低噪声前置放大电路设计

介绍了一种中、低频低噪声前置放大电路的设计方案.理论分析影响低噪声前置放大电路的因素;采用抑制噪声和直流漂移电路减小噪声干扰;并对设计电路进行测试和分析.以宽带前置放大电路为例,设计了低噪声的前置放大电路.     

交叉偶极阵列声波测井仪模拟通道电路设计

针对交叉偶极阵列声波测井仪高温、强背景噪声的作业环境,采用模拟滤波、低噪声设计和优化的布局布线等技术设计交叉偶极前置模拟通道电路,以实现声波信号接收、波形模式选择、程控增益放大、有源带通滤波等功能.该文详细地阐述了如何抑制高频噪声干扰以及降低电路自身的噪声影响,着重分析和介绍了低噪声前置预放大电路和有源带通滤波器的设计...     

核磁共振测井仪前置放大电路设计

核磁共振回波信号微弱,设计一种低噪声前置放大电路是回波信号提取的关键。给出天线的等效模型,提出天线与前置放大电路接口设计原则,依据采集电路对输入信号信噪比的要求设计并实现一种低噪声前置放大电路。温度、增益、带宽、噪声性能实验结果表明电路各项指标与设计计算相符并达到仪器要求。     

激光干涉仪光电检测电路的设计

依据大气垂直探测仪的设计要求,给出激光干涉信号光电检测电路的实现方法。通过选择合适的探测器,对前置放大级进行噪声分析,设计了低噪声光电转换前置放大电路。利用Multisim对2阶Butterworth低通滤波器进行仿真,验证了所设计的滤波器是可行的。简化设计了整形电路,从而获取脉冲输出信号。     

一种接收前端三级低噪声放大器的设计

针对单片雷达接收机中对低噪声放大器（LNA）的要求,采用CMOS0．18,um工艺设计了一个三级级联的镜像抑制低噪声放大器。通过在低噪声放大器中接入限波滤波器,实现对镜像信号的衰减,从而减小了后端混频器电路的设计难度。在ADS中对设计的放大器仿真,其结果为：最大供电电压为5V情况下,信号频段为3．0～3．2GHz,中频输出为225MHz,功率增益≥31dB,噪声系数（FN）≤O．5dB,1dB点的输入／输出功率分别为-19．5dBm和11．5dBm,对镜像信号的抑制度达22dB。     

红外探测器的低噪声前置放大电路设计

在红外探测器的工程应用中,前置放大电路是影响整个探测系统性能的重要组成部分。本文从制冷型碲镉汞光导红外探测器的工作特性出发,设计了一种恒流偏置的低噪声前置放大电路。对电路的工作原理以及噪声性能进行分析,并进行了电路仿真验证以及低噪声的性能测试。实验结果表明,基于窄带滤波法设计的前置放大电路信噪比达到80 dB,具有60~120 dB的可调增益,可以有效抑制噪声并检测到10-8A量级的微变交流信号,在信号检测方面达到了良好的检测效果。     

光声光谱仪微弱信号检测电路的低噪声设计

光声光谱技术在变电站SF6气体分解产物,医疗诊断等场合的微量气体检测方面有着高灵敏度的特点。根据低噪声电子设计理论,设计了基于光声光谱探测技术的低噪声检测电路;从整个系统的角度出发,通过噪声模型对系统噪声和信噪比进行计算,对电路进行分析并使用集成运算放大器设计前置放大电路和信号调理电路。实验测试结果表明,该检测电路可稳定的将光谱仪的光声信号转换为电信号,电路信噪比高,可靠性高且稳定性高。     

HgCdTe光导探测器的一种恒流偏置低噪声放大电路的设计

在多元光导探测器的工程应用中,串音是影响系统性能的一个重要因素。其中,由公共地线电阻引入的电子学串音可以通过提高偏置电阻来抑制。本文从HgCdTe光导探测器的工作特性出发,设计了等效内阻很高的恒流偏置低噪声前置放大电路。对电路的工作原理和噪声性能进行了分析和讨论,给出了电路的噪声模型,导出了电路的等效输入噪声表达式,并进行了电路实现和低噪声性能测试。     

基于光电倍增管的低噪声前置放大器的设计及其信号处理

利用低噪声前置运算放大器把光电倍增管的输出信号尽可能无噪声的放大。从运放的选择,多级放大电路的设计要点,放大电路的噪声估算,PCB板布局连线和屏蔽等方面,提出了实用化的带宽达10 MHz的电路设计形式,以及注意事项及其信号调理方法。仿真结果显示了所设计电路的信号放大情况,此电路设计形式可以很好的放大并处理光电倍增管的输出信号。     

C波段低噪声放大器的设计

介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5～6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0.8dB,输出P-1≥10dBm,噪声系数NF≤1.0dB,输入驻波比≤1.2:1,输出驻波比≤1.2:1.     

