导体可靠性技术的基本概念,介绍了半导体可靠性技术的主要研究内容,分析了在该领域国内外的研究现状,对国内半导体可靠性技术研究方向提出了建议,以期最大限度地保证国产半导体产品的质量与可靠性。     

光敏二极管的可靠性和寿命分析

在大量实验的基础上,通过理论分析和数据处理,采用威布尔概率纸图估法,评估了为某种设备的特殊需要生产的一种新型硅光电探测器的可靠性和寿命。在正常工作条件(300K)时,器件的平均寿命为1.04×108h;在40℃时,器件的失效率等级达到国家标准规定6级。详细分析了光敏二极管的失效模式及失效机理,提出了提高光敏二极管的可靠性和寿命的措施。