Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te光电二极管表面漏电流的减少

在表面形成一层宽带隙外延层,可以减少Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te光电二极管的表面漏电流。在CdTe衬底上,液相外延由p-Cd_xHg_(1-x)Te(x>0.2)/p-Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te组成双层Cd Hg Te外延层。77K下,经范德堡霍尔测试,得到空穴载流子浓度和迁移率分别为9×10~(15)cm~(-3)和6×10~2cm~2V~(-1)s~(-1)。首先去除p-Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te上面直径为100μm的宽带隙层,然后再向p-Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te中扩铟而形成p-n结。77K下,有宽带隙层和无宽带隙层光电二极管的R_0A乘积分别为9.1Ωcm~2(λ_c=11μm)和2.0Ωcm~2(λ_c=10μm),这就证实了宽带隙层钝化层起到了减少表面漏电流的作用。     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件电学特性的研究

MIS器件是研究窄禁带半导体材料碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)体内及其界面特性的有效工具。我们主要对一种由双层介质组成的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的电学特性进行了研究。对Hg_(1-x)Cd_xTe材料表面作适当的物理化学处理之后,利用阳极氧化的方法,在Hg_(1-x)Cd_xTe衬底上生长一层阳极氧化层(厚约600～1200(?)),再利用蒸发或溅射方法在阳极氧化层上淀积一层介质ZnS(厚约1000～2000(?)),组成双层介质结构。而金属栅电极则通过蒸发金属     

半导体装置

本专利介绍面阵红外探测器件。其结构如图所示。外延层(11)是Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体层,电荷积累区域(7)设在Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体内,而且,外延层的探测二极管区域(8)是通过选择地生长Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te晶体而形成的。Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te晶体的带宽是250～300meV,这与10μm晶体的带宽相比大得多且反向偏压特性比用Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te制作的探测二极管要好。这样在8～14μm面阵红外探测器件中,用Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体部分吸收红外辐射,用Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te晶体部分探测信号。由此,探测二极管具有3～5μm的响应特性,而且探测特性很好。     

通过表面分析来评定Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te探测器的制造过程

为了制造高性能的Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te 探测器,在制造过程中必须了解其表面特性并加以控制。把俄歇光谱(AES)和光电子光谱(ESCA)技术用于分析经历了探测器制造的一些步骤以后的Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te 表面。本文提供经过化学腐蚀、光刻工艺和热处理以后Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te 材料的俄歇光谱和光电子光谱数据。此外,还对暴露于室内环境条件和高湿度条件之后的Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te 表面的特性作了描述。而对表面特性有了了解,就可以把它同做成的探测器的参数进行对照,从而确定出制造最优性能探测器的程序,因此也就能找到制造稳定的探测器的工艺。     

改善PbTe/PbSnTe液相外延表面质量的研究

异质液相外延材料表面的平整光亮取决于异质界面的平整光亮。N-PbTe/P-PbSnTe双层异质外延中.P-Pb_(1-x)Sn_xTe是关键。为获得X=0.2结构完整性好而表面质量高的薄膜,我们采用两相溶液法,以Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te单晶片做衬底,来液相外延P-Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te。通过俄歇能谱曲线和电子探针,测量表面上的夹裹物和沉淀物,证明是无碲的过剩铅和锡。我们     

CdTe和HgCdTe薄膜的有机金属汽相淀积

用有机金属试剂在〈111〉A衬底上生长了CdTe和HgCdTe外延膜。在370和410℃试验衬底温度下生长了镜面状CdTe膜。在400-410℃的衬底温度下取得了x≥0.15的镜面状Hg_(1-x)Cd_XTe膜。HgCdTe的生长率,Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te标定为Gμm/h。HgCdTe薄膜为n型,在液氮温度下测得Hg_(0.85)Cd_(0.15)Te的迁移率为140 OOOcm~2/Vs。CdTe-HgCdTe异质结处的相互扩散宽度标定为1μm。     

