利用AFM动态电场在Si表面实现纳米氧化结构

讨论利用原子力显微镜(AFM)动态电场诱导阳极氧化作用下Si表面生成纳米氧化结构的特征,并进行相应的机理分析.实验表明,直流电压作用下的氧化结构表现出单峰特征,而电压脉冲和连续方波所得到的氧化结构具有中央凹陷特征和较高的纵横比.     

利用AFM动态电场在Si表面实现纳米氧化结构

讨论利用原子力显微镜(AFM)动态电场诱导阳极氧化作用下Si表面生成纳米氧化结构的特征,并进行相应的机理分析.实验表明,直流电压作用下的氧化结构表现出单峰特征,而电压脉冲和连续方波所得到的氧化结构具有中央凹陷特征和较高的纵横比.     

基于扫描探针显微镜的纳米加工技术研究进展

扫描探针显微镜(SPM)纳米加工技术是当前非常活跃的纳米加工研究领域，其研究成果有可能成为微纳米器件制作的主要方法。文章主要介绍了单原子操纵、阳极氧化法，以及机械刻蚀加工等SPM纳米加工方法的机理、特点及研究进展，提出了今后需要重视的研究方向。     

电化学扫描探针显微镜在表面微／纳米加工的应用

概述了在固／液界面微／纳米加工中经常采用的三种电化学扫描探针显微镜(EC-SPM)技术，分别讨论了电化学扫描隧道显微镜(EC-STM)、电化学原子力显微镜(EC-AFM)和扫描电化学显微镜(SECM)在应用于微／纳米加工时的基本原理和各种方法，并综合比较和分析了这三种技术的优缺点。     

电化学扫描探针显微镜在表面微/纳米加工的应用

概述了在固 /液界面微 /纳米加工中经常采用的三种电化学扫描探针显微镜 (EC SPM )技术 ,分别讨论了电化学扫描隧道显微镜 (EC STM )、电化学原子力显微镜 (EC AFM )和扫描电化学显微镜 (SECM )在应用于微 /纳米加工时的基本原理和各种方法 ,并综合比较和分析了这三种技术的优缺点     

电化学扫描探针显微镜在表面微/纳米加工的应用

概述了在固/液界面微/纳米加工中经常采用的三种电化学扫描探针显微镜(EC-SPM)技术,分别讨论了电化学扫描隧道显微镜(EC-STM)、电化学原子力显微镜(EC-AFM)和扫描电化学显微镜(SECM)在应用于微/纳米加工时的基本原理和各种方法,并综合比较和分析了这三种技术的优缺点.     

金纳米棒在Au(111)表面上的分散与STM表征

本文报道了金纳米棒的合成、在Au(111)表面上的分散、有机污染物清洗以及STM形貌表征工作.金纳米棒通过金晶种在金生长液中的选择性生长来制备.通过对金纳米棒和Au(111)表面进行修饰,利用涂层外端基团之间的静电相吸作用,把金纳米棒经由点滴法均匀地吸附在Au(111)表面上,且分散密度可通过点滴次数加以控制.本文进一...     

大气状态下AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的机理分析

通过AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的实验得到了凸出的Ti膜氧化物高度与偏置电压成线性关系,并和针尖扫描速度成负对数关系,在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,分析得到了合适的加工条件即:偏压为8V,扫描速度为0 .1μm/ s.     

相对湿度对AFM针尖阳极氧化金属薄膜的影响

AFM针尖诱导氧化加工的金属 (Ti、Al、Nb等 )纳米氧化线是实现金属 半导体纳米器件的基础 ,由大气湿度决定的金属膜表面水吸附层的厚度 ,对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响 ,结果表明进行氧化加工Ti膜的较好的湿度范围为 30 %～ 5 0 %。     

大气湿度对AFM针尖氧化加工金属Ti膜的影响

AFM针尖诱导氧化加工的Ti纳米氧化线，是基于Ti膜-半导体纳米器件的基础，由大气湿度决定的Ti膜表面水吸附层的厚度，对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。通过大量实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响，结果表明进行氧化加工Ti膜的较好湿度范围为30％～50％。     

AFM探针针尖与试件表面接触力计算方法研究

原子力显微镜是利用接近试样表面的探针针尖上的作用力而工作的。针尖与试件表面纳米接触力的变化对表面检测有重要的影响。在分析原子力显微镜工作原理和纳米接触力计算模型基础上,根据Hamaker假设,利用连续介质方法,建立了针尖同试样表面在接近过程中的纳米接触力计算模型;根据Hertzian接触理论,建立了针尖同试样表面在接触压入过程中的接触力的计算模型。通过叠加计算,获得了耦合接近过程和接触压入过程中的接触力计算方法。根据计算模型,利用Matlab编程计算获得了针尖与试样表面纳米接触作用力的变化规律。为提高原子力显微镜的表面检测精度和进行误差分析提供基础。     

大气状态下AFM阳极氧化加工Si的研究

Si纳米氧化线是构筑基于Si的纳米器件的基础。通过AFM针尖诱导阳极氧化加工的n型Si(100)的实验得到凸出的n型Si(100)氧化物高度和偏置电压成线性关系,与针尖扫描速度成负对数关系,并在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,得到了合适的加工条件为偏压8 V和扫描速度1μm/s。     

利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构

基于ＡＦＭ电场诱导的方法成功地在掺杂ｎ型ＧａＡｓ（１００）和锌掺杂ｐ型ＧａＡｓ（１００）表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形,最小的纳米结构约１５ｎｍ,并定性地考察了ＧａＡｓ表面ＡＦＭ电场诱导制备的纳米结构的一些规律。     

用于纳米光电器件的Ti纳米氧化线的AFM加工

为利于与微电子加工工艺相结合，基于Ti氧化线的纳米电子和光电器件需要加工μm级长的Ti氧化线。偏置电压和扫描速度是AFM阳极氧化加工Ti纳米氧化线的决定因素。在温度(20℃)、相对湿度(30％)和氧气浓度(20％)基本保持不变的情况下，在不同的偏置电压和扫描速度下加工了5μm长的Ti氧化线，研究了不同偏置电压和扫描速度对Ti氧化线加工特性的作用，在偏置电压8V和扫描速度0.1μm／s条件下得到了比较理想的长Ti氧化线。     

原子力显微镜在材料器件工艺中的应用

介绍了原子力显微镜在碲镉汞材料器件工艺测试方面的应用。应用其可以进行磨抛后材料表面的粗糙度测试,接触孔形貌,以及外延后衬底的表面形貌。通过合理的选择扫描参数和探针,可以直观得到样品的表面形貌,接触孔还可以得到孔的尺寸和孔底形貌。尤其在接触孔测试方面,原子力的精度更高,抗干扰能力强且扫描结果更为直观,准确。本文通过对碲镉汞材料器件工艺中不同类型样品测试的介绍,认为原子力显微镜在碲镉汞材料器件工艺测试中发挥了较大的作用。     

大气状态下AFM阳极氧化加工重复性的研究

为实现多隧道结和多岛结构,针对室温大气环境下,利用AFM阳极氧化加工方法,对加工LT-GaAs衬底上的nm级厚度的钛膜的重复性进行了研究。本实验在一定的加工条件下,分别加工了点阵列和线阵列,通过最大残差法计算了它们宽度和高度的重复性百分比,得到所有的重复性百分比都小于1%,表明文中所提供的加工条件下,加工钛膜具有很好的重复性。同时,通过点阵列与线阵列的理论变换方法,进一步验证了在加工氧化钛线时采用0.1μm/s扫描速度的正确性。     

Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法