存储器的测试技术

集成电路工艺的改进使存储器的测试面临着更大的挑战。本文从存储器的故障模型入手着重描述了单端口存储器,字存储器,多端口存储器及存储器组的测试。测试算法和测试策略要在测试时间,故障覆盖率,面积开支之间进行折衷。     

抗辐射铁电存储器的研究进展

在分析铁电存储器工作原理以及铁电薄膜材料抗辐射能力的基础上,综述了商业化铁电存储器的发展历程以及辐射实验结果.总结了抗辐射加固的铁电存储器的研究进展以及抗辐射加固的方法,展望了抗辐射铁电存储器的应用前景.     

铁电薄膜及其在存储器件中的应用研究现状

概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状,将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较,针对铁电薄膜在存储器中的应用,探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题,指出了当前研究的重点.     

浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展

综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。     

汽车碰撞实验车载测试系统中数据存储的实现

FLASH 存储器以其体积小、容量大、可随机访问等优点可以方便地应用于汽车碰撞试验中. 采用 FLASH 存储器作为车载测试系统数据存储介质, 研究了基于 FLASH 存储器的控制电路及车载式测试系统在汽车碰撞试验中的应用. 论述了测试系统总体设计思想;设计了与 FLASH 存储器的数据存储特点相匹配的数据双缓冲电路, 以及对 FLASH 存储器的数据进行写入、读出、擦除等操作的中心控制电路;并且设计了测试系统实现所有功能的软件流程.     

柔性阻变存储器材料研究进展EI北大核心CSCD

本文简述了阻变存储器的基本结构、工作原理、发展历程和研究现状,归纳总结了柔性阻变存储器的材料体系,包括介质材料、电极材料和基底材料,以及柔性阻变存储器材料体系的总体趋势和最新研究进展;分析了柔性阻变存储器的性能特点,包括存储性能和力学性能。阐述了发展柔性阻变存储器的重要意义与面临的挑战,提出了该领域现在研究中存在的不足和未来需要进一步研究的方向。得出力学性能稳定的高电导可拉伸电极和存储性能稳定的可拉伸介质是柔性阻变存储器材料今后发展的主要方向。     

嵌入式存储器内建自修复电路的一种改进设计

研究了存储器内建自测试(MBIST)和存储器自修复(MBISR)技术,改进了基于一维冗余(冗余行块)结构的嵌入式存储器修复策略.首先将存储阵列和冗余阵列划分为多个行块,然后采用存储器自测试方法定位故障单元的行地址和行块地址,最后任何可利用的冗余块可以被用来修复故障单元.通过16×32比特静态随机存取存储器(SRAM)的电路自修复实验,验证了该修复策略的可行性和较高的故障修复率.与传统的基于一维冗余结构的修复策略相比,该修复策略提高了替代故障单元方法的灵活性和冗余资源利用率,从而提高了存储器的故障修复率.     

基于Ga-SbTe的高性能相变存储单元的设计和仿真

相变存储器(PCM)因依靠电阻率的变化来存储的模式,成为65nm以下非易失存储器应用的研究热点.然而,相变存储器的擦写功耗、复位电压、热稳定性和擦写寿命一直是相变存储器发展的几个瓶颈.对此,设计了一种基于相变合金Ga3Sb8Te1的新型嵌入式相变存储器,并建立有限元(FEA)热学,结晶动力学和SPICE宏模型.通过瞬态热学和结晶动力学仿真表明,基于Ga3sb8Te1的相变存储器具有更高的热稳定性和可循环擦写次数、更低的复位功耗,更快的置位频率,是一种较为理想的高性能相变存储器.     

电学双稳态聚合物基非挥发存储器及其导电机理研究进展

本文较系统地介绍了电学双稳态聚合物基存储器的基本特性和结构,并对聚合物存储器中高低阻态之间相互转换的物理和化学机制进行了比较全面的综述,从而为进一步研究电学双稳态聚合物基非挥发存储器提出了有益的指导.     