分立元件设计的低噪声前置放大器实用电路

根据级联网络及噪声理论,本文采用分立元件设计了一种低噪声前置放大器实用电路．测试结果表明该电路比目前市场上低噪声运放具有更低的噪声电压,是一种适于低内阻信号源较理想的低噪声前置放大器电路。     

Design of a low-noise preamplifier for nerve cuff electrode recording

This paper discusses certain important issues involved in the design of a nerve signal preamplifier for implantable neuroprostheses. Since the electroneurogram signal measured from cuff electrodes is typically on the order of 1 /spl mu/V, a very low-noise interface is essential. We present the argument for the use of BiCMOS technology in this application and then describe the design and evaluation of a complete preamplifier fabricated in a 0.8-/spl mu/m double-metal double-poly process. The preamplifier has a nominal voltage gain of 100, a bandwidth of 15 kHz, and a measured equivalent input-referred noise voltage spectral density of 3.3 nV//spl radic/Hz at 1 kHz. The total input-referred rms noise voltage in a bandwidth 1 Hz-10 kHz is 290 nV, the power consumption is 1.3 mW from /spl plusmn/2.5-V power supplies, and the active area is 0.3 mm/sup 2/.     

一款JFET低噪声前置放大器的设计

在对级联网络及结型场效应管的噪声分析基础上,采用结型场效应管等分立元件设计了一款低噪声前置放大器实用电路。并对其幅频特性、输入阻抗和等效输入噪声进行了测量,结果表明其输入阻抗高达71Mn。等效输入噪声电压为0．7nV／√Hz,是一种适合于较高内阻传感器的较理想的低噪声前置放大器电路。     

A 1.9 GHz low-voltage silicon bipolar receiver front-end forwireless personal communications systems

A 1.9 GHz wireless receiver front-end (low-noise preamplifier and mixer) is described that incorporates monolithic microstrip transformers for significant improvements in performance compared to silicon broadband designs. Reactive feedback and coupling elements are used in place of resistors to lower the front-end noise figure through the reduction of resistor thermal noise, and this also allows both circuits to operate at supply voltages below 2 V. These circuits have been fabricated in a production 0.8 μm BiCMOS process that has a peak npn transistor transit frequency (f_T) of 11 GHz. At a supply voltage of 1.9 V, the measured mixer input third-order intercept point is +2.3 dBm with a 10.9 dB single-sideband noise figure. Power dissipated by the mixer is less than 5 mW. The low-noise amplifier input intercept is -3 dBm with a 2.8 dB noise figure and 9.5 dB gain. Power dissipation of the preamplifier is less than 4 mW, again from a 1.9 V supply     

边积分边读出低噪声红外焦平面读出电路研究

设计了一款低噪声InGaAs焦平面读出电路.提出一种新型相关双采样电路结构,可在边积分边读出模式下有效抑制积分电容(0.15 pF)的KTC噪声.电路经0.5 μn5 V Nwell CMOS工艺流片,测试结果符合设计目标,在高帧频边积分边读出模式下工作状态良好,电路噪声约1.7×10-4V,动态范围大于80 dB.     

微型化2GHz低噪声高选择性放大模组的研制

本文介绍一种将微波低频段分布参数电路与超微细薄膜工艺结合的微型化、低噪声、高选择性的放大模组。对低噪声放大电路、椭圆函数带通滤波电路及后级平衡放大电路的设计完成后,将其制作在76×20×0.5mm^3氧化铝陶瓷基片上。本模组在1.8-2.2GHz范围内,增益Gp≥50dB,噪声系数Nf≤0.9dB,其1dB压缩点输出功率Po≈30dBm,带外抑制≥80dB。     

Low-noise optical receiver for high-speed optical transmission

This paper describes the design of a low-noise optical receiver using Si bipolar transistors for high-speed optical transmission. The conventional common emitter-common collector circuit (CE-CC pair) and Darlingtou circuit (transimpedance amplifiers with parallel feedback) are studied. Optimal CE-CC pair collector-biasing current for attaining minimum noise current with a 400-MHz bandwidth is 2.7 mA, and less than 1.2 mA for the Darlington circuit. It is confirmed that the Darlington circuit is better than the CE-CC pair in signal-to-noise ratio by about 1.5 dB. The low-noise Darlington optical receiver with a Ge-avalanche photodiode has achieved an optical sensitivity of -41 dBm for a 400 Mbit/s RZ pulse with a bit error rate of 10^-10. This is a 2.5-dB improvement in optical sensitivity over that of the conventional CE-CC receiver.