基于全溶液法制备的SnO2/1D-CsAg2I3异质结的高灵敏自驱动可见光盲紫外探测器(英文)

低维非铅金属卤化物材料因其优异的光电特性在可见光盲紫外探测领域具有很大的潜力.本文通过吡啶添加剂辅助一步溶液法成功制备了高质量类钙钛矿CsAg₂I₃薄膜,该薄膜展示出p型及202 meV低激子结合能(E_b).其E_b甚至和2D铅卤钙钛矿相当,有利于光生载流子分离.此外,探索了基于type-Ⅱ型n-p异质结SnO₂/CsAg₂I₃的自驱动紫外探测器,其中4.13 eV宽带隙、0.214 eV低Urbach能量的SnO₂的引入抑制了持续光电导效应.所制备的探测器件具有高灵敏特性及在可见光盲紫外探测器中超快的响应时间(47/74μs),大致快于当前CsAg₂I₃探测器数值的两个数量级.其响应度和探测率分别高达0.032 A W^-1和1.2×10¹¹Jones.此外,异质结>90%高可见光透光性展现出优越的可见光盲特性.这种优异的...     

Au修饰SnO2复合纳米材料的制备和气敏性能

以氯金酸和乙酰丙酮氯化锡为主要材料,通过一步水热法制备了SnO₂和Au修饰的SnO₂（Au/SnO₂）纳米粒子.使用TEM、EDS、XRD和XPS等手段对样品的形貌、组成及结构进行表征,研究了两种材料对乙醇的气敏性能.结果表明,两种纳米颗粒的尺寸都比较均一,平均直径约为9-12 nm;SnO₂为四方金红石结构,Au为面心立方结构;在Au/SnO₂样品中,Au与SnO₂的重量比为2.6%,Au元素主要以Au⁰的价态存在并含有少量的Au³⁺价态;与纯SnO₂纳米粒子相比,Au修饰可显著提高气敏元件对乙醇响应的灵敏度和选择性。     

不同形貌MoS2的制备及对NH3气敏性能的研究

氨气污染是空气污染的重要因素之一, 且氨气容易诱发急性水肿和呼吸衰竭等疾病, 严重危害人体健康。开发高性能氨气传感器已经成为氨气实时监测和安全预警的重要手段。本工作采用水热法制备了纳米花状、纳米球状和纳米片状三种不同形貌的二硫化钼, 以此构建了三种MoS₂氨气传感器, 并利用自主搭建的气敏检测平台进行气敏性能研究。气敏实验结果表明: 在三种不同形貌的MoS₂氨气传感器中, 纳米花状MoS₂传感器对于氨气具有更好的响应性能, 对于10×10^-6 NH₃的响应值为7.41%, 而相同氨气浓度条件下的纳米片状和纳米球状MoS₂传感器的响应值分别为2.01%和5.11%。此外, 纳米花状MoS₂传感器还表现出优异的可重复性、稳定性和选择性。纳米花状MoS₂传感器具有优越的响应性能, 主要因为其具有较大的比表面积, 可为NH₃的吸附提供更多的活性位点。本研究为采用MoS₂作为基底材料制备高性能的NH₃传感器提供了新思路。     

同轴异质In2O3/SnO2复合纤维的构筑及其甲醛敏感性能

两种半导体材料合成的复合材料由于电子亲合能和带隙宽度差形成了同型异质或异型异质结,利用异质结界面形成的费米能级效应可以提高界面载流子迁移率,从而有效改善气体传感器的气敏性能。本文采用自行设计开发的多层同轴静电纺丝装置,构筑了同轴异质复合纳米纤维In₂O₃/SnO₂。所构筑的同轴异质复合纤维In₂O₃/SnO₂外层较大的In₂O₃纳米颗粒附着在内层较小SnO₂纳米颗粒表面,形成中空的分级纤维结构。同轴异质复合纤维In₂O₃/SnO₂中由于存在大量的N-N同型异质结界面,电子迁移率增强,表面活性增强,吸附氧含量增加,对甲醛表现出良好的气敏性能。在250℃环境下,同轴复合纤维In₂O₃/SnO₂气敏元件对50×10^-6的甲醛响应为14.12,分别...     

