锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响

以SnCl4.5H2O和SbCl3为主要原料,采用sol-gel法制备了锑掺杂二氧化锡（ATO）纳米粉体。分别利用FESEM、XRD、FT-IR、XPS及四探针电阻仪对粉体形貌、晶体结构、元素组成和粉末电阻进行表征,考察Sb掺杂量对ATO粒子晶体结构、晶粒尺寸和导电性能的影响。结果表明所制备的ATO为（110）面择优取向的四方相锡石结构的纳米颗粒,当Sb掺杂量为15%（摩尔分数）时,ATO具有最小的粉末电阻率（12.85Ω.cm）。当Sb掺杂量≤28%时可得到完全掺杂的ATO,ATO的导电性与其中的Sb5＋离子浓度有关,而且Sb含量在28%以下可能存在一个阈值,有利于固溶在SnO2晶格中的Sb形成Sb5＋,使载流子浓度达到最大,因而表现出最佳的导电性能。     

第二组元掺杂对ATO纳米粉体电学和光学性能的影响

以醇盐水解法制备掺杂第二组元金属氧化物的ATO纳米粉末,通过高速剪切、超声波方法制备分散均匀的ATO浆料,用该浆料以匀胶法在玻璃片上镀膜.对粉末用XRD、TEM、SEM进行了检测.粉末电阻率用数字式微欧表测量,以多功能光谱仪测定不同波长下的薄膜的透射率.结果表明,Cr2O3增大ATO纳米粉末晶粒尺寸,对ATO粉体电阻率急剧增加,搀杂ZnO增加ATO纳米粉末晶粒尺寸,但降低ATO粉末的电阻率,搀杂Fe2O3能大大减少ATO纳米粉末晶粒长大,当Fe2O3搀杂量超过一定值时使电阻率急剧上升,3种氧化物均降低ATO薄膜的透射率,其程度为Cr2O3＞Fe2O3＞ZnO.     

烧结助剂Co2O3对Ce0．8Gd0．2O1.9性能的影响

采用传统固相反应法制备陶瓷试样,借助EIS、XRD及SEM等技术手段研究了烧结助剂Co2O3对Ce.8Gd0.2O1.9(CGO)的体密度、导电性能、相组成及微观结构的影响.结果表明,当CGO中添加2.5%(质量分数)Co2O3时,可使CGO试样的烧结温度降低200℃.添加0.75%(质量分数)Co2O3时,试样的晶粒电导率明显增大,晶界电导率下降,添加量为1.0%～2.5%(质量分数)时,晶粒电导率趋于不变,晶界电导率稍微有所增加.XRD图谱表明,试样在1100～1200℃烧结时表现为CGO纯相,在1300～1400℃的较高温度烧结时,为CGO相及少量的Ce24Co11相.     

纳米ATO在有机单体介质中的表面改性及分散研究

选用了多种改性剂,用超声波为分散手段,将纳米ATO粉体在有机单体介质中进行表面改性和分散,研究了改性剂种类、改性剂用量、改性时间、超声波输出功率和超声波处理时间等对纳米ATO-单体分散液稳定性的影响,探讨了纳米ATO表面改性机理.结果表明,硅烷偶联剂KH-570是纳米ATO的最佳改性剂,当其用量为纳米ATO的15%(质量分数),改性时间为24h,超声波输出功率为90%,超声波处理时间为12min时,纳米ATO-单体分散液具有最佳的分散稳定性.KH-570主要通过在纳米ATO表面水解产生硅羟基的自缩合,形成包覆改性.     

ATO导电功能薄膜的制备及在激光有机光导器件中的应用

以四氯化锡和三氯化锑制备纳米ATO粒子,再将其分散到热固型绝缘树脂中得到导电浆料,涂布在铝基上经干燥后得到具有一定电阻率的功能薄膜,在此薄膜表面依次涂布预涂层、载流子产生层和传输层,可获得带电能力高、暗衰减率小、残余电位低、光敏性优良的激光OPC器件。考察了纳米ATO粒子含量对薄膜电阻率、表面带电能力以及OPC器件性能的影响。结果表明ATO固含量在60%~70%、膜厚为12~14μm时,薄膜的电阻率为107~109Ω·cm,机械性能和耐环境性能优异。以此为基体制备的最优OPC器件V0=795.95 V,Vr=37.01V,DDR=26.27V/s,E1/2=7.69cm2/μJ。     

