ΔV_(be)测试条件的确定方法

ΔVbe是晶体管的一个重要参数,它与晶体管的热阻有一个定量的关系,它反映了管子的功耗能力,对晶体管的封装工艺及失效分析有着重要的指导意义。一直以来我公司在测试ΔVbe时都是参考其它公司的测试条件,以下章节介绍了如何确定ΔVbe的测试条件。以我公司的TO-220封装的某器件为例来进行试验。测试Vbe时需要设定以下七个条件,它们分别是Vcb(C,B极间电压);Ie(功率电流);Im(维持电流);Pt(功率时间);Dt(延迟时间);UPPERLIMIT(上限);LOWER LIMIT(下限)。在确定这七个测试条件前先要知道晶体管的两个极限参数Vce(max) 和Ic(max),这…     

△VBE测试在产线的应用

产品在封装过程中往往存在一定的缺陷需要我们在测试时加以筛选出来,而热阻对晶体管的可靠性有着重要影响,我们利用晶体管△VBE参数与热阻在一定条件下满足一定的关系,通过对晶体管△VBE参数的测试从而间接地测试热阻参数,实现对封装产品的质量控制,具有测量效率高、测试成本低、对器件无损伤等优点.文章主要描述产品在生产过程中存在...     

全离子注入薄基区硅晶体管的研究

针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80～100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨导峰值gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.当Vbe从0.5 V变到1.2 V时,gmac/gm比βac/β大得多.跨导比电流增益更能准确地描述器件特性.这种器件更倾向于电压控制型器件,用输入电压的变化可以很方便地控制器件开关状态的转换,特别适合于数字电路的开发和应用.采用研制的器件连接了双稳态电路,在电压脉冲的控制下实现了双稳态的翻转.     

晶体管的一个重要物理参数△V_(BE)

本文从测量多种小功率、大功率晶体管在规定条件下的△V_(BE),及其随加热功率P_(Hot)的变化规律,到详细讨论测试结果.如果在相同条件下测量不同器件的△V_(BE),可以迅速评价器件热阻的大小.通过测试△V_(BE),可以对晶体管制造工艺监控;100%测试产品的△V_(BE),可以对产品作高可靠筛选.     

用ΔV_(be)法对双极晶体管结温不均匀性的测量

考虑到结温分布不均匀的情况 ,对用 ΔVbe法测量双极型晶体管的结温进行了研究 .当结温分布均匀时 ,测得的结温与测试电流无关 ;当结温分布不均匀时 ,小测试电流测得的结温高 ,大测试电流测得的结温低 ,测得结温随测试电流的变化范围随结温分布不均匀度的增加而增大 .这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性 .     

用ΔVbe法对双极晶体管结温不均匀性的测量

考虑到结温分布不均匀的情况,对用ΔVbe法测量双极型晶体管的结温进行了研究.当结温分布均匀时,测得的结温与测试电流无关;当结温分布不均匀时,小测试电流测得的结温高,大测试电流测得的结温低,测得结温随测试电流的变化范围随结温分布不均匀度的增加而增大.这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性.     

双极晶体管△Vbe瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻△VBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.     

双极晶体管△Vbe瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻△VBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.     

可定制微控制器：适用于中到大批量制造的过渡型解决方案

集成电路应用中的四大挑战 采用的晶体管数目晶体管数目会直接影响到裸片和封装尺寸、芯片成本及功耗.尽管生产工艺的不断进步使晶体管的面积越来越小,但静态和动态功耗取决于晶体管的数目.晶体管数目仍然是系统效率的一个重要指标.     

超小型功率半导体器件的封装

Microsemi公司(位于美国加州的Santa Ana)介绍了一种当前市场上出现的尺寸最小,功率密度最高的功率晶体管封装。它有三个引出端,是该公司用于表面安装的Powermite封装中的一种型号。它将主要用于移动电话,膝上型电脑,和其它便携式电子产品;它将取代用于封装半导体功率器件的D-Pak和TO-220等外形高度比较高的封装。据该公司宣称,此种封装是一种芯片规模封装CSP型式的变型品种。     