3D花状MoS2/O-g-C3N4 Z型异质结增强光催化剂降解双酚A

光催化降解是一种很有应用前景的污染物处理方法。采用溶剂热法制备了3D/2D二硫化钼负载氧掺杂石墨相氮化碳(MoS₂/O-g-C₃N₄)复合材料,通过XRD、XPS、SEM、TEM、FTIR和PL等表征了MoS₂与O-g-C₃N₄之间Z型异质结的成功构建。在模拟太阳光下,当MoS₂的负载量为0.2%时,MoS₂/O-g-C₃N₄的光催化活性最高,双酚A (BPA)的降解率为92.6%,是纯g-C₃N₄的7倍。此外,MoS₂和O-g-C₃N₄之间界面的紧密接触和相互的协同效应,显著增强了光催化反应活性位点和可见光吸收能力,有效提高了光生载流子的分离。根据液相质谱联用仪(LC-MS)和自由基捕获实验,提出了0.2%MoS₂/O-g-C_3...     

构建具有微妙的原子级紧密接触的ZnIn2S4/Sv-MoS2光催化剂:增强界面相互作用以改善可见光下的光催化产氢性能(英文)

催化剂与助催化剂之间的低电荷分离效率严重限制了光催化性能.催化剂与助催化剂之间的强界面相互作用可以提高电荷分离效率.通过引入界面化学键增强组分间的界面相互作用是提高光催化性能的有效手段之一.本文合成了ZnIn₂S₄ (ZIS)/Sv-MoS₂光催化剂,ZIS中的S原子与Sv-MoS₂中未配位Mo原子之间的键合作用形成了界面Mo-S键,这极大地提高了ZIS的光催化活性.采用不同的NaBH₄蚀刻时间制备了MoS₂-xh.优化后的ZIS/MoS_2-4h复合材料的产氢速率为7.6 mmol g^-1 h^-1,是原ZIS (1.6 mmol g^-1 h^-1)的4.75倍,是ZIS/MoS₂(3.7 mmol g-1 h^-1)的2.05倍.非凡的光催化活性可归因于光生电子在Mo-S键的作用下更容易从ZIS转移到MoS<...     

原位集成光浮栅的多层SnS2/少层MoS2异质结用于高性能光电探测器与光学成像(英文)

自单层MoS₂光电晶体管问世以来,二维层状材料一直被认为是实现下一代新型光电器件与系统的最引人瞩目的候选材料之一.然而,大多数报道的二维层状材料光电探测器都存在一定的缺点,如响应率低、暗电流大、比探测率低、开关比低、响应速率慢等.在本研究中,通过堆叠由大气压化学气相沉积技术所生长的MoS₂和SnS₂纳米片,制备出了多层SnS₂/少层MoS₂范德华异质结.相应的SnS₂/MoS₂异质结光电探测器展示出了具有竞争力的综合性能:大开关比(171)、高响应率(28.3 A W^-1),以及出色的比探测率(1.2×10¹³ Jones).此外,该器件还实现了响应/恢复时间低至1.38 ms/600μs的超快响应速率.其优异的性能与SnS₂/MoS₂异质结的Ⅱ型能带排列以及原位形成的无缝光浮栅的协同作用相关,这有助于分离光激发的电子-空穴对,并延长非平衡载流子的...     

一维Pt/SnO2纳米纤维的制备及NOx气敏性研究

为了制备出室温条件下对NO_x气体具有更高灵敏度和更快响应的传感器纳米材料并研究其气敏性能, 本研究通过高压静电纺丝法制备出一维Pt/SnO₂中空纳米纤维。采用XRD、SEM、TEM等表征手段对其结构和形貌进行研究, 同时进行了NO_x的气敏性能测试并予以探讨。研究结果表明: Pt/SnO₂纳米材料是一维中空管状及类似管状结构; 当Pt掺杂量为0.3wt%、NO_x浓度为9.7×10^-5 (V/V)时, NOx响应最快为11.33 s, 灵敏度最高可达109.6%; 当Pt掺杂量为0.5wt%时, 对NO_x检测限最低浓度可达2.91×10^-6 (V/V)。     

