Zn_（0．65）Cd_（0．35）Se－ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和

利用ＭＯＣＶＤ技术和光电子器件工艺成功地制备了Ｐ－ｉ－ｎ结构的Ｐ－ＺｎＳｅ－（Ｚｎ０．６５Ｃｄ０．３５Ｓｅ－ＺｎＳｅＭＱＷ）－ｎ－ＺｎＳｅ自电光效应器件（ＳＥＥＤ）。在这种自由光效应器件中，在反向偏置电压下实现了由量子限制斯塔克效应（ＱｕａｎｔｕｍＣｏｎｆｉｎｅｄＳｔａｒｋＥｆｆｅｃｔ）引起的电光调制。     

Zn0.65Cd0.35Se—ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和电光调制

利用ＭＯＣＶＤ技术和光电子器件工艺成功制备了Ｐ－ｉ－ｎ结构的Ｐ－ＺｎＳｅ－（Ｚｎ０．６５Ｃｄ０．３５Ｓｅ－ＺｎＳｅＭＱＷ）－ｎ－ＺｎＳｅ自电光效应器件。在这种自由光效应器中，在反向偏置电压下了由量子限制斯塔克效引起的电光调制。     

用于全彩色场致发光显示的氧化物荧光体

已经证明，用过渡族金属激活的氧化物荧光体作为场致发光器件的发光层以获得三角色，是有前途的。例如，发红光用Ｃｒ，发绿光用Ｍｎ与发蓝光用Ｔｉ。也已证明了ＺｎＡｌ２Ｏ４：Ｍｎ或Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ ＴＦＥＬ器件发出的绿光，Ｚｎ－Ｃａ２Ｏ４：ＣｒＴＦＥＬ器件发出的红光与Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｔｉ发出的蓝光均具有高亮度，适于用作全彩色ＴＦＥＬ显示器的三基色。     

MOCVD技术制备ZnS：MnACTFEL器件的进展

本文综述了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术制备ＺｎＳ：Ｍｎ交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）器件的发展历史及研究现状，对各种改进技术和使用的原材料进行了比较，并指出进一步的研究方向。     

ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征

本文利用化学共沉淀法分别制得Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２以及Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ｓｂ（ＯＨ）３、Ｂｉ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）４、Ｃｏ（ＯＨ）３、ＭｎＯ（ＯＨ）２两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ＺｎＯ及相应的添加剂陶瓷复合粉体．ＴＥＭ分析结果表明：两种陶瓷复合粉体的粒径均小于１００ｎｍ．利用前者,通过添加适当的Ａｌ２Ｏ３和ＭｇＯ,制备出了电阻率约１０～２０００Ω·ｃｍ,Ｖ－Ｉ特性较好的ＺｎＯ线性陶瓷电阻．利用后者,通过适当的杂质配比,在１００     

ZnS：Mn^2＋纳米晶与钠硼硅玻璃复合体中的g因子漂移

对ＺｎＳ：Ｍｎ＾２＋纳米晶钠硼硅玻璃复合体进行了ＥＰＲ实验研究,确定Ｍｎ＾２＋在ＺｎＳ基质晶格中有３种形态：替位态（Ｍｎ＾２＋）ｓｕｂ,间隙态（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ和Ｍｎ团簇。观测到ｇ因子随纳米晶粒径的减小而增大。对ｇ值进行了理论拟合,结果与实验符合很好。分析和讨论了这种量子限域下ＺｎＳ的ｓｐ＾２和Ｍｎ的３ｄ＾５电子态杂化所引起的ｇ－漂移。     

光助MOCVD生长p—ZnSe及ZnSep—n结室温蓝色电致发光

用光助低压ＭＯＣＶＤ进行ＺｎＳｅ及ＺｎＳｅ：Ｎ外延层生长，由发光光谱表明，在光助下生长的本征ＺｎＳｅ外延膜具有高质量：ＺｎＳｅ：Ｎ外延层中与Ｎ有关的深中心发射得到有效抑止，其ｐ－ＺｎＳｅ受主载流子深度达３×１０＾１７ｃｍ＾－３。在制备ｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅＱＷ／ｐ－ＺｎＳｅ结构中，在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光（ＥＬ）。     

静压下（CdSe）_m／（ZnSe）_n－ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振喇曼散射研究

在静压和液氮温度下观察到（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达４阶的类ＺｎＳｅＬＯ多声子喇曼散射，并观察到厚ＺｎＳｅ势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ＺｎＳｅＬＯ声子散射．结果表明，加压后（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中的类ＺｎＳｅ的１ＬＯ和２ＬＯ声子模频率分别以３．７６和７．１１ｃｍ－１／ＧＰａ的速率向高频方向移动，超晶格阱层光致发光峰的压力系数为５９．８ｍｅＶ／ＧＰａ．与（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率比与ＺｎＳｅ势垒层共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率低２．０ｃｍ－１，反映了（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中ＬＯ声子的限制效应     

Ce:Mn:SBN晶体的生长及位相共轭效应的研究

采用垂直提拉法生长了Ｃｅ：Ｍｎ：ＳＢＮ晶体。测试了晶体的位相共轭反射率,自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ;Ｍｎ：ＳＢＮ晶体位相共轭镜作阈值,增益反馈系统,以Ｚｎ;Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储介质,实现了关联存储。Ｃｅ：Ｍｎ：ＳＢＮ晶体的位相共轭性能优于ＳＢＮ晶体。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于     

核/壳结构ZnS:Mn/ZnS量子点光发射增强研究

利用水溶性前驱体材料在水性介质中制备了ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS核/壳结构量子点(QDs,quantum dots),并用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)对ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS核/壳结构QDs的结构和发光性能进行研究.ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS QDs XRD谱与标准谱吻合,根据De...     

