一种新的有源硅基OLED象素驱动电路

提出了一种新的有源硅基有机发光二极管(OLED-on-Silicon)象素驱动电路.该电路解决了具有特定象素大小的OLED的极小象素电流(小于1μA)与传统MOS器件大的饱和驱动电流之间的不匹配问题.利用Synopsys公司的仿真软件H-spice,对该电路和传统的两管象素驱动电路进行了模拟,结果表明该电路作为OLED-on-Silicon的象素驱动更容易实现多级灰度.     

128×64点阵式OLED的驱动电路

我们设计了一种有机电致发光显示器的驱动电路,可用于128×64的点阵显示屏.该电路采用脉宽调制方法来实现64级灰度,并利用数模转换方法来实现恒流输出的可编程控制,其动态扫描的占空比为1/64.     

全彩 128×160 有机发光显示器驱动电路

该有机发光显示器驱动电路由一个 384 通道列驱动电路和一个 160 通道行驱动电路组成.列驱动电路是一个内置128×3×160×4 bit 显示数据存储器的 128×3 红绿蓝控制器,支持用户可编程 4/8 bit 灰度控制,高精度的电流匹配电路和内建预充电路确保了均匀的亮度和高质量的灰度显示.驱动电路可通过 8 bit/16 bit 并行接口直接与微处理器相连,显示数据可以存储在内部,还可独立于微控制器产生有机发光显示器的驱动信号.行驱动电路有可选的电压预充电路和内建低接通电阻确保在高速扫描时的亮度均匀.该驱动电路是一个低功耗低输出阻抗的有机发光显示控制器.     

采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件

我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V。利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板。     

一种基于低温多晶硅薄膜晶体管的交流AMOLED像素补偿电路

This paper presents a new poly-Si pixel circuit employing AC driving mode for active matrix organic light-emitting diode （AMOLED） displays. The proposed pixel circuit, which consists of one driving thin-film tran- sistor （TFT）, three switching TFTs, and one storage capacitor, can effectively compensate for the threshold voltage variation in poly-Si and the OLED degradation. As there is no light emission, except for during the emitting period, and a small number of devices used in the proposed pixel circuit, a high contrast ratio and a high pixel aperture ratio can be easily achieved. Simulation results by SMART-SPICE software show that the non-uniformity of the OLED current for the proposed pixel circuit is significantly decreased （〈 10%） with an average value of 2.63%, while that of the conventional 2T1C is 103%. Thus the brightness uniformity of AMOLED displays can be improved by using the proposed pixel circuit.     

一种类OLED驱动的FED驱动电路的设计

通过与有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示驱动电路的比较,得出了场致发射显示器(Field emission display,FED)驱动电路的特征,并在此基础上设计了基于简单IC与专用IC芯片的驱动电路,为FED驱动电路的实际应用提供了一种切实可行的思想方案.     

用于OLED驱动电路的振荡器设计

有机发光二极管(OLED)在不同的工作温度下发光亮度不同,严重影响显示效果。为解决这一问题,需要在驱动芯片中设计温度传感器,实时采样温度信息来调整光亮度。利用带隙基准原理设计了一种输出信号的频率与绝对温度成线性关系的振荡器。通过带隙基准电源产生与绝对温度成正比例的电流,使用该电流对电容充放电以实现信号的振荡。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺对电路仿真,电源电压设置为1.8 V,TT标准工艺角,仿真温度设置为0℃时,输出信号频率为3.447 MHz。温度每升高1℃,输出信号的频率增加16 k Hz,可以为OLED驱动电路提供精确的温度信息。     

场致发射平板显示器常用驱动电路分析

场致发射显示器（FED）的工作电压高,且存在像素制备不一致引起的显示亮度不均匀等问题,故需要设计特殊的驱动电路来满足其工作要求并克服其缺陷。详细分析了FED常用驱动电路的性能和原理,并对其优点和局限性进行了讨论。     

OLED评估电路的设计与应用

利用OLED显示器,温度传感器和单片机设计了一种实现控制和显示数字温度的电路。首先分析系统中三种主要芯片的基本结构和功能,然后从硬件和软件两个方面阐述系统的实现方法．最后得到精确的实验数据,为进一步研究OLED显示器的应用打下了基础。     

256级灰度OLED驱动电路

设计了一种OLED矩阵屏的驱动电路,在64×48像素OLED矩阵屏上,采用脉宽调制的方法实现了256级灰度、无交叉效应的静态图案显示.通过在未选中行上施加正向偏压、未选中列上施加反向偏压的方法,有效地抑制了交叉效应.     

电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计

模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT／OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly -Si TFT／OLED耦合对的驱动电压低,在200A／m^2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0．0～2．5μA时饱和电压只有1．5～2．5V。     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅. 为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除. 通过流程简化，采用6块版工艺，研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

有机电致发光器件的驱动技术

只有结合良好的驱动技术才能将OLED的特点表现出来。OLED的驱动方式可分为有源驱动和无源驱动,分别对这两种驱动技术作一评述。OLED需结合TFT有源驱动技术才有可能进一步发展,而LTPS TFT技术几乎是惟一的选择。使用数字驱动电路是目前的发展趋势。     

基于HD66773的TFT OLED驱动电路的设计

介绍了用驱动TFT LCD的HD66773芯片驱动5cm(2in)TFT OLED的电路设计．通过对芯片做出合理的特殊设置,最终可以显示出8种颜色,达到初步点亮TFT OLED的目的．并给出了初始化软件流程和MCU接口。     

Transition Metal Dichalcogenide‐Based Transistor Circuits for Gray Scale Organic Light‐Emitting Displays

Two types of transition metal dichalcogenide (TMD) transistors are applied to demonstrate their possibility as switching/driving elements for the pixel of organic light‐emitting diode (OLED) display. Such TMD materials are 6 nm thin WSe₂ and MoS₂ as a p‐type and n‐type channel, respectively, and the pixel is thus composed of external green OLED and nanoscale thin channel field effect transistors (FETs) for switching and driving. The maximum mobility of WSe₂‐FETs either as switch or as driver is ≈30 cm² V^?1 s^?1, in linear regime of the gate voltage sweep range. Digital (ON/OFF‐switching) and gray‐scale analogue operations of OLED pixel are nicely demonstrated. MoS₂ nanosheet FET‐based pixel is also demonstrated, although limited to alternating gray scale operation of OLED. Device stability issue is still remaining for future study but TMD channel FETs are very promising and novel for their applications to OLED pixel because of their high mobility and I _D ON/OFF ratio.     

a-Si:H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计

分析了a—Si：H—TFT阈值电压漂移的机理，即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx：H栅绝缘层和a—Si：H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点，并针对驱动OLED的两管a—Si：H—TFT像素电路，提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法，即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号，使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程，来实现驱动OLED电流稳定的目的。     

空穴注入层技术在聚合体OLED器件中的重要性

空穴注入层技术可降低OLED成本和提高其生产效率,是使柔性OLED显示成为商品化的一个重要因素。     

玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路

以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUC poly-Si TFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品.