光电子学和光器件的最新进展

从近年召开的国际集成光学和光通信学术会议发表的论文中,可以看到光电子学和光器件方面获得了迅猛的发展。现分别介绍如下:     

世界光电器件和集成光电器件发展扫描

今年2月,在美国召开了世界光纤通信大会和国际集成光学光纤通信大会（OFC＆IOOC）,从这个大会所发表的论文,我们可以看到未来若干器件的发展方向。·可调的色散补偿器件。Luc,nt开发出一种可调的色散补偿器件,在光纤光栅色散补偿器上镀金属电阻膜,如在电阻膜上施加电流产生温度,可改变光纤光栅的色散。·检测光波长的正负偏差。光滤波器是WDM技术的关键器件,应有高度的稳定性能;特别是要保证其中心波长不能漂移。通常可采用检测光波长偏差并施加反馈来纠正。但是简单的检测方法难以区分波长是正偏差还是负偏差,往往不论正或…     

光电子学与光通信

目前微电子芯片中功能强大的，广泛使用的硅晶体管从微型化的角度说已接近其技术极限，新的技术途径在不断探索之中。光微芯片乃至光计算机是被广泛研究的极具吸引力的新技术之一，光通信更是推动人类进入通讯新纪元的关键技术。     

硅基光电子学中的SOI材料

SOI材料是近年来应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料。本文首先简要介绍了常见的SOI材料的制备方法,包括注氧隔离（SIMOX-SOI）、硅键合背面腐蚀（BE-SOI）和注氢智能剥离（Smart Cut）等,并比较了它们各自的特点和优劣。其次介绍了SOI材料加工制造波导的基本工艺,包括光刻和刻蚀,其中刻蚀又分为干法刻蚀和湿法腐蚀。     

Si基光电子学研究进展

作为“第二代硅”Ｓｉ基异质结材料为世人所瞩目，Ｓｉ基光电子器件及光电集成（ＯＥＩＣ）是当前世界范围的热门课题，本文综述Ｓｉ基异质材料的外延生长和特性，Ｓｉ基光电子器件的结构和性能及其应用，着重介绍ＳｉＧｅ／Ｓｉ的研究进展。     

光电位置敏感器件背景光补偿的研究

光电位置敏感器件(PSD)是一种可直接对其光敏面上光斑位置进行检测的光电器件，基于光电位置敏感器件可以构成多种非接触的高精度动态位移监测仪器。根据光电位置敏感器件的原理及特征方程，分析了存在背景光时它的输出信号是非线性的。提出～种基于神经网络的光电位置敏感器件背景光非线性补偿方法。利用神经网络具有逼近任意非线性函数的特点．通过训练使神经网络建立在不同背景光下光电位置敏感器件输出与其标准值之间的非线性映射关系，对其实现全程跟踪补偿。计算机仿真表明，该方法能有效地消除背景光的影响，在神经网络的输出端得到期望的线性输出。     

光电器件

针对网络应用的接收器 S8334和S8335 Si/GaAs PIN光电二极管是专为光纤线路和千兆以太网设计的,其动态范围为-25～+3dBm,上升时间1000ps,光灵敏度3V/mW,数据传输速率为500Mbit/s。S8334采用TO-18封装。S8335有5种不同的封装,每种采用不同的连接器和安装形式。     

高速光器件的光集成及光电集成

本文介绍了高速激光器的现状，并综述了高速激光器的光集成和接收机的光电集成。最后，讨论了光集成和光电集居技术及今后的发展。     

能用于微弱光探测的硅光敏器件

讨论了光电二极管工作于零偏压模式,制作能探测微弱光的光电晶体管和达林顿光电晶体管,提高了第一级光电二极管的光暗电流比值和晶体管在小电流下的放大倍数 h_(FE)。     

光集成的研究热点及光集成器件研究进展

近几年来,全球及国内光通信行业得到了长足的发展,光通信正向高速、大容量、宽带、长距离及低成本方向迅速发展。光器件和光电器件的集成化是光通信最重要的核心技术,而它的发展方向就是光集成(PIC)和光电集成(OEIC)。     

多孔硅材料和光电器件

介绍了多孔硅的形成方法及其机理。对国内外有关该材料在固体发光方面的研究现状和进展及其在光电器件上的应用作了讨论。