激光蒸凝法制备氧化锰纳米粒子

以 15 0WCWCO2 激光器为光源 ,Mn(Ac) 2 ·4H2 O为靶材 ,采用激光蒸凝法制备出了氧化锰纳米粒子。初步研究了反应参数对纳米粒子性能的影响 ,并用X射线衍射、电子衍射、透射电镜等技术对纳米粒子的性能进行了表证 ,同时对纳米粒子的形成机理进行了初步探讨。实验结果表明 ,激光功率密度、反应压力、载气种类及流量等工艺参数对产品的粒度、晶型等性能均有影响。在惰性气氛下 ,产物主要是Mn3 O4 5 6F ,粒径分布范围较宽 (5～ 10nm和 30～ 10 0nm)且不均一 ;在氧气气氛下 ,产物主要是立方晶系的Mn3 O4 和少量的立方晶系的MnO ,粒径分布范围变窄了 (5～ 10nm和 15～ 6 0nm) ,也不均一。     

Mn1/3Sb2/3对压电陶瓷材料性能的影响

研究了Pb(Mn1/3Sb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)0.16(Zr,Ti)0.84-yO3(系压电陶瓷的主要特性，讨论了（Mn1/3Sb2/3)现代量变化对材料性能的影响。通过测试材料的介电损耗tanδ介电常数ε、机电耦合系数kp和机械品质因数Qm，判断出Mn1/3Sb2/3在PMZN系材料中的最佳取代范围。     

Effects of Doping Mn on Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_4 System

Nd1.85Ce0.15Cu1-xMnxO4 samples with doping level up to 20% have been synthesized by solid-state reaction method. The influence of Mn on their normal-state transport, crystal structure, superconductivity and magnetic properties has been investigated. For the samples with x〉0.03, magnetization under zero-field cooling indicates that the magnetic state changes from ferromagnetic to paramagnetic at T≈100 K, which can be explained with the interaction between Mn4＋and Mn3＋. The electrical resistivity p of samples increases with Mn doping. For the samples with doping level lower than 0.20, p initially increases with the decrease of temperature, i.e., dp/dt〈0, and then shows superconductivity transition at ≈20 K. The results suggest the coexistence of superconductivity and ferromagnetic ordering in Mn doped Nd1.85Ce0.15CuO4.     

Effects of Doping Mn on Nd1.85Ce0.15CuO4 System

Nd1.85Ce0.15Cu1-xMnxO4 samples with doping level up to 20% have been synthesized by solid-state reaction method. The influence of Mn on their normal-state transport, crystal structure, superconductivity and magnetic properties has been investigated. For the samples with x0.03, magnetization under zero-field cooling indicates that the magnetic state changes from ferromagnetic to paramagnetic at T100 K, which can be explained with the interaction between Mn4+ and Mn3+. The electrical resistivity of samples increases with Mn doping. For the samples with doping level lower than 0.20, initially increases with the decrease of temperature, i.e., d/dt0, and then shows superconductivity transition at T20 K. The results suggest the coexistence of superconductivity and ferromagnetic ordering in Mn doped Nd1.85Ce0.15CuO4.     

Mn在SrTiO3功能陶瓷中的作用

从实验结果出发，通过微观分析研究了Ｍｎ在ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷中的作用以及它对电性能的影响。热重分析和Ｘ光衍射的结果说明了ＭｎＯ２在加热过程中物相和Ｍｎ离子价态的变化，得出Ｍｎ＾２＋，Ｍｎ＾３＋，Ｍｎ４＋共存的结论。     

金属Ni/Mn/BaTiO3基复合PTC材料的研究

为了降低 BaTiO3基 PTC 材料的ρ25,将金属 Ni、Mn 加入其中,并研究了金属 Ni 和金属 Mn 的加入量以及氧化处理等工艺条件对金属 Ni/Mn/BaTiO3基复合 PTC 材料性能的影响,且优化了该材料的组成和工艺条件。实验结果表明:其中含 Ni 的质量分数为 15%,Mn 的摩尔分数为 0.04%的 PTC 复合材料室温电阻率达到 18 O·cm,升阻比为 50.6。     

新型光折变晶体Mn:YAP研究进展

Mn：YAP晶体是近年来发现的一种新型光折变晶体,在三维全息存储方向有广阔的应用前景。总结了Mn：YAP的晶体结构、光谱特征及其光折变模型,分析了它的优点和不足,并对其研究方向提出了设想。     

The UV and blue light emission properties of Mn doped ZnO nanocrystals

We present a study of the light emission properties over wavelengths from UV to blue of Mn doped ZnO nanocrystals fabricated by means of a thermal evaporation vapor phase deposition process. The samples were grown with a Mn mole ratio in the Zn/Mn mixed source of 0% (pure ZnO sample, used as a reference), 5%, 10%, or 15% in a constant O₂/Ar gas mixture flowing at 500 °C. The pure ZnO nanocrystals exhibited a strong and predominantly UV emission peaking at 377 nm. In the photoluminescence spectra of mixed ZnO:Mn nanocrystals the major UV emission shifts from 377 to 408 nm, and a strong blue emission appears at 435 nm. The former is mainly induced by the impurity levels of Mn introduced in the band gap of the ZnO nanocrystals, while the latter is closely related to defect and Mn²⁺ ions. With increasing Mn concentration the blue emission is enhanced due to the strong exchange interaction in the short range spin system and the excess impurities on the surface. The results show that the optical properties of ZnO can be tuned by the doping concentration of Mn. Mn doped ZnO nanocrystals with strong blue emission can be used in the fabrication of blue light devices.