用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准源设计

在对传统带隙基准源基本原理分析的基础上,提出了一种适用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准电路。该电路采用无运放的带隙结构, 避免了运放失调电压对基准源的影响。基于LITEON 1μm HV BiCMOS工艺,Hspice仿真结果表明,该基准源产生1.238V的基准电压,电源抑制比高达60dB,在-40℃-140℃温度范围内,基准电压仅变化3.9mV,温度系数为16.6×10^-6/℃, 完全满足AC/DC变换器对其性能的要求。     

一种高PSR CMOS带隙基准电路设计

为了降低芯片电路功耗,电源电压需要不断的减小,这将导致电源噪声对基准电压产生严重影响。为此针对这一问题进行相关研究,采用SMIC 0.18μm工艺,设计出一种低功耗、低温度系数的高PSR带隙基准电压源。仿真结果表明,该设计带隙基准源的PSR在50 kHz与100 kHz分别为-65.13 dB和-53.85 dB;在2⁶ V电源电压下,工作电流为30μA,温度系数为30.38 ppm/℃,电压调整率为71.47μV/V。该带隙基准适用于在低功耗高PSR性能需求的LDOs电路中应用。     

一种低功耗CMOS带隙基准电压源的实现

运用带隙基准的原理,提出了一种带启动电路的低功耗带隙基准电压源电路。HSPICE仿真结果表明,在25℃3、.3 V下,电路功耗为16.88μW;另外,在-30~125℃范围内,1.9~5.5V下,输出基准电压VREF=1.225±0.0015 V,温度系数为γTC=14.75×10-6/℃,电源电压抑制比(PSRR)为86 dB。该电路采用台积电(TSMC)0.35μm 3.3 V/5 V CMOS工艺制造。测试结果显示,电路功耗仅为16.98μW。     

基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计

设计了一种带温度补偿的无运放低压带隙基准电路。提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术,通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路,基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿。在0.5μmCMOS N阱工艺条件下,采用spectre进行模拟验证。仿真结果表明,在3.3V条件下,在-20～100℃范围内,带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为35.6ppm/℃和37.8ppm/℃,直流时的电源抑制比为-68dB,基准源电路的供电电压范围为2.2～4.5V。     

一种高输入电压高PSRR的带隙基准电路设计

在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源,为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5～65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片,如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的V_GS确定。因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本。在CSMC 0.25μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000 091%,输入电压在5～65 V范围内基准变化小于1μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10^-5/℃。     

5V／10W DC—DC变换器

用3端DC－DCPWM开关TOP414G构成的SV10W隔离的DC－DC变换器示于图1。此变换器具有宽输入范围（36～72VDC输入）,输出5V2．0A。图1中的TOP414G是PowerIntegrations公司一款3端DC－DCPWM开关,它具有DC－DC变换器所需的所有功能。它含有：带控制导通栅极驱动器的高压N沟道功率MOSFET,带集成120kHz振荡器的电压模式PWM控制器,高电压启动偏置电路,带隙分支基准,环路补偿的偏置并联调节器／误差放大器和失效保护电路（见图2）。在图1的变换器电路中最大元件高度是12mm。EFD－20变压器铁芯的选择适合这个最大元件高度…     

一种低温漂带隙基准电压源设计

文中设计了一种适用于DC—DC转换器的带隙基准电压源,在0.18μm的SIMC工艺下,采用Cadence Spectre对电路进行仿真分析。结果表明,在5 V的电源电压下,基准输出电压为1.214 V,在-40~+85℃范围内,基准电压的温度系数为2.46×10-6/℃。     

一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能CMOS带隙电压基准源电路,其输出电压为0.20～1.25V,温度系数为2.5×10-5/K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器.采用Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真,用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为645μm×196μm.     

基于PFM控制Boost型DC-DC变换器的带隙基准源

基于带隙基准源的基本原理,设计一种应用于PFM控制升压型DC-DC转换芯片的高精度、低功耗、低电压带隙基准电压源,包含带隙基准主电路和输出偏置电压电路。采用韩国Dongbu 0.35μm BCD工艺进行仿真分析并且流片成功。经过理论分析和仿真模拟,结果表明在-50~125℃条件下,当Vin=3.65 V,温度系数为33×10-6/℃,低频环路增益为30 dB,增益带宽(GBW)为20 kHz,相位裕度为88°,低频下电源抑制比(PSRR)为-90 dB,电源电压在3~5 V变化时,基准输出变化了0.37 mV/V。带隙基准电压源结构简单、电压稳定性好,实测数据符合芯片系统要求,并已用于实际产品的批量生产。     