ATO透明涂料的隔热性能研究

氧化锡锑（ATO）具有良好的可见光透过性并能有效阻隔红外线,是一种比较理想的透明隔热材料,本文以SnCl4和 SbCl3为原料,氨水为沉淀剂,采用化学共沉淀法制备出纳米ATO粉体,再制成透明隔热涂料,用旋涂法将ATO隔热涂料涂在黑色底漆的薄铁基板上,测试其隔热效果。ATO隔热涂层可使基板的温度下降21.3℃。     

Sb掺杂SnO2（ATO）的制备及表面电荷对粉体导电性影响

以Na2SnO3.5H2O和Sb2O3为锡锑源,HNO3为沉淀剂,采用共沉淀法制备了结晶性良好,颗粒尺寸为7～10nm的Sb掺杂SnO2(ATO)纳米颗粒。借助XRD、TEM、EDS、粉体电阻率测试仪、zeta电位测试仪等研究了合成体系pH值、洗涤方式、表面活性剂、煅烧温度等因素对ATO性能的影响。结果表明,体系pH值对粉体颗粒尺寸和电导率影响显著。优选条件下,控制合成体系pH值为3,并经800℃煅烧所得ATO的晶粒尺寸约为8nm,电阻率为0.444Ω·cm。     

分散助剂对丙烯酸基电磁屏蔽导电涂料性能的影响

在丙烯酸基复合型电磁屏蔽导电涂料中引入了几种分散助剂，并且采用了相应的分散工艺，致使填料分散性、电磁屏蔽效能和导电性能都有较大改善，而且获得了涂膜质量较好的复合型电磁屏蔽导电涂料。     

醇盐直接煅烧法制备ATO纳米粉体的研究

将SnCl2·2H2O和SbCl3分别溶解在无水乙醇中,再将SbCl3乙醇溶液分散到SnCl2乙醇溶液中,蒸干后得到醇盐粉体,然后通过直接煅烧醇盐的方法制备了纳米级ATO粉体,运用XRD、DSC等手段对制得的ATO粉体进行了表征,考察了Sb掺杂量对所得纳米粉体导电性能的影响,研究发现,当锑在ATO粉体中的摩尔比为6%时,电阻率最小为11.42Ω·cm;当掺杂量为15%时,制得的粉体粒径主要分布在50nm-100nm范围内。     

高电导有机金属聚合物的制备及性能研究

利用ＴＴＦＴＴ为矫合成一系列的有机金属聚合物（ＭＴＴＦＴＴ＾２－）ａ（Ｍ＝Ｎｉ,Ｃｕ,Ｆｅ）研究了它们的电性质,结果表明,在室温下,它们的电导出现在１０＾０５－０．０４Ω＾－１．ｃｍ＾－１范围内。（ＴＥＡＸＮｉＴＴＦＴＴ）ｎ是室温下聚合物中导电最高的,我们测定了它的电阻对温度的依赖关系,呈半导性质,同时对该样品还采用了ＶＳＣ的测量方法,结果表明该聚合物的电阻对温度的依赖关系在２８３～１５０Ｋ区间内     

环氧树脂/纳米ATO复合材料的性能研究

将纳米ATO添加到环氧树脂中,采用超声波分散制备环氧树脂/纳米ATO复合材料,对复合材料的导电性能及物理机械性能进行了测试,并采用扫描电镜对复合材料的断裂形貌进行了分析.实验结果表明:复合材料的电阻率随着ATO含量的增加而减小,当ATO%=8%时,电阻率达到了105Ω·cm;随着纳米碳纤维的加入量的增加,复合材料的拉伸强度呈现一个先增加后减小的趋势,当ATO的质量分数为5%时,复合材料的力学性能最佳.     

粉末粒度对低膨胀高导热高导电材料导电性能的影响

用粉末冶金方法制备了用作半导体基片的低膨胀，高导热，高导电复合材料，研究了粉末粒度对材料电阻率的影响，发现实验测得的电阻率比理论值大得多，这主要是由于不同相之间原子相互扩散的结果，而粉末粒度则通过影响不同相之间的扩散以及相的不同分布状态影响材料的导电性能。     

烧结助剂CuO对Ce0.8Gd0.2O1.9性能影响的研究

采用传统的固相反应法制备了CGO(Ce0.8Gd0.2O1.9)固体电解质,研究了CuO烧结助剂对CGO的体密度、相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明,加入CuO的样品的体密度随烧结温度的升高而增大,1300℃烧结的样品致密化程度最高,当烧结温度为1350℃时,样品有过烧现象。与纯的CGO相比,CuO的加入使样品的烧结温度降低了将近300℃,而且经高温烧结后仍为立方萤石结构,无新相生成。CGO交流阻抗谱与电导率分析表明,当CuO的掺杂量为1%(摩尔分数),烧结温度为1300℃时电导率最高,所以CuO作为烧结助剂不仅降低了烧结温度,使晶粒尺寸减小,同时还提高了电导率,因而CuO是很好的烧结助剂。     

烧结助剂对Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3固态电解质导电性能的影响

采用溶胶凝胶法制备了Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3(LATP)固态电解质,研究了不同烧结助剂对LATP固态电解质离子电导率的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学阻抗谱(EIS)等方法探究了样品的晶体结构、形貌特征以及离子导电性能.研究结果表明,虽然添加烧结助剂会产生少量二次相,仍...     

