带支链聚乙炔液晶高分子的合成与光学特性(英文)

在室温下,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光,其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm.位于510 nm、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰,而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰.这些光谱方面的变化可用该高分子发生的结构上的变化来解释.     

带有咔唑支链的聚乙炔的发光特性研究

在室温下,对单取代聚乙炔(PACz-1)和两种双取代聚乙炔[PACz-2(m=3)、PACz-2(m=9)]的荧光特性和电子结构进行了研究.每种聚乙炔的支链上有一个咔唑单元.虽然它们的分子结构不同,但它们的稀溶液却有相同的吸收峰和强的绿色荧光发射峰,并且它们的吸收谱和发射谱很相似.当溶液的浓度增大到～1×10~(-3)M时,发现有强的绿色荧光发射,峰位位于475 nm.运用Huckel扩展紧束缚计算方法,从理论上计算了带咔唑支链的聚乙炔的电子结构。结果表明单取代聚乙炔和两种双取代聚乙炔的吸收峰、低浓度下的360 nm紫外光发射峰与高浓度下的475 nm的绿色荧光峰都是由于聚乙炔支链上咔唑生色团引起的.     

p型掺杂ZnO薄膜的光致发光特性研究

采用磁控溅射技术,以N2作为p型掺杂源,制备p型N掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同掺杂量的N掺杂ZnO薄膜的光学特性。结果表明,掺杂ZnO薄膜在360 nm、380 nm处出现主荧光峰,409 nm、440 nm处出现次荧光峰,而且随着N掺杂量的不同,主、次荧光峰 峰位和强度都会发生变化。当O2∶N2的体积流量比为15∶5时,薄膜中N含量最大,荧光谱中发光峰强度最佳,霍尔效应检测薄膜具有明显的p型导电特征。     

动脉粥样硬化斑块和血管壁的光谱学实验研究

为区分动脉粥样硬化斑块和血管壁,给激光血管成形术的实时监控提供依据,研究了动脉粥样硬化斑块和血管壁的激光诱导荧光光谱(LIFS)和拉曼光谱.日本雄性大耳白兔15只,以高脂饲料喂养3个月,取主动脉弓作纵行切开,分别采用380 nm紫外激光和532 nm绿激光作为激发光源诱导动脉粥样硬化斑块和血管肇的荧光光谱;采用532 nm绿激光作为激发光源诱导动脉粥样硬化斑块和血管壁的拉曼光谱.结果表明,380 nm紫外激光诱导的动脉粥样硬化斑块和血管壁的荧光光谱在416 nm处均有明显特征峰,但前者的强度显著高于后者;532 nm绿激光诱导的动脉粥样硬化斑块和血管壁的荧光光谱在800 nm处均有明显特征峰,但强度无明显差别;动脉粥样硬化斑块的拉曼光谱在3000 nm和3300 nm处存在明显的波峰和波谷,而血管壁的拉曼光谱曲线较光滑,无明显特征峰.说明380 nm紫外激光诱导的荧光光谱和拉曼光谱均有可能有效区分动脉粥样硬化斑块和血管壁,而532 nm绿激光诱导的荧光光谱不能有效区分动脉粥样硬化斑块和血管壁.     

天然方钠石的近红外发光特性

采用高温固相法制备了天然方钠石近红外发光材料.测定了荧光粉的X射线衍射(X Ray Diffraction,XRD)谱以及室温下的光致近红外发射光谱和激发光谱.在600nm可见光的激发下,天然方钠石粉末中的Mn5+离子(3A2-1E跃迁)发射了主发射峰位于1200 nm的近红外光谱.在500 nm可见光的激发下,该粉末中的Fe2+离子(3T1-5E)发射了主发射峰位于1000 nm的近红外光谱.这种现象对于提高硅太阳能电池的效率可能具有积极意义.     

