Numonyx NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元（MLC）NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案     

三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

近日,三星电子有限公司宣布推出业界首个20纳米级（nm）NAND芯片,用于安全数字（sD）存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用尖端技术,扩展三星电子公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。     

NAND型闪存大容量图像存储器无效块管理

针对NAND型闪存大容量图像存储器存在无效块的问题,提出了一种无效块快速检测与管理算法.在分析闪存写入无效块和非写入无效块的基础上,采用基于CAM的无效块信息分类匹配检测机制.闪存在擦除、写入和读取操作过程中采用CAM和SRAM匹配检测无效块,并存储新增长无效块.另外高速图像写入闪存过程中,提出了基于SRAM数据备份的方法,防止图像数据存储错误.通过搭建基于FPGA的闪存图像存储器硬件平台,实验证明该算法能够在5个系统时钟周期内匹配无效块,能够在3个系统时钟周期内存储新增无效块,能够匹配连续无效块信息,并实现数据备份.     

NAND闪存PK微硬盘

自2005年9月美国苹果电脑公司推出2Gb／4Gb NAND闪存替代微硬盘的ipod nano以来，在便携式消费类电子产品中NAND闪存替代微硬盘的呼声日益高涨，NAND闪存VS微硬盘的竞争日趋激烈，NAND闪存能PK掉微硬盘吗？这是NAND闪存和微硬盘业界共同关心的话题。业界普遍认为，NAND闪存与微硬盘将共存很长一段时间，正如希捷CEO Bill Watkins所说：“微硬盘与NAND闪存是一对好朋友”。当前微硬盘大规模向NAND闪存转变不太可能，或许也没有必要。从长远看，哪一种存储技术将占主导尚不明确。但是，2006年初三星电子半导体CEO黄昌圭放言：“硬盘时代”正逐渐结束，“闪存时代”即将来临。从短期看，2Gb／4Gb存储容量将成为双方争夺的对象，正如isuppli公司评论：”2006年微硬盘和NAND闪存两手都要硬”。在便携式消费类电子产品中到底采用哪一种存储器，由其存储容量、成本、尺寸、功耗和可靠性来决定。     

NAND闪存遭遇历史性挫折

NAND闪存曾是半导体领域发展最快的产品之一,是存储器的希望之星。上世纪90年代和本世纪初,闪存都是3位数的爆炸性增长,2005年依然快速增长了62．2％。市场研究公司iSuppli今年3季度还曾预测,世界闪存市场2008年将下降3％,明年将增长12％,可日前又生大变,估计今年将大幅下滑14％,为126亿美元,明年还将继续剧降15％。闪存市场出现大转折,惨遭重击。     

多值闪存驱动便携式摄像机及PND的发展

数码摄像机、PND（个人导航设备）及其它产品也开始采用NAND闪存来提高设备的附加价值。 2009年1月,佳能公司发布了内置32GB NAND闪存的数码摄像机产品iVIS HF20与iVIS HF S10（见图A。1）。与该公司采用HDD的上一代产品iVIS HG21相比,iVIS HF20在小型化及薄型化方面都更进一步。新产品中集成的存储器模块的体积仅为上一代产品中集成的1．8英寸HDD的1／20左右。     

东芝NAND闪存市场传捷报

2006年第一季度，东芝公司在NAND闪存市场斩获颇丰。作为NAND闪存第二大供应商，东芝一季度的收益为8．01亿美元，比上个年度第四季的6．8亿上升18％。东芝的佳绩同时拉动日本NAND闪存芯片在全球市场占有率，由上个年度第四季的19．2％迅速攀升至一季度的24．6，增长了5．4％。     

基于NAND闪存的自适应闪存映射层设计

NAND闪存以非易失性、低功耗、抗辐射等优点,被广泛应用于嵌入式系统中.由于闪存写前需先擦写和高坏块率等硬件特性,成为其在应用中的障碍,需要通过闪存映射层进行存储管理.通过给出一种基于NAND型闪存的自适应闪存映射技术,对数据访问模式进行判断,为不同的访问模式提供不同粒度的地址映射方法,用于充分利用NAND闪存的优势克服其缺点,提高系统性能.该方法在Linux系统上予以实现,并进行了性能测试.     

闪存市场开始NAND和NOR融合

闪存已经在DVD播放机、数码相机、MP3播放机、数字有线机顶盒／卫星机顶盒、数字电视和可拍照手机等消费类电子产品中得到广泛应用，在目前的闪存产品中，主要有NOR和NAND两类，目前以NOR类产品在市场中居于主导地位。2003年，NAND闪存占整体市场的35％左右，而包括多芯片封装产品在内，NOR则占据了剩余的65％，其中多芯片封装产品的份额是闪存整体市场的17％。     

恒忆针对无线通信、嵌入式系统和存储器市场推出新系列NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品全部采用先进的41nm制造工艺。     

3-bit-per-cell NAND闪存

美光科技公司（Micron Technology Ine．）和英特尔公司（Intel Corporation）联合推出25nm制程的3-bit．per-cell（3bpc）NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。     

三星电子量产全球最高速64GB内嵌式存储器

日前,三星电子宣布从7月份开始正式量产适用于新一代高端移动设备的,具备全球最高运行速度的64GB内嵌式存储器产品。据悉,三星电子继2012年5月推出的20纳米级64GBToggle DDR2．0NAND闪存之后,     

2010年100GB闪存价格将降至100美元以下——100GB闪存将改写电子产品市场格局

目前，NAND闪存的批量价格为6.3美元／GB-8.5美元／GB。在此基础上，如果今后存储器生产厂商能够按照每年50％的速度降低闪存价格，到2010年，100GBNAND闪存的价格将会达到1万日元（约合630元人民币）。而且，如果存储器生产厂商之间的竞争进一步激化，那么闪存价格的下降速度也会更快。     

NAND闪存错误缓解技术综述

NAND闪存以其高存储密度、高速、低功耗等优点被广泛应用于数据存储.三维堆叠闪存技术的出现和多值存储技术的发展进一步提高了密度,降低了存储成本,同时也带来了更加严重的可靠性问题.闪存主控厂商一直采用更强大的纠错码(ECC),如BCH和LDPC码来对闪存中的数据错误进行纠正.但当NAND闪存中的错误数超出ECC纠错能力时...     

Hynix 2005年NAND闪存市场收获颇丰

韩国现代半导体（Hynix）NAND闪存的销售急剧上升，2005年度约增长了500％，使Hynix牢牢占据了三分之一的市场份额。为市场的第二把交椅，2006年Hynix与日本东芝之间势必存在一场竞争。     

IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

近日,由英特尔（Intel）与美光（Micron）合资成立的IMFlashTechnology（IMFT）推出以20纳米制程生产之128GBNAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GBNAND闪存也将进入量产;128GBNAND闪存预计于2012年进行量产。     

SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术

SanDisk和东芝公司日前宣布,两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3bits／单元（3-bits—per—cell）（X3）存储芯片,共同开发出多层式芯片（MLC）NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术,它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来,与摩尔定律中的趋势线相比,模片区大幅度减小。     

MT29F2G08A／16A：2Gb90nm NAND闪存

美光公司日前推出两种2Gb的90nm闪存存储器MT29F2G08A和MT29F2G16A，目标应用在闪存卡、USB器件、海量存储设备和移动应用。NAND闪存补充了美光存储器系列和CMOS图像传感器解决方案。