共沉淀法制备ATO纳米粉末及其光吸收性能

以SnCl4.5H2O和SbCl3为主要原料,采用共沉淀法制备ATO纳米粉末,用DSC-TG、XRD、FESEM、反射率测试等方法对制得的ATO粉末的形貌、微观结构和激光吸收性能等进行表征。研究结果表明:324℃附近有一个结晶放热峰,说明样品开始发生晶化;XRD分析表明ATO为SnO2四方金红石结构,煅烧温度提高到800℃以后,结晶趋于完善;合成的ATO粉末为不规则球形,初始粒径约为30nm;由于锑的掺杂引起的非化学计量缺陷产生了大量载流子,产生等离子激元效应,并且随着纳米尺寸的减小,纳米晶比表面积增大,因此造成红外吸收峰宽化。     

绿色包装材料助剂的发展前景

采用无机与无机助剂、有机与有机助剂或有机与无机助剂进行协同作用 ,在包装材料的制造中已成为一大潮流。为使我国的包装产品不断更新换代 ,在竞争中立于不败之地 ,根据多年的积累和实践以及用户的信息反馈 ,经筛选、提炼 ,粗略地谈谈部分包装材料助剂的应用。1　无机材料的开发应用1)　价廉色白、加工性能好的碳酸钙 ,属极性活性物质 ,在有机助剂的协同下 ,几乎可以满足造纸、塑料等行业的性能要求 ,作为填充、催干、增强剂 ,是价格最低的品种。2 )　常与碳酸钙协同作用的滑石粉 (单斜晶系 ) ,能提高造纸纸浆的留存率、塑料制品的刚性和耐…     

助剂对水性UV光油性能的影响

改变助剂种类和用量制备水性UV光油,在铜版纸上涂布具有一定厚度的膜层测试其光泽度;在胶印墨膜和水性凹印墨膜上涂布,测试光油与墨膜的润湿接触角大小。探讨助剂种类和用量对水性UV光油流平性和基材润湿性的影响。结果表明,助剂种类和用量均对光油性能有较大的影响,选择适合体系的助剂种类和用量,可以提高光油的流平性和基材润湿性。     

纳米ATO的制备及应用进展

目的 总结纳米ATO的制备方法以及应用等最新研究进展.方法 分别从液相法、固相法、气相法等三大类对纳米ATO的制备方法优缺点进行阐述总结,并结合ATO的透光和隔热特点对其应用现状进行详细描述.结果 液相法所制备的纳米ATO纯度高、均匀性好,是目前制备纳米ATO最常用的方法,并在特种包装以及隔热薄膜和涂层等领域具有重要应用.结论 化学接枝和结构改性能改善纳米ATO粒子在聚合物材料中的分散,可以进一步改善和拓宽纳米ATO的应用范围,这也是未来纳米ATO研究的重要发展方向之一.     

反应条件对水热法制备纳米ATO粉体形貌和电性能的影响

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用水热法制备出了纳米级锑掺杂二氧化锡(ATO)导电微粉,运用XRD和TEM等测试手段对粉体进行了表征,比较系统地研究了掺杂量,共沉淀温度,溶液pH值,水热时间、温度和表面活性剂对粉体粒度、形貌和电性能的影响规律.研究表明,合成的ATO粉体分散性较好、导电性能优异,粒径在10nm左右,具有金红石型结构.在ATO纳米导电粉的制备过程中,前驱体制备温度对其性能有很大影响,当共沉淀温度在40-50℃时制得的粉体导电性能最佳.水热条件对粉体的形貌、粒度和导电性也有较大的影响,在200℃,4h,pH=2～4条件下可以制得导电性能良好的ATO粉体,所添加的表面活性剂可以改善粉体的粒径和分散性能,但对粉体的导电性影响极小.掺入Sb3 的量对载流子的迁移率有很大的影响,在掺杂浓度为4～5%左右可制得导电性极佳的纳米ATO粉体.