准一维聚对苯撑的光致发光

在连续激光激发下测量了聚对苯撑(PPP)的光致发光光谱及X射线衍射强度分布。结果表明:非本征发光具有发光峰在619.0nm和728.1nm的宽发光谱带;本征发光光谱呈现锐发光峰,位于436.0nm和466.0nm;PPP微晶区域线度较小,发光主要来自非晶区;并用极化子和束缚极化子讨论了非本征发光光谱特性。     

荧光光谱技术在晚期糖基化终末产物中的应用

提出了一种把荧光光谱技术应用于检测晚期糖基化终末产物的方法,重点阐述了该荧光光谱检测系统的测量原理,设计了该荧光光谱检测系统.采用氙灯作为激发光源,利用该系统分别对发射波长为440 nm、445 nm、450 nm、455 nm进行激发光谱扫描测试,得出370 nm为最佳激发波长;采用370 nm的单色光作为激发光源,分别对正常人和糖尿病患者的皮肤组织进行荧光光谱检测,通过获得的荧光光谱分析可发现,两者在450 nm附近的荧光光谱存在明显差异.实验结果证明,该荧光光谱测量系统可应用于晚期糖基化终末产物的检测.     

含有噁二唑的可溶性PPV衍生物的发光特性

利用新型的含有嗯二唑基团PPV衍生物，制备了结构为ITO／PVK：OPPV(2：l质量比)／OXD(40nm)／Alq(20nm)／Al的器件，研究了该PPV衍生物的发光特性。结果表明：OPPV发光峰位于460nm，是一种蓝色电致发光聚合物材料。噁二唑基团的引入，改善了PPV衍生物的电子传输特性。     

ZnS:Cu,Pb,Mn红外上转换薄膜的制备及其光谱特性研究

介绍了利用化学溶液沉积法将ZnS:Cu,Pb,Mn材料制成红外上转换薄膜的工艺过程.利用金相显微镜和扫描电子显微镜观察了薄膜表面形貌,并测试了薄膜的荧光光谱、荧光激发光谱、红外激励发光光谱、红外激励光谱和红外激励发光衰减曲线.测试结果显示:成膜质量良好;薄膜的激发光谱位于450nm以下的紫外及可见光区域;红外响应光谱范围为700～1500nm;荧光光谱及红外激励发光光谱上均有位于490nm和580nm的峰值;红外激励发光衰减先快后慢,能持续较长时间.     

KSrPO_4:Eu~(3+)红色发光材料的制备及性能研究

采用高温固相合成工艺制备了KSrPO4:x Eu3+红色发光材料,通过X射线衍射、荧光光谱、量子效率仪、封装对发光材料的晶体结构及发光特性进行了研究。XRD表明KSrPO4晶体结构并没有随着Eu3+的掺入而发生变化;荧光光谱表明KSrPO4:Eu3+在394 nm处存在最强激发峰,发射光谱最强发射峰为612nm;量子效率研究表明随着Eu3+掺杂量的增加,量子效率先增后降,在Eu3+掺杂量x=0.04时,量子效率存在最大值51%;封装光源的显色指数为83,色温3497 K,并且随着电流的变化色坐标(X,Y)基本保持不变,因此,KSrPO4:Eu3+红色发光材料作为近紫外激发的红色发光材料具有一定的潜力。     

On the Origin of Green Emission Bands in Fluorene‐Based Conjugated Polymers

Blue‐light‐emitting diodes made of polyfluorenes have low stability and, under operation, rapidly degrade and produce undesirable low‐energy emission bands (green or g‐bands). A spectroelectrochemical study of the degradation process suffered by polyfluorenes is reported here. These polymers lose their electronic properties by electrochemical oxidation and reduction through σ‐bond breaking. In addition, upon electrochemical reduction, the development of a structured green emission band at 485 nm is observed. The position and shape of this band is different from the usual featureless band at 535 nm assigned to fluorenone defects. The green‐light‐emitting product is isolated and analyzed by Fourier‐transform IR spectroscopy; fluorenone formation is excluded. The isolated product is crosslinked; its green emission is probably related to the formation of an intramolecular excimer.     