△VBE测试在产线的应用

产品在封装过程中往往存在一定的缺陷需要我们在测试时加以筛选出来,而热阻对晶体管的可靠性有着重要影响,我们利用晶体管ΔVBE参数与热阻在一定条件下满足一定的关系,通过对晶体管ΔVBE参数的测试从而间接地测试热阻参数,实现对封装产品的质量控制,具有测量效率高、测试成本低、对器件无损伤等优点。文章主要描述产品在生产过程中存在的缺陷,引入ΔVBE的测试需求,介绍了ΔVBE测试的主要技术参数,ΔVBE的测试流程和ΔVBE测试在产线的实际应用。我们通过ΔVBE的测试来减少产品的缺陷,提高产品的可靠性,提高产品的质量,从而满足客户需求,增强企业的竞争力。     

安森美半导体推出新微封装的晶体管和二极管

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充分立器件封装系列,推出新微封装的晶体管和二极管.新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列,配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求.     

外接元件对双极晶体管电磁脉冲损伤的影响

本文研究了外接电阻和外接电压源在电磁脉冲对双极晶体管注入过程中的影响。研究表明：基极外接电阻Rb的增大使器件的烧毁时间略有减小;在注入电压幅度较低时,基极外接电压源Vbe的增大有助于器件的损伤,当注入电压幅度足够高时,器件发生PIN结构击穿,基极外接电压源Vbe对器件损伤的影响变小;发射极外接电阻Re的增大能够明显降低注入脉冲加在器件上的电压降,从而提高器件的耐受性。外接电路元件对双极晶体管损伤的影响,归根结底都是对构成器件发生电流模式二次击穿的条件的影响。     

超高速化合物半导体器件(6)

以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用.     

莫托洛拉公司正在努力降低管壳成本

<正> 随着高频功率晶体管载体的金属化技术的发展,通讯晶体管公司已生产了一系列大功率器件,这些器件封装在常用的 TO-220塑料管壳中,仍然能在高达500MHz 的频率下工作。该公司声称,由于采用了塑料封装,器件的成本大约为采用铜-陶瓷管壳的高频大功率晶体管成本的一半。然而,近来莫托洛拉公司对 TO-220型塑料管壳的作用持异议,认为塑料封装的功率晶体管的功率在30MHz 及更高的频率下大约为10W 左右。这种极限可能是由于晶体管发射极     

带内建二极管的彩电行管瞬态热阻的测量

本文以实验比较了一般功率晶体管和带内建二极管的功率晶体管的EB结的温度特性,分析了并联在EB结上的扩散电阻Rb对测量晶体管△V_(BE)E产生影响的原因.提出了带内建二极管的功率管△v_(BE)测量条件.     

超导晶体管

美国一家公司最近发明一种新型超导晶体管,它的功耗比目前最佳的高速半导体器件功耗低得多,同时,在很小的空间能封装大量的这种器件,因此提高了电路集成度.超导晶体管由三薄层铌(或一种铅合金)构成,在层间有较薄的绝缘材料.这一结构有两个结,通过结,准粒子(在超导条件下的电子,由于在材料里相互作用的结果,使它比微小电子上所带的有效电荷还要小)在适当条件下能穿过势垒.起始,超导材料和硅、砷化镓     

简述驻极体传声器的频响特性

1传声器频响传声器除灵敏度和等效噪声级主要电参数之外,还有一个非常重要特性,就是它的频率响应特性。传声器的核心之一是传声器专用管。传声器管的某些电参数,基本上都是根据传声器的特殊需要而设定的。如传声器管的频响△Gvf,输出电压增益Gv,减电压特性△Gvv,等效输出噪声电压Vno等,甚至于基本测试电路、测试条件都一样。国内在制订传声器管的标准时,又是完全照搬日本三洋公司2SK596的产品说明书中标称的规范值。如三洋公司规定传声器管的△Gvf小于1dB。国内也要求△Cvf必须小于这个数值。在生产传声器过程中,其频响特性是…     

微波晶体管满功率老炼技术研究

对35 micro-x封装的微波晶体管防自激老化电路的各部分功能进行了详细介绍,讨论了如何判定管子是否处于稳定工作状态的方法。通过在测试间里搭建老化电路,模拟实际老炼状态,使用红外热像仪测试壳温的方法,比较了不同散热条件下的壳温测试数据,得出了管子的壳温以及管帽和管底之间的温度差。试验证明:在管底使用铝块和导热硅胶相结合散热的方法,能解决35 micro-x封装形式的低结温晶体管老化过程中的结温控制问题。     

新微封装的晶体管和二极管

安森美半导体扩充分立器件封装系列。推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列，配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。