MoS2/Sb2S3复合光催化剂的制备及其可见光催化性能

通过一步水热法制备出MoS₂/Sb₂S₃可见光复合催化剂,采用XRD、SEM、紫外可见漫反射（UV-Vis DRS）和XPS表征手段对MoS₂/Sb₂S₃复合光催化剂进行了表征,以罗丹明B（RhB）作为目标污染物进行降解实验。与纯Sb₂S₃和MoS₂相比,MoS₂/Sb₂S₃复合光催化剂对RhB的光催化降解具有更高的效率,表现出优异的吸附性能和光催化性能。同时在相同的实验条件下,与TiO₂、Bi₂S₃、C₃N₄、Sb₂S₃等催化剂相比,MoS₂/Sb₂S₃复合光催化剂表现出更为优异的光催化性能。此外,探究了MoS₂/Sb₂S₃复合光催化剂光催化降解机制,阐述了光催化反应机制,提供了一种适用于降解较高浓度有机废水的光催化剂制备方法,具有一定的应用价值。      

异质复合结构纳米纤维SnO2/ZnO的制备及其气敏特性研究

采用静电纺丝法制备了多级中空结构的SnO₂纳米纤维, 然后将SnO₂纳米纤维置于90℃乙酸锌溶液中, 恒温水浴条件下, 在SnO₂纳米纤维上生长了ZnO纳米球, 形成了异质结构的SnO₂/ZnO复合纳米纤维。分别通过XRD、SEM、EDX和XPS等表征手段对异质复合纳米纤维SnO₂/ZnO材料的结构、形貌及元素含量进行了表征分析。异质结构的SnO₂/ZnO复合纳米纤维保持了SnO₂纳米纤维多级中空的纤维结构, SnO₂纳米纤维长度约为300 nm, 依附于SnO₂纤维表面的SnO₂纳米颗粒生长的ZnO纳米球直径为250~300 nm。采用静态气体测试系统对异质复合纳米纤维SnO₂/ZnO气敏元件的气敏性能进行了测试。测试结果表明: 异质复合纳米纤维SnO₂/ZnO气敏元件在最佳工作温度350℃下, 对(0.5~100)×10^-6丙酮具有优异的响应灵敏度、较好的选择性和长期稳定性。异质复合纳米纤维SnO₂/ZnO中存在于ZnO纳米球与SnO₂纳米颗粒间的N-N同型异质结导致复合材料晶界势垒高度的降低, 改善了电子与空穴的输运特性, 促使SnO₂/ZnO异质复合纳米纤维的吸附能力大大增强, 从而改善了SnO₂/ZnO元件的丙酮敏感特性。     

一维SnO2的合成及在触点材料中的应用研究进展

SnO₂是O=Sn=O结构，是一种n型、宽带隙(3.6 eV)半导体氧化物，因其独特的的电子、光学和热性能，而引起广泛关注。近年来，研究者制备了1D SnO₂材料，如纳米棒、纳米管、纳米带、纳米线、纳米纤维、纳米晶须等纳米结构。采用热蒸发、溶胶凝胶法、微乳液法、水热法、化学气相沉积、静电纺丝、脉冲激光沉积和光刻等方法合成1D SnO₂纳米结构，已成为介观物理和纳米器件的研究热点。本文对1D SnO₂纳米结构的合成技术和生长机制的相关文献进行了调查，对1D SnO₂形貌在Ag基电接触材料中的应用进行了综述。提出一维完美单晶材料是制备高性能电接触材料的发展方向。     

SnO2/TiO2氧气指示剂的研制及光催化性能研究

通过微波水热法制备了SnO₂/TiO₂纳米复合氧化物，将其作为光催化剂分别制备了氧气指示剂水溶性油墨和醇溶性油墨。结果表明：醇溶性油墨和水溶性油墨在紫外光下照射漂白分别需要30s和3min,暴露于氧气中完全恢复初始颜色分别需要2h和10min。重复10次“紫外光漂白-恢复颜色”过程后，油墨仍然具有对氧气的敏感性。制备的SnO₂/TiO₂氧气指示剂油墨具有对氧气快速响应、颜色变化明显、可循环利用等优势，作为氧气指示剂应用于气调包装中，能很好地检测包装完整性。     