一种2 V, 9 μA, 15 × 10-6/℃高电源抑制CMOS带隙电压基准源

通过分析带隙电压基准源的PSR,发现运放的PSR为1时,基准电压将具有很高的PSR。基于该思想,在带隙电压基准源中引入PSR提高电路,实现一种低功耗、低温度系数、高电源抑制能力的带隙电压基准源。该带隙电压基准源采用TSMC0．6μm、两层POLY、两层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0．0528mm^2。测试结果表明：其最大工作电流为9μA;在2～5V工作电压下温度系数为15×10^-8／℃;线调整率为50μV／V;100kHz的PSR为-70dB。仿真与测试结果验证了该方法的有效性。     

一种应用于DC/DC转换器的自举电路设计

设计了一种适用于DC/DC转换器的自举升压电路.采用该电路可将功率PMOS管替换为NMOS管.在相同尺寸条件下,NMOS管具有较小的导通电阻,从而提高DC/DC转换器的效率.电路基于华宏NEC的0.35 μm BCD工艺,利用Cadence中的Spectre进行了验证.并给出了该自举电路的设计思想、电路的工作原理,以及自举电容最小值的计算.当电源电压降至1.4 V,电路仍能保持正常工作.当自举电容为10 nF,电源电压为5 V,工作频率可高达2 MHz.     

Zero-voltage DC/DC converter with asymmetric pulse-width modulation for DC micro-grid system

This paper presents a zero-voltage switching DC/DC converter for DC micro-grid system applications. The proposed circuit includes three half-bridge circuit cells connected in primary-series and secondary-parallel in order to lessen the voltage rating of power switches and current rating of rectifier diodes. Thus, low voltage stress of power MOSFETs can be adopted for high-voltage input applications with high switching frequency operation. In order to achieve low switching losses and high circuit efficiency, asymmetric pulse-width modulation is used to turn on power switches at zero voltage. Flying capacitors are used between each circuit cell to automatically balance input split voltages. Therefore, the voltage stress of each power switch is limited at V_in/3. Finally, a prototype is constructed and experiments are provided to demonstrate the circuit performance.     

小型化直流电源发展动态

随着电子整机向小型化、轻量化方向的发展，对整机所用的直流稳压电源也提出了小型化的要求。本文叙述了国外ＤＣ／ＤＣ变换器的研究与开发情况，介绍了国内发展集成化直流稳压电源的现状，分析了国内市场对ＤＣ／ＤＣ变换器的需求。对国内外在该领域的技术水平进行了比较，提出了发展我国小型化直流电源的对策。     

一种电流模式DC/DC降压型PWM控制器的设计

设计出一种PWM电流控制模式的降压型DC/DC变换器控制IC.该芯片采用0.6μm BCD工艺制程,芯片内部集成了耐压的DMOS功率开关管.芯片具有很宽的输入范围(6～23 V),宽输出范围1.22～21 V,工作温度范围为-40～85℃;具有可编程软启动、欠压保护、热关断等功能.这款芯片只需少量的外部元件即可实现3A的降压型的DC/DC变换,可用于分布式电源系统、电池充电器及线性稳压电源的预调节等.     

浅谈DC/DC变换器控制新方法

文中针对DC/DC变换器的特点,在现有控制和建模方法的基础之上,对DC/DC变换器的现代控制方法进行了归纳和总结,简要讨论了其控制原理,并比较了各种现代控制方法的优缺点,最后对DC/DC变换器控制方法的发展作了一定的展望。     

混合集成DC/DC变换器模块设计

介绍了一款基于混合集成技术的DC/DC变换器模块设计方案。模块采用单端正激变换器技术,裸芯片组装,金属全密封封装,平行封焊工艺,计算机辅助设计制作而成,保证了产品的高可靠性。它具有体积小、重量轻、可靠性高、工作温度范围宽、耐冲击等优点。     

一种新型高电压ZVZCS三电平DC/DC变换器的研究

介绍一种适用于高电压场合的新型ZVZCS三电平DC／DC变换器，详细分析了电路的工作原理。设计实例和仿真结果验证了理论分析的正确性。     

DC／DC在接口电路与放大器电路中的应用

本文主要是以微功率DC／DC应用在RS485／2．32接口电路及模拟电路（以运放为例）中普遍碰到的问题、应注意的事项以及其解决的方法。     

开关电容DC—DC变换器的设计方法

在对开关电容ＤＣ－ＤＣ变换器进行稳态分析的基础上,研究了面向设计的几个关键技术问题,提出了开关电容ＤＣ－ＤＣ变换器的设计方法,并通过了实验和仿真的手段加以验证。     

高稳定性Buck型DC/DC变换器设计

提出了一种基于模拟反馈的高稳定性Buck型DC/DC变换器的结构,使得电路在输入电压和负载变化时,具有输出电压稳定,波动范围和纹波小的特点.根据基于UMC 0.18μm工艺下的模型参数,使用Hspice对整个变换器进行仿真,给出了仿真结果表明电路设计的正确性.