液相外延生长的PbTe/Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te制备双色探测器阵列

己采用了液相外延(LPE)生长的p-型Pb_(0.8)/p-型Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te(PbTe在Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te上面)作为双色(3～5和8～14微米)探测器的衬底。用平面扩散技术在液相外延生长衬底上形成二极管。文中并描述了在80K下工作的12元阵列在标称300K、2π视场背景时所表现的特性。六个Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te二极管和六个PbTe二极管的平均探测度分别为2.2×10~(10)和1.0×10~(11)厘米·赫~(1╱2)/瓦。     

Cd_(1-x)Zn_xTe和Cd_(1-y)Hg_yTe系的晶格常数的测定

本文给出含Zn量0.00≤x≤0.10的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体晶格常数对组分x的变化曲线,并与三元系 Cd_(1-y)Hg_yTe晶体晶格常数进行比较.分别计算了 Cd_(0.094)Zn_(0.036)Te-Cd_(0.2)Hg_(0.3)Te和CdTe-Cd_(0.2)Hg_(0.3)Te双晶系的晶格失配度,讨论了其晶格匹配.     

封闭系统中Pb_xSn_(1-x)Te外延淀积在Pb_xSn_(1-x)Te基片上

在封闭系统中往Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te(100)基片上淀积载流子浓度在10~(17)/厘米~3范围内的P型Pb_(.79)Sn_(0.21)Te外延膜,速率为1.5～3.0微米/小时。这些外延膜是在425～525℃下用符合化学计量或金属略多的料淀积的。淀积的n型膜夹杂着金属。膜的结构受基片缺陷、基片温度及装料组分的影响。制成了厚达100微米的膜。采用肖特基势垒工艺,在外延膜上做出了在77K下黑体探测度为10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦的红外探测器阵列。     

CdTe、HgTe和Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te表面的溅射清洗和干式氧化

一、引言n型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te是8～14微米谱区红外传感器的常用材料。已知Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te上原身氧化物形成的积累型界面层可大大减少不同情况下普遍存在的表面复合,从而稳定了n型材料表面的电性能。因此,用原身氧化物作Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te的钝化与隔离膜或作传感器材料和增透膜等之间的中间层,是很理想的。尽管工艺意义如此重要,但对于所用原身氧化物的最佳生长条件和成分仍缺乏了解。     

未掺杂P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te的点缺陷及其电学性质

用不同热处理条件对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料进行了高温热处理,样品温度的变化范围为430℃到600℃,汞源蒸汽压在样品的汞脱溶线和碲脱溶线之间变动。对淬火冷却后的样品进行变温和变磁场霍耳测量,求得与温度和磁场无关的样品霍耳浓度和热处理条件的关系以及空穴迁移率和空穴浓度的关系。文章首先对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料的缺陷机构作了比较系统的分析,证明二次电离汞空位是未掺杂P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料中受主点缺陷的唯一可能     

光吸收测定Hg_0.8Cd_0.2Te材料的空穴浓度

采用离子注入法做光伏器件,需要空穴浓度在2～6×10~(16)cm~(-3)甚至更低的P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料,所以要求准确测定弱P型材料的空穴浓度。由于Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te中电子的迁移率比空穴的迁移率高得多,对空穴浓度低于4×10_(16)cm~(-3)的样品,温度接近77K时出现明显的混合导电,给空穴浓度的确定带来了困难。近年来对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Tb吸收边以下的     

Hg_(1-x)Cd_xTe的液相外延

本文介绍用平拉装置,在大气压力下,用富Te生长液,在面积达到2厘米×3厘米的CdTe衬底上,外延生长n型和p型Hg_(1-x)Cd_xTe晶体,能很好控制x值为0.2、0.3和0.4的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的生长,对其生长层的半导体特性进行了测量。     

Pb_(1-x)Sn_xTe中的cd扩散

扩散制结方法很多,其中包括杂质扩散,组分扩散(CID,退火)等。 因为采用组份Te过量为源材料生长的非掺杂Pb_(1-x)Sn_xTe单晶,是空穴浓度很高的p-型材料,所以杂质扩散制造p-n结,关键是选取合适的施主杂质。目前已确定的元索有Ⅱ族——Zn、Cd;Ⅲ族——Al、Ga、In;V族——Bi、Sb等。其中采用Cd、Sb杂质源已获得性能较好的LTT激光器件。 本文报导Cd在Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te中扩散的一些实验结果。     