水热法制备Sn掺杂TiO2纳米颗粒及其丙酮传感器应用

二氧化钛因为其优异的灵敏度和物化稳定性,被认为是挥发性有机气体(volatile organic chemicals, VOCs)传感应用的潜在候选者之一。中通过水热法合成(1%～5 mol%)Sn掺杂多孔TiO₂纳米颗粒。通过测试基于Sn掺杂TiO₂纳米颗粒传感器对丙酮的气敏响应,研究其气敏性能,证明了Sn掺杂片状多孔TiO₂纳米颗粒在气体传感器领域的潜在应用前景。例如,气敏测试结果表明:Sn-TiO₂显著降低了工作温度,3 mol%Sn-对丙酮具有高响应(R_s～42.35),快速的响应(16 s),恢复时间(8 s),良好的选择性以及稳定性。通过XRD、XPS、EDS、SEM、TEM等手段对合成的Sn-TiO₂纳米颗粒进行了结构和形貌表征,以了解和验证其传感机理,并在此基础上,讨论了一种合理的传感机制。     

MoS2/ZnO异质结及其在光电探测器中的研究进展

以MoS₂为代表的过渡金属硫族化合物(TMDCs)由于独特的电子结构、优异的半导体特性、可调节的带隙(1.3～1.8eV)、高迁移率和强光-物质相互作用成为发展下一代高性能光电器件的理想候选材料。然而二维材料独特的层间范德华间隙，使得扩散、注入等传统半导体的掺杂手段无法实现均匀稳定的掺杂，进而无法有效调控其相关电子器件的性能。传统的基于三维半导体的p-n结是现代电子器件的基本组成部分，将二维层状MoS₂集成到传统的半导体材料上成了提升器件性能和探索新功能的策略之一。宽禁带半导体ZnO以其优越的光电性能已广泛应用于高效率短波长探测、发光和激光器件以及智能设备上。近年来，MoS₂和ZnO组成异质结结构的研究成了热点，诸多研究报道MoS₂与ZnO组成的异质结结构可以提高光电探测器的光响应率、光谱范围和光响应速度等，展示了良好的性能。本文综述了MoS₂/ZnO异质结结构的多种制备方法，异质结特性和界面物理机制以及在光电探测器中的研究进展。     

MoS2@TiO2/CNFs复合材料活化PMS快速去除有机污染物的研究

MoS₂能否高效激发过硫酸盐(PMS)产生高氧化性的过硫酸根基，很大程度上取决于MoS₂纳米片上活性边缘的数量。将MoS₂纳米片垂直生长在TiO₂基底上，能够充分暴露MoS₂的活性位点。通过静电纺丝、碳化和水热法成功地在TiO₂碳纤维上近垂直生长MoS₂纳米片，得到MoS₂@TiO₂/CNFs复合材料。在光照条件下，MoS₂@TiO₂/CNFs复合材料活化PMS后，对亚甲基蓝(MB)的降解率达到97.1%,比仅使用MoS₂@TiO₂/CNFs的催化体系降解速率提升4倍。连续循环5次后，降解率仍能保持在84.8%。以上结果说明MoS₂@TiO₂/CNFs复合材料具有优异的光催化性能和较高的稳定性。     

MoS2/MoxN异质结构的制备及其电催化析氢性能研究

二硫化钼纳米片(MoS₂)是一种有望取代贵金属材料、非常有前景的电催化析氢材料。MoS₂不足在于导电性较差，析氢反应(HER)能垒较高。为了克服这一缺点，我们引入制备简单、导电性良好的Mo₂N作为基体。通过水热法，将MoS₂纳米片均匀生长在Mo₂N颗粒表面，一方面增加了材料导电性，另一方面MoS₂与Mo₂N形成MoS₂/Mo_xN异质结构有效增强水分子的解吸，从而提高HER性能。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学工作站对MoS₂/Mo_xN进行结构、形貌以及性能的表征。实验结果表明，MoS₂纳米片均匀生长在Mo₂N颗粒表面，形成异质结构，水热12 h所得材料性能最佳。以MoS₂/Mo_xN作为工作电极，碳棒与Ag...     

