理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性

半桥、全桥和LLC的电源系统以及电机控制系统的主功率MOSFET、同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管,其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。功率MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比,其反向恢复速度要低很多,反向恢复电荷也要大很多,因此反向恢复的特性较差。这样,导致二极管的开关损耗增加,降低系统的效率,同时,也会产生较高的振铃,影响功率MOSFET的安全工作。功率MOSFET数据表中,通常给出了一定条件下的Qrr和反向恢复的时间,并没有给出和实际应用相关     

沟槽型MOSFET的发展

在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点：可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSOMOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。     

飞兆半导体采用1OOVBOOSTPAK解决方案降低LED应用系统成本

飞兆半导体通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视／显示器背光、LED照明和DC—DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。     

防止MOSFET驱动器与电池反接

防止MOSFET电源开关驱动器反向连接非常重要。利用整流二极管可以避免电池反向连接。然而,当对电池寿命要求较高时,通常不采用二极管。对一个6V电池,二极管的正向电压(典型值为0.6~0.7V)产生约10%的损耗,且该损耗随电池电压的降低而增加。在图1所提供的方案中,用一个P沟道MOSFET(Q1)代替二极管。Q1的导通电阻低于10mW,其正向电压降为几个mV,而二极管压降为几百mV。功耗等于负载电流乘以正向压降,因此,用MOSFET代替二极管可以提高效率。电池正极接Q1漏极,在Q1体内二极管产生正向压降,钳位源极二极管电压低于漏极电压。当源极电压…     

元器件与组件

MLP封装的ULTRAFET器件；无卤素树脂二极管；针对CPU稳压器的集成驱动器MOSFET;用于照明系统的MOSFET；采用WL-CSP封装的功率MOSFET。     

性能优于肖特基二极管的极性保护器

图1所示的极性保护电路是一种高性能电路,可替代普通的串联二极管(常常是肖特基二极管).这一电路引起的电压降比性能最好的肖特基二极管还要小很多.该电路之所以使用MOSFET,是因为MOSFET的导通电阻很小.本设计所用的两只MOSFET,其导通电阻加起来才0.013Ω,在使用10A负载的情况下,其电压降在25℃下为0.13V.     

NexFET:一种高可靠与高性能的低压功率DMOSFET

本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET——TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合。基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数(Ron*Qg)改善两倍。一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿。     

NexFET：一种高可靠与高性能的低压功率DHOSFET

本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET——TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合。基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数（Ron＊Qg）改善两倍。一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿。     

一种积累型槽栅超势垒二极管

提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23 V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。     

一种新型软开关BUCK变换器

根据传统硬开关电源引起的不良影响,提出了一种新型软开关BUCK变换器,使得高低桥MOSFET管都能在不管是轻负载或者重负载情况下达到ZVS状态.在连续导电模式（CCM）和高负载电流情况下,上桥MOSFET管开通,下桥MOSFET管侧的二极管在死区时间内导电,这样就造成了上桥MOSFET管的开关损耗.新型软开关BUCK变换器在传统BUCK变换器的基础上加入了电感和电容,在外加电感电容的情况下,在CCM下的死区时间内的电感电流可以有效地从下桥二极管整流到上桥二极管中.根据仿真结果和工作模式分析验证其性能.     

SiC779CD：集成DrMOS解决方案

Vishay Intertechnology推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案SIC779CD。     

SiC MOSFET特性分析及应用

碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。     

高效集成DrMOS解决方案

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案——SiC779CD。     

同步整流功率MOSFET特性及研究现状

为了降低开关电源的功率损耗,同步整流技术采用功率MOSFET替代肖特基二极管,实现了更高的整流效率。简要介绍了同步整流技术的原理,并结合原理,深入分析了应用于同步整流的功率MOSFET与常规功率MOSFET在电学特性上的差异。总结了近年来同步整流功率MOSFET领域的研究进展。     

Zetex新型整流器控制器优化反激式转换器设计

Zetex Semiconductors（捷特科）推出一款驱动MOSFET的专用整流器控制器,从而使50至150W的同步反激式转换器成为完美的二极管。ZXGD3101可使设计人员以表面贴装MOSFET取代有损耗的肖特基二极管,以实现更高的效率、更少的发热量,缩小电源尺寸和重量,同时简化整体电路设计。     

功率MOSFET的特性分析及应用

本文介绍了功率MOSFET的结构特点;着重分析了功率MOSFET的开关特性、驱动要求、(dv)/(dt)特性、功率损耗及其保护。同时对国内外应用功率MOSFET研制的高频开关电源的电路及指标进行了介绍。另外,还讨论了功率MOSFET的另一种应用,即用功率MOSFET代替肖特基二极管作低压同步整流器。     

罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象

正罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。     

元器件与组件

用于保护高速电信设备和数据通信设备的浪涌抑制器件,用于长脉冲调制雷达的大功率UHF晶体管,整合肖特基二极管的单片MOSFET,提高并联服务器电源能效的MOSFET     

SiC和GaN电力电子器件的研究进展

与传统的Si基器件相比,SiC和GaN器件具有工作温度高、击穿电压高、开关速度快等优势,因此SiC和GaN材料是制备电力电子器件的理想材料。总结了近年来SiC和GaN电力电子器件的研究进展,包括二极管,MOSFET,JFET和BJT结构的SiC器件,以及SBD,PN结二极管,HEMT和MOSFET结构的GaN器件。     

元器件与组件

ESD保护二极管和肖特基二极管，优化汽车应用的低压MOSFET，4通道LVDS缓冲器／中继器，小型高电流负载开关系列，新系列家电AC开关