InAlAs／InGaAs高电子迁移率晶体管的可靠性问题

研究了热处理对亚微米晶格匹配和应变的ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ亚微米ＨＥＭＴ的影响。发现直流特性变差。ＩＤＳＳ从２９９ｍＡ／ｍｍ减到１８２ｍＡ／ｍｍ，Ｇｍ从５１３ｍＳ／ｍｍ减至２０９ｍＳ／ｍｍ，还测量出了微波参数的降低。ｆＴ和ｆｍａｘ分别减少超过３０％和２０％，一些证据表明，由于在沟道／缓冲层界面和内部额外陷阱的存在而引起的变化是导致这种参数改变的原因。测量出的欧姆接触电阻率从０．１９Ωｍｍ增加至     

Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管

讨论了采用埋栅结构实现GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti)/InAlAs Schottky势垒系统的实验比较研究,确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构;并进行了以最佳"推栅"温度为重点的器件工艺的深入研究.在此基础上通过实验研制的原理性1.0μm×100μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0.12V,跨导为470mS/mm及截止频率为50GHz的测试结果,优于使用同一外延片制作的D-MHEMT.     

Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管

讨论了采用埋栅结构实现Ga As基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究,确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究.在此基础上通过实验研制的原理性1.0 μm×10 0 μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0 .12 V,跨导为4 70 m S/ m m及截止频率为5 0 GHz的测试结果,优于使用同一外延片制作的D-MHEMT     

微波GaAs／AlGaAs高电子迁移率晶体管

采用国产分子束外延设备及国内外尚未报导的部分工艺,试制出具有微波特性的高电子迁移率品体管,其跨导80～135mS/mm,在4GHz下,最小噪声系数2.49dB,最大功率增益10.2dB。     

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性

利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻RS/RD和栅源正向I-V特性在击穿后能得到恢复。AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因。     

低噪声高电子迁移率晶体管

采用直接描绘电子束刻蚀法制造了用于低噪声极高频(EHF)放大器的亚半微米栅长的高电子迁移率晶体管。调制掺杂的外延结构是用分子束外延法生长的,在10~(12)电子/cm~2的电子浓度时,室温下的霍耳迁移率为8000cm~2/V·sec,液氮温度下为77,600cm~2/V·sec。通过腐蚀通n~+GaAs接触层的凹楷的方法确定了窄达0.28μm的栅长。0.4μm栅长的耗尽型器件的直流跨导超过260mS/mm。对0.37μm栅长的器件,进行了噪声系数和相关增益的测量,在34GHz下,得到了2.7dB的噪声系数和5.9dB的相关增益。还制造了具有240mS/mm跨导的增强型器件,对0.35μm的栅长,在18GHz下,它们的噪声系数为1.5dB,相关增益为10.5dB。这些结果可以和已报导过的最好的0.25μm栅长的GaAsMESFET的噪声系数相匹敌。     

高电子迁移率晶体管放大器

<正> 美国TRW电子系统小组试制了高电子迁移率晶体管放大器,在61GHz下增益为7.5dB。该放大器使用了GaAs-GaAlAs系耗尽型高电子迁移率晶体管。栅长短到0.25μm,低频跨导是325mS/mm,源-栅间输入阻抗是0.20±0.05Ω·mm。制成混合微波IC放大器,在61GHz下获得7.5dB的增益,这个增益中包含电     

InGaAs／InAlAs／InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀

ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构...     

高电子迁移率晶体管器件模型

（Ａｌ．Ｇａ）Ａｓ－ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）具有跨导大、截止频率高、噪声低、开关速度快以及功耗低等特点。是一种比ＭＥＳＦＥＴ优越的新型器件。在器件模拟这一领域，已经发展了一维分析模型、二维数值模型或半数值模型以及针对小尺寸器件的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模型。对部分一维和二维器件模型作了综合介绍和分析。     

高电子迁移率晶体管十年

本文从纵向结构设计的角度,回顾和评述了高电子迁移率晶体管(HEMT)十年来的研究与进展,并展望了未来的发展趋势。     

高电子迁移率晶体管新结构

介绍了通过插入ＩｎＡｓ层到ＩｎＧａＡｓ沟道中，改善了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的性质，合适的ＩｎＡｓ层厚度和准确的插入位置会使在３００Ｋ时此结构的ＨＥＭＴ比普通结构的ＨＥＭＴ的迁移率和电子速度分别提高３０％和１５％。     

高电子迁移率晶体管大规模集成电路

描述了用于大规模集成电路的自对准高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,它是基于选择掺杂 GaAs/AzGaAs 异质结结构。其内部逻辑延迟在77K 时为22ps/门,扇出大约为2,大致比 GaAsMESFET 技术快三倍。成功地研究了 HEMT 1Kb 和4KbSRAM 电路。HEMT 1Kb SRAM 表明地址存取时间在77K 时为0.87ns,功耗为360mW。采用1μm 栅器件和2μm 线宽工艺技术,设计的 HEMT 4Kb SRAM 的特性是地址存取时间为亚毫微秒.     

一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法

采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.     

高电子迁移率晶体管功率放大器的设计

本文基于Ga N基高电子迁移率晶体管设计了一款宽带平衡功率放大器,并重点对平衡功率放大器、宽带匹配、耦合器、偏执电路以及电路的设计仿真做了重点说明,通过对电路进行功率测试分析,本放大器在10W功率性能上具有一定优越性,在30w功率达到了同等水平。     

高电子迁移率晶体管的研究现状

<正> 一、引言随着社会信息量的激增,信息处理系统得到了急速的发展,其主要目标是缩短高速计算系统的计算时间。例如,在从人造卫星送回来的图象信息处理、核反应堆的等离子模拟、全球气象分析以及飞机设计中的空气动力学计算领域中,计算量都非常大,目前采用Si IC的最高速的大型计算机的运算速度是10～30MIPS(MIPS——每秒100万条指令),巨型计算机是100MFLOPS(MFLOPS——每秒100万次浮点运算)。如果以这样的计算速度计算上述应用中的问题,花费时间就相当长,有时甚至用几天到几十天。因此,需要开发处理能力比现在大千倍的(10BFLOPS,BFLOPS——每秒10亿次浮点运算)特高速计算机。     

一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法

采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.