准分子离子Kr+Li的真空紫外发射及其 电子束激发动力学

由相对论电子束激发稀有气体Kr和碱金属Li的混合蒸气,观察到来自Kr Li准分子离子的真空紫外发射带(147nm和149nm)。讨论了发射光谱的温度和气体密度依赖特性以及电子束激发的动力学过程。经理论计算,两个发射带被分别标识为(KrLi) 离子准分子的21Σ →11Σ 和11Π→11Σ 跃迁。另外,在Xe/Li混合蒸气中观察到的186nm和189nm辐射带也被标识为准分子离子Xe Li对应能级之间的跃迁。     

射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光

用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 .     

射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光

用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402nm)和弱的紫外光发射 (波长为384nm).紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁.随着光激发强度的增加,紫光发射强度超线性增强,且稍有蓝移,而紫外光发光强度则近似线性增加.在氧气中高温退火后,薄膜结晶质量明显提高,紫光发射强度变弱,紫外光发射相对增强.     

利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究

在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究了在不同衬底生长温度下(350～750℃)制备的ZnO薄膜的结构和光学性质．随着衬底温度的升高,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大,衬底温度为550℃样品的结构及光学性质都比较好,这表明550℃为在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度;同时,我们还通过550℃样品的变温光致发光谱(81～300K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源,证明其来源于自由激子发射．     

Effect of growth conditions on zinc oxide nanowire array synthesized on Si (100) without catalyst

A uniformly distributed ZnO nanowire array has been grown on silicon (100) substrates by catalyst-free chemical vapor transport and condensation. The effect of growth conditions including source heating temperature, substrate temperature, and gas flow rate on growth properties of ZnO nanowire arrays are studied. Scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and room temperature photoluminescence are employed to study the structural features and optical properties of the samples. The results show a correlation among experimental growth parameters. There is a zone for substrate temperature, by controlling gas flow rate, that uniformly distributed and well aligned ZnO nanowire arrays can be grown. Also, experiments indicate that ZnO nanowire arrays with different diameter along their length have been formed under various growth conditions in the same distance from source material. It is found that supersaturation is a crucial parameter determining the growth behavior of ZnO nanowire arrays. The growth mechanism of ZnO nanowires is discussed. The room temperature photoluminescence spectrums of ZnO nanowire array show two emission bands. One is the exciton emission band (centered at 380 nm) and the other is a broad visible emission band centered at around 490 nm. As the substrate temperature decreases, the intensity of UV emission increases while the intensity of visible emission peak decreases.     

308nm激光诱导动物血管荧光光谱的观测

利用XeCl准分子激光辐照兔、狗动物主动脉及多种器官,观测到近紫外至可见波段连续发射的荧光光谱,荧光在380nm及450nm处有二个极值,测得正常主动脉及主动脉斑块二极值强度之比分别为I_(380)/I_(450)=1.05±0.07及1.32±0.10。     

SiC/SiO_2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究

采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果表明,样品经高温退火后在 SiO_2基质中有 SiC 纳米颗粒形成。以 280 nm 波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的 365 nm 的紫外光发射以及 458 nm 和 490 nm 处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从 800℃升高至 1 050℃而增强。其发光归结为薄膜中与 Si-O 相关的缺陷形成的发光中心。     

Temperature dependence of photoluminescence of CdS nanoclusters formed in the Langmuir-Blodgett film matrix

The photoluminescence of the CdS nanoclusters formed in the matrix of a Langmuir-Blodgett film is studied in the temperature range 5–300 K. At the temperature 5 K, the photoluminescence spectrum of the nanocrystals consists of two bands, with peaks at 2.95 and 2.30 eV. The temperature dependence of the position of the high-energy photoluminescence band differs from the temperature dependence of the band gap of the CdS bulk crystal. The integrated photoluminescence intensity of this band decreases as temperature increases in the range from 5 to 75 K, increases in the range from 150 to 230 K, and decreases above 230 K. The experimental data are interpreted in the context of the model of recombination of nonequilibrium charge carriers in CdS nanoclusters with regard to the charge-carrier transport in locally coupled clusters different in size. In the model, the energy depth of the traps for electrons is estimated at 120 meV; the estimations of the activation energies of nonradiative recombination yield 5 and 100 meV.