完整UHF无线电收发器用FM/FSK电路

ＭＸ－ＣＯＭ Ｉｎｃ公司推出ＣＭＸ０１７发送器ＩＣ和ＣＭＸ０１８接收器ＩＣ适于ＩＳＭ（工业,科学和医学）频率范围（９００ＭＨｚ）的大量应用（包括模拟和数字窄带）以及扩频无线电链路、无绳电话、手持数据终端和无线局域网。增添少量的其他外围元件,这两款ＩＣ可集成为一种高性价比的小型收发器,在８６０～９６５ＭＨｚ频率范围以５００ｋｂｐｓ数据率发送和接收ＦＭ（调频）或移频键控（ＦＳＫ）信号 ＣＭＸ０１７和 ＣＭＸ０１８ ＩＣ采用２８引脚ＳＳＯＰ封装,工作电压２．７～３．３Ｖ,其特性满足典型电池供电工作环境的要…     

五品牌手机生产日期轻松辨

爱立信（ＥＲＩＣＳＳＯＮ） 输入（右*左*左*左*）后会显示： ＡＢＣＤＥＦ ＧＨＩＪ ＰＲＧＸＸＸＸＸＸＸＸＸ ＡＢＣＤＥＦ为年、月、日（ＹＹ／ＭＭ／ＤＤ） 诺基亚（ＮＯＫＩＡ） 输入*＃０００＃显示： ＶＸＸ·ＸＸ为软件版本, ＤＤ－ＭＭ－ＹＹ为生产日期（日－月－年）, ＮＸＸ－Ｘ为手机型号：如３３１０为ＮＨＭ－５。 摩托罗拉（ ＭＯＴＯＲＯＬＡ） 查ＭＳＮ（在手机标贴上）内容,ＭＳＮ长度为十位： ＡＡＡ－Ｂ－ＣＣ－ＤＤＤＤ ＡＡＡ为型号代码（Ａ７４－ Ｃｄ９２０／９２８, Ａ８４ ２０００）; Ｂ为产地代码（２－…     

高速RS-232接口

ＰＣ的ＲＳ—２３２接口一般工作 速度为１１０ｂｐｓ（每秒位）～１９２００ ｂｐｓ。ＭＡＸＩＭ公司的几种ＲＳ—２３２收发器,可支持高达１００００００ ｂｐｓ。另外,这些收发器的输出发送器和输入接收器是ＥＳＤ保护的（＋／－１５ＫＶ）。图１是用ＤＳＰ５６Ｆ８０３（Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司的ＤＳＰ）和ＭＡＸ３２２７（ＭＡＸＩＭ公司的高速ＲＳ—２３２）实现ＤＳＰ １Ｍ ｂｐｓＲＳ—２３２接口的设计实例。 ＤＳＰ ５６Ｆ８０３的串行控制接口（ＳＣＩ）提供发送数据输出（ＴＸＤＯ）和接收数据输入（ＲＸＤＯ）信号。其余挂钩…     

短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究

利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。     

注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性

对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的空穴陷阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的抗电离辐照能力．     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

Hole Mobility in Poly (N-vinylcarbazole) Thin Film Based on Silicium

ＨｏｌｅＭｏｂｉｌｉｔｙｉｎＰｏｌｙ（Ｎ－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）ＴｈｉｎＦｉｌｍＢａｓｅｄｏｎＳｉｌｉｃｉｕｍ①②ＣＨＥＮＢａｉｊｕｎ，ＷＡＮＧＸｉａｏｗｅｉ③，ＬＩＵＳｈｉｙｏｎｇ（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂ．ｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＯｐｔｏｅ...     

欧洲计划联合开发8in SOI晶片

欧洲计划联合开发８ｉｎＳＯＩ晶片ＪＥＳＳＩ的＂ＶＬＳＩ用的绝缘晶片上Ｓｉ＂计划瞄准了先进的ＣＭＯＳ用的８ｉｎＳＩＭＯＸ（注入氧分离）晶片制造这一目标。由ＳＯＩＴＥＣ（Ｇｒｅｎｏｂｌｅ，Ｆｒａｎｃｅ）研制的低量ＳＩＭＯＸ工艺将应用于Ｗａｃｋｅｒ化学电子...     

Electron Momentum Spectroscopy of Metal and Metal Oxide Thin Films

ＥｌｅｃｔｒｏｎＭｏｍｅｎｔｕｍＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｏｆＭｅｔａｌａｎｄＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓＸ．ＧｕｏＭ．ＶｏｓＳ．ＣａｎｎｅｙＡ．Ｓ．ＫｈｅｉｆｅｔｓＩ．Ｅ．ＭｃＣａｒｔｈｙＥ．Ｗｅｉｇｏｌｄ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｔｒｕｃ...     

Mo／Si多层膜界面离子束处理及TEM观察

Ｍｏ／Ｓｉ多层膜界面离子束处理及ＴＥＭ观察薛钰芝Ｒ．Ｓｃｈｌａｔｍａｎｎ，林纪宁Ａ．Ｋｅｐｐｅｌ，Ｊ．Ｖｅｒｈｏｅｖｅｎ（大连铁道学院，大连１１６０２２）（荷兰ＦＯＭ原子分子物理研究所）软Ｘ射线多层膜（ＭｕｌｔｉｌａｙｅｒｓｆｏｒＳｏｆｔＸ－ｒａｙＯ...