使用栅极电阻控制IGBT的开关

栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗等。文章分析了通过优化栅极电阻RG柬调节IGBT的动态特性,使其工作在最佳开关状态。     

对IGBT栅极驱动电路的要求

问 请问对IGBT的栅极驱动电路有何要求？ 答 IGBT的静态、动态特性与栅极驱动条件密切相关。栅极的正偏电压、负偏电压及栅极电阻值对IGBT的开关时间、开关损耗、通态电压及承受短路能力、电压上升率耐量均有不同程度影响。下面是驱动条件的基本影响。     

大功率IGBT栅极驱动电路的研究

在大功率IGBT应用系统中,脉冲变压器隔离的栅极驱动电路由于能得到相对较高的隔离电压,可实现较高开关频率等优点,被广泛应用。在高压大电流IGBT特性分析的基础上,从实践出发对IGBT驱动电路的影响因素做了深入的研究,并探讨了IGBT栅极驱动电路设计注意的几个问题。对很有实际应用价值的脉冲变压器隔离的IGBT栅极驱动电路及其相应芯片进行了分析研究。由此可以更深刻地理解IGBT的驱动电路及其影响因素,这对正确使用IGBT器件及其驱动电路的设计有一定的实用价值。     

需要注重IGBT栅极驱动和保护电路设计的可靠性

IGBT实际应用中的一个重要问题是其栅极驱动和保护电路的设计。IGBT的栅极驱动条件关系到它的静态和动态特性,     

IGBT栅极特性与参数提取

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在各种电力电子装置中已得到了广泛的应用,但是长期以来对于其内部参数的提取缺乏有效的手段,从而影响了其仿真模型的应用以及使用水平的提高。本文对IGBT栅极的传统平面结构和新型沟槽结构进行了比较,基于其工作机理与半导体物理方程进行了理论分析和公式推导,在分析现有方法不足的基础上提出了IGBT栅极各个参数提取的一些新方法,并且针对某一型号具体器件在不同工作条件下进行了提取实验,所得到的参数值都具有较好的一致性,同时也证明了该方法的准确性。     

IR2110驱动IGBT模块中的栅极抗干扰技术

介绍了IR2110驱动芯片的特点，对IGBT驱动电路的抗干扰技术作了具体分析，提出了几种有效的抗干扰方法，如栅极电平箝位、关断时负压等，并在实际应用中验证了它们的有效性。     

基于主动栅极驱动的IGBT开关特性自调节控制

常规驱动(CGD)对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关特性的控制优化程度有限.当换流条件改变时,CGD方法也无法保证器件开关特性可以保持在最优状况,即缺乏自调节能力.学术界相应地提出主动栅极驱动(AGD)方法来实现对开关特性的自调节控制.但在实施自调节控制时,会遇到自调节控制稳定性、控制精度等方面的问题.该文在之前工作...     

基于1ED020I12-FA的IGBT栅极驱动电路应用研究

针对现有栅极驱动芯片M57962L体积大、环境适应性差的问题,经过深入调研,选用1ED020I12-FA栅极驱动芯片代替M57962L。设计基于该芯片的新型功率驱动电路,并对其栅极驱动性能、过流保护、故障恢复、功率消耗等性能进行了试验研究。试验结果表明基于1ED020I12-FA的新型驱动电路具有开关速度快、体积小、功耗低、温度范围宽的优点,可以替代现有驱动电路。     

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用

详细叙述了功率绝缘栅双极型晶体管IGBT 对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题,概述了IGBT驱动电路的常用类型,并给出了几个具有实用意义的典型电路.     

30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护

系统介绍３０ｋＶＡ逆变电源中ＩＧＢＴ的驱动与保护技术。提出ＩＧＢＴ对驱动电路的要求,介绍三菱的ＩＧＢＴ驱动电路Ｍ５７９６２Ｌ和逆变电源中ＩＧＢＴ的过压、栅极过压、过流、过热保护措施。     

MOSFET谐振门极驱动电路研究综述

谐振门极驱动电路能够减小高频下MOSFET的驱动损耗。首先介绍了传统电压源驱动及其存在的诸多问题,引出谐振驱动技术。综述了目前现有的谐振门极驱动电路的拓扑结构,并分为电流源型、谐振型和耦合电感型三大类。对于电流源型和谐振型,分别介绍较早提出的拓扑结构及其优缺点,并与后期发展的各种拓扑作对比分析。耦合电感型是在电流源型或谐振型中加入耦合电感来传递能量,这也增加了拓扑的复杂度。考虑谐振门极驱动电路的复杂程度,将拓扑元器件集成到一个芯片中以达到优化。     

IGBT驱动设计原理及技术比较

在IGBT等效的有源模型基础上,分析电感负载下IGBT的开关换流过程及门极驱动参数对开关过程的影响。详细地介绍了IGBT驱动的设计原理和技术方法,包括:信号传输、隔离电源、驱动输出、保护等方面,总结了不同设计方法导致驱动器输出特性的差异、优缺点。采用TX-2DE300M17,2SC0435和2QD15A17K-C三款集成驱动器,设计外围驱动电路,对英飞凌FF300R17KE4进行双脉冲测试实验,比较研究了开通暂态波形,分析三款驱动器的技术差异和优缺点,最后介绍了IGBT门极驱动应用过程中应着重注意的细节。     

高频条件下IGBT驱动电路的设计与仿真

对大功率IGBT的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论,介绍了一种高频条件下实用的IGBT驱动电路,并通过理论分析和仿真波形说明该驱动电路的有效性和适用性。     

一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路

介绍了一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路。该电路通过循环储存在栅极电容中的能量来实现减少驱动功率损耗的目的 ,从而保证了此驱动电路可以在较高的频率下工作。通过实验 ,证明了这种电路的正确性和实用性     

IGBT驱动器输出性能的计算

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是应用广泛的功率半导体器件,驱动器的合理设计对于IGBT的有效使用极为重要。本文就利用栅极电荷特性的考虑,介绍了一些计算用于开关IGBT的驱动器输出性能的方法。     

栅极功率驱动电路的寄生效应分析及对策

详细介绍了栅极功率驱动电路寄生效应的产生机理及其影响 ,提出了有效的应对措施     

半桥逆变IGBT模块压电驱动与保护电路设计

介绍了半桥逆变电路的工作方式,探讨了IGBT静态特性及动态开关过程,对正常工作和过流故障时的原理进行了分析,给出了IGBT驱动和保护的详细电路.三菱公司CT60AM设计的实际电路已在某研究所大功率并联多余度逆变电源上可靠运行.应用表明该驱动及保护电路结构简单,抗干扰能力强,证明了该方案的合理性、可靠性.