红外吸收法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片的P型夹杂

提出了一种用室温红外吸收方法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片中P型夹杂程度的简单方法。     

塞曼效应石墨炉原子吸收法在碲镉汞材料制备中的应用

本文用塞曼效应石墨炉原子吸收光谱分析法(ZAAS)对淬火-固态再结晶制备Hg_(1-x)Cd_xTe材料的工艺进行了研究,探讨并建立了高纯原料(Te、Cd)、制备晶体的容器(石英、玻璃)及Hg_(1-x)Cd_xTe材料中杂质分析方法。结果表明:ZAAS法是Hg_(1-x)Cd_xTe材料研究中一种重要的痕量分析手段。     

窄禁带半导体的电解液电反射谱

应用低场下电解液技术观察了InSb、Hg_(1-x)Cd_xTe 和Pb_(1-x)Sn_xTe材料的电反射谱。得到了大于基本吸收边缘的垂直带间跃迁谱和自旋轨道分裂谱。测量了Hg_(1-x)Cd_xTe合金的组份。对低场下的电解液电反射(EER)谱的实验条件进行了讨论。     

Hg_(1-x)Cd_xTe光化学生长氧化物的组分研究(简介)

由于Hg_(1-x)Cd_xTe的能带隙小而且可变,因此它已广泛用于红外探测器方面。对于这种应用其表面必须钝化。一种可能的钝化剂为光化学氧化物,已用X射线光电子谱法(XPS)结合氩离子溅射研究了Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te和Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te两种组分。对Hg_(1-x)Cd_xTe表面进行机械抛光,随后在溴-甲醇中腐蚀。在有氧的大气压下,使裸露的晶片表面暴露在低压汞蒸汽灯的紫外(波长1849和2537A)辐射下完成氧化物生长。在大多数情况下,氧化物生长是在形成厚100A的层后即告停止。而在有些情况下却生长了很厚的氧化物(～1000A),本文将报导这些氧化物的结果。根据氩离子溅射周期交替进行Ol_s,、Te3d_(5/2)、Cd3d_(5/2)和Hg4f光电子谱线的高分辨率测量,绘制出每个片子的XPS深度分布图。结果以表面特性图(SBD)的形式示于图1,看上去它与块体相图相似,但用图解说明了在     

Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数反常的检测和分析

系统地分析和研究了N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数的各种表现,从中归纳出三种霍耳参数反常的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料及其霍耳参数随温度和磁场变化的特征。通过实验和理论分析找出这三类材料电参数反常的起因,给出了正确判断材料性能及获取真实反映材料电学特性参数的方法。     

射频多阴极溅射制备Pb_xSn_(1-x)Te薄膜

优质的外延Pb_xSn_(1-x)Te膜最初是在锗基片上制得的。用射频多阴极系统同时或逐个以不同速率从三个靶进行溅射成膜。当基片低于普通蒸发技术所需温度时在NaCl和BaF_2基片上可获得Pb_xSn_(1-x)Te多晶膜。采用共溅射技术,控制金属或碲的过量可获得n型和p型Pb_xSn_(1-x)Te膜,其电性能接近最佳的单晶值。把Pb_xSn_(1-x)Te膜淀积在硅和锗基片上做成中红外探测器列阵,可以很容易与全集成热成象系统电子读出元件相结合。峰值D~＊用光导外延膜可达2.4×10~8厘米·赫~(1/2)瓦。多晶膜淀积在复盖有SiO_2膜的Ge片或Si片上显示出很高的响应率(480伏/瓦),D_λ~＊(8.5微米,800,1)在77°K和2π球面度视场角时大于10~9厘米·赫~(1/2)瓦。报导了线列阵探测器的噪音、响应率及探测度的测试。