MoS2/MoxN异质结构的制备及其电催化析氢性能研究

二硫化钼纳米片(MoS₂)是一种有望取代贵金属材料、非常有前景的电催化析氢材料。MoS₂不足在于导电性较差，析氢反应(HER)能垒较高。为了克服这一缺点，我们引入制备简单、导电性良好的Mo₂N作为基体。通过水热法，将MoS₂纳米片均匀生长在Mo₂N颗粒表面，一方面增加了材料导电性，另一方面MoS₂与Mo₂N形成MoS₂/Mo_xN异质结构有效增强水分子的解吸，从而提高HER性能。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学工作站对MoS₂/Mo_xN进行结构、形貌以及性能的表征。实验结果表明，MoS₂纳米片均匀生长在Mo₂N颗粒表面，形成异质结构，水热12 h所得材料性能最佳。以MoS₂/Mo_xN作为工作电极，碳棒与Ag...     

MoS2/MoxN异质结构的制备及其电催化析氢性能研究

二硫化钼纳米片(MoS₂)是一种有望取代贵金属材料、非常有前景的电催化析氢材料。MoS₂不足在于导电性较差，析氢反应(HER)能垒较高。为了克服这一缺点，我们引入制备简单、导电性良好的Mo₂N作为基体。通过水热法，将MoS₂纳米片均匀生长在Mo₂N颗粒表面，一方面增加了材料导电性，另一方面MoS₂与Mo₂N形成MoS₂/Mo_xN异质结构有效增强水分子的解吸，从而提高HER性能。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学工作站对MoS₂/Mo_xN进行结构、形貌以及性能的表征。实验结果表明，MoS₂纳米片均匀生长在Mo₂N颗粒表面，形成异质结构，水热12 h所得材料性能最佳。以MoS₂/Mo_xN作为工作电极，碳棒与Ag...     

原位生长在聚喹唑啉基共轭微孔聚合物表面的MoS2 及其析氢性能

合成一种三环喹唑啉的共轭微孔聚合物(TQ-CMPs)并用水热法使二硫化钼原位生长在其骨架表面,制备出一种新型复合电催化析氢催化剂并研究了它的电催化析氢活性。结果表明,TQ-CMPs与MoS₂的质量比为2∶1的催化剂具有优异的电催化析氢活性,其过电势为71 mV,Tafel斜率为52 mV·dec^-1。比表面积较大的TQ-CMPs,使MoS₂的分散度提高、避免了MoS₂的堆积和聚集并使更多的MoS₂边缘暴露,从而提高了催化剂的效率。TQ-CMPs丰富的孔道结构和延伸的π共轭骨架,有利于质量运输和电荷转移。     

多功能电子信息材料MoS2的制备及其催化性能研究

半导体材料作为电子信息材料的一种，因具有较宽的禁带宽度和高的载流子迁移率成为了人们关注的热点材料之一。通过水热法制备了不同质量分数Ag掺杂(0,1%,3%,5%,7%)的MoS₂复合材料，采用XRD、SEM、UV-Vis、FT-IR、Raman和催化性能分析等手段对Ag掺杂MoS₂复合材料的晶体结构、微观形貌、光谱性能和催化性能进行了测试与表征。结果表明，水热法合成了单一相的六方晶系MoS₂,Ag成功掺杂到了MoS₂中。Ag掺杂的MoS₂复合材料为纳米片堆积形成的圆球状结构，Ag掺杂增大了MoS₂纳米球的直径，尺寸在300～350 nm之间。Ag的掺杂诱导了MoS₂的晶型从2H-MoS₂相结构向1T-MoS₂相结构转变，1T-MoS₂相结构的晶型含量增加。MoS₂复合材料对于可见光和紫外光的吸收能力增强，5%(质量分数)Ag掺杂的MoS_2...