MLU技术开启磁性存储器中实现类NAND存储器可能

<正>磁性随机存储器(MRAM)供应商Crocus Technology声称已开发出一种称之为磁性逻辑单元(Magnetic Logic Unit,MLU)的技术,它可匹配其热辅助磁性转换(TAS)技术,除了储存以外还可用于存储器存取,开启了使用在MRAM中实现类NAND(NAND-like)存储器以及搜寻存储器的可能性。     

柔性阻变存储器材料研究进展

本文简述了阻变存储器的基本结构、工作原理、发展历程和研究现状,归纳总结了柔性阻变存储器的材料体系,包括介质材料、电极材料和基底材料,以及柔性阻变存储器材料体系的总体趋势和最新研究进展;分析了柔性阻变存储器的性能特点,包括存储性能和力学性能。阐述了发展柔性阻变存储器的重要意义与面临的挑战,提出了该领域现在研究中存在的不足和未来需要进一步研究的方向。得出力学性能稳定的高电导可拉伸电极和存储性能稳定的可拉伸介质是柔性阻变存储器材料今后发展的主要方向。     

纵览数码相机存储器件

数码科技的日新月异，加快了数码革命的步伐，各种新品层出不穷，数码相机存储器件也是五花八门，各领风骚。你想知道哪些是主流存储器件，哪些是非主流存储器件……     

嵌入式存储器测试方法研究

本文描述了动态字存储器测试的故障模型并分别分析了其单个单元故障,字内耦合故障．字间耦合故障的测试算法,并综合得到最优的动态字存储器测试算法。通过Verilog HDL语言仿真了一个2k*4*128的故障动态存储器．测试时采用存储器的BIST结构,实验的结果表明该测试方法对所有故障的覆盖率均为100％。     

基于FPGA的SPI Flash配置存储器复用的实现

FPGA是一种基于SRAM技术制造的可编程器件,内部数据具有掉电即失的特点.因此,配置电路是FPGA系统中必不可少的部分.本文提出一种复用FPGA配置存储器的方法:配置存储器既能满足FPGA系统的配置需要,又可以作为通用存储器满足用户存储数据的需求,提高了配置存储器的利用率,使得采集存储系统小型化、集成化成为可能.制定了SPI Flash复用的方案,分析了复用配置存储器的可行性.并且编写基于FPGA的SPI接口控制程序,实现对配置存储器的擦除、读写等操作.利用Modelsim,Chipscope等调试工具验证了控制程序的可靠性.     

电阻开关式非挥发性随机存储器的机理及其材料

在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等优点成为研究的热点.本文简要回顾了电阻式存储器器件的结构、机制、材料以及制备方法,并讨论了电阻式存储器的单极性和双极性电阻开关特性,最后着重介绍了电阻开关特性的块体主导机制和界面主导机制.     

Hf/HfO_2基双极阻变存储器研究

本文制备了纳米级的Hf/Hf O2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构。系统地对其电学特性进行表征,包括forming过程、SET过程和RESET过程。详细研究了该阻变存储器SET电压与RESET电压,高阻态阻值与低阻态阻值间的关联性。该阻变存储器的电学参数与SET过程的电流限制值强相关,因此需要折中优化。利用量子点接触模型对Hf/Hf O2基阻变存储器的开关物理机制进行了分析。     

相变存储器及其发展

相变存储器作为一种新型的基于硫系化合物薄膜的随机存储器,被认为最有可能在不远的将来成为主流的非易失性存储器。本文将对相变存储器的基本概念、原理、发展现状及产业化趋势作以介绍。     

基于DSP的存储器测试系统

介绍了以AD公司推出的高速浮点DSP-TS101为设计平台的存储器测试用图形发生器的原理和实现方法,详细地分析、研究了高速测试存储器的软件、硬件.本测试系统突破了传统测试方法的限制,具有结构紧凑、编程灵活的特点,其测试速度超过了国内存储器测试用图形发生器40MHz的最高速度.     

数字图像存储器及FPGA器件的应用

本文设计并分析了一种数字图像存储器,同时讨论了FPGA器件在存储器中的应用。该设计简单、实用,调试方便,稳定性能好。     

嵌入式存储器自修复方法研究

对嵌入式存储器的故障单元进行测试和修复是提高存储器芯片产量和降低成本的有效方法。研究一种高效的嵌入式存储器自修复的方法,通过实验表明该修复方法具有高修复率等优点,它保证嵌入式存储器不仅可测而且可修复,极大地提高芯片的成品率。