冷阴极潘宁离子源的改进实验及其应用

一、引言 离子源是离子注入机的关键部件。注入机如能配备一个较理想的离子源,就可以得到品质较好,数值较大的束流以及不同种类的离子。 由于冷阴极潘宁离子源具有功耗小、寿命长、结构紧凑、体积小、电源简单、束流调节方便等特点。所以被广泛应用在离子注入机上。尤其作为半导体器件注入工艺用的离子注入机大多采用冷阴极潘宁离子源。     

LC—2A型离子注入设备的某些改进

本文叙述了弗里曼(Freeman)离子源体联接在LC-2A型中能离子注入机上的应用;表明了弗里曼离子源体与LC-2A型中能离子注入机光路系统相吻合后,可以茯得较大束流;这样,满足了我所半导体集成电路研制工艺中高剂量离子注入掺杂要求;文章还讨论了LC-2A型离子注入机束流增大后引起的诸如离子流的污染、磁分析器扁管防“穿通”、以及样品热聚积效应问题。     

用于强流离子注入的多极头离子源

多极头离子源技术已在融合和等离子加工的中性束加热方面获得了应用,但把这种离子源应用于离子注入的报道却少见。多极头离子源的几何形状能满足离子注入所希望的若干特征,具有束流引出面积大,产生静等离子体和形成手段灵活等特点。与常规的弗里曼源不同,它不需外加磁场、用于强流离子注入机的多极头离子源已研制成功,实验结果表明这种离子源的性能与标准弗里曼源相似,而且源的寿命更长。本文将介绍用BF_3作为掺杂气体的多极头离子源性能和寿命的实验结果。     

高温溅射离子源及其在LC—3型高能离子注入机上的使用

高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。     

离子注入机的辐射剂量

一、引言随着器件工艺的不断发展,对离子注入机提出了更高的要求,70年代初的离子注入机只能获得几十微安的束流,称为弱流离子注入机。近年来,广泛采用的是中束流离子注入机,束流可达几百微安,能量一般在200kev以下。同时束流达毫安级的大束流离子注入机,能量在100kev以下,也得到迅速的发展。随着束流的提高,注入剂量的增大,离子注入机的辐射剂量也随之增大。测量结果表明,离子注入机的辐射线主要是X—γ射线,为了减少辐射线对工作人员的危害,并为设计离子注入机提供一些参数,我们对我所生产的LC_2和LC_3型离子注入机,以及国内现有部分离子注入机的辐射剂量进行了较全面的调查和测量.本文简要介绍我们的调查和测量结果。     

大束流离子注入机能量污染的研究

能够精确控制离子注入的能量从而控制掺杂的深度是离子注入机的重要特征。本文讨论了大束流离子注入机能量污染，产生的原因及降低能量污染的方法。     

大束流离子注入机能量污染的研究

能够精确控制离子注入的能量从而控制掺杂的深度是离子注入机的重要特征。本文讨论了大束流离子注入机能量污染，产生的原因及降低能量污染的方法。     

国外离子注入机发展动态

国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展，为适应中００、０．５μｍ工艺的需求，国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机，现将其现状介绍如下：新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于０．５度。２００ｍｍ晶片内注入...     

离子注入机金属铝离子源的气源的优选

注铝离子注入机,是宽禁带半导体SiC产业的关键设备,金属铝离子源直接影响了整机的性能指标,特别是PM周期和离子源寿命.为保证离子源的长寿命和铝离子大束流,针对金属铝离子源放电的辅助气源进行了一系列的研究和实验,包括铝离子产额、束流质谱、阴极使用寿命及污染导致的放电打火情况等,通过实验结果筛选出最佳的气源.     

LY-3A型离子源

LY—3A型—永磁冷阴极电子振荡型离子源,是我们在一九八八年研制的最新科研成果,该离子源具有低耗高效、长寿命、束流品质好、多电荷离子产额高、气耗小、工作稳定可靠、结构简单,小巧轻便、真空性能好、离化元素广泛等优点。是离子注入机、材料改性机、加速器等设备理想的离子源。     

采用外接恒流源对注入机进行剂量校准

本文作者采用KEITHLEY220型可编程电流源对半导体生产中的关键工艺设备EATONNV6200A进行剂量校准，确保离子注入设备的精确计量，本文对于测试原理及校准过程作了详细论述，目前这一监控手段已用于实际生产，对工艺参数控制有一定的指导意义。     

双电荷离子注入的倒阱技术

本文从VLSl CMOS倒阱意义出发,结合我所中能离子注入的双电荷产生及其应用研究,介绍了在NV—3204注入机上实现近400keV的B受主高能注入以形成单峰(约1.0μm)、阱深(约2.0μm)的P倒阱。在此基础上,将它应用到新的CMOS硅栅工艺中。结果初步预示:新一代P倒阱CMOS硅栅工艺具有工艺流程简单、高温经历时间短、抗闩锁能力强等优点。对于只有中能离子注入机的单位,这一双电荷离子注入形成倒阱,将是一种现实有效的技术,也是P型深注入结的有效手段。     

用于材料改性的宽束离子源现状及其发展

本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。     

辅助镀膜用K系列强流宽束考夫曼离子源

文章介绍了新型K系列多会切场强流宽束离子源（MCLB-8,16,18）。由于采用新型多会切磁场和优化的引出系统,该系列源在薄膜辅助沉积的能量（200-1000eV）范围内,具有良好的低能特性和束流分布均匀性,可使用反应气体或惰性气体工作。因此该系列源可用于各种高性能薄膜制备的大面积辅助沉积,也可用于制备大面积类金钢石膜（DLC）。文中介绍了该系列源的结构及性能。     

离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究

报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果,分析了源掺杂,镀膜气氛,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系,作出了电阻率低达2×10     

一种新型基准电流源电路设计

模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2 V CMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2 V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。     

NV-centers in diamond. Part II. Spectroscopy,spin-state identification,and quantum manipulation

The spectral and coherent properties of nitrogen-vacancy (NV) centers in diamond are described, together with the techniques used for their experimental investigation. Particular attention is given to recently developed methods of initialization and spin-state identification for a single NV center or a spin system based on an NV center. Both electronic and nuclear spin are considered. Active and passive methods of lengthening the relaxation and phase-coherence times are discussed.     

A voltage down converter with submicroampere standby current forlow-power static RAMs

A submicroampere standby current voltage downconverter (VDC) for high-density, low-power static RAMs is described. The current consumption of the VDC in standby mode can be decreased by using a novel low-current and temperature-independent current source circuit. The total current is less than 0.5 μA at external voltage ranging from 3 to 5 V and at temperatures ranging from -20 to 80°C. The voltage-follower circuits for standby and operation modes are stable despite the low current consumption in the standby mode. The phase margin of the voltage follower for standby mode is 50°, and that for operation mode is 90°. This indicates that the VDC is a promising circuit for battery-backup and high-density static RAMs     

DC characteristics of high-breakdown-voltage p-i-n diodes made by20-MeV Si implantation in InP:Fe

A vertical p-i-n diode is made for the first time in InP:Fe using megaelectronvolt energy ion implantation, A 20-MeV Si implantation and kiloelectronvolt energy Be/P coimplantation are used to obtain a buried n⁺ layer and a shallow p⁺ layer, respectively. The junction area of the device is 2.3×10^-5 cm² and the intrinsic region thickness is ≈3 μm. The device has a high breakdown voltage of 110 V, reverse leakage current of 0.1 mA/cm² at -80 V, off-state capacitance of 2.2 nF/cm² at -20 V, and a DC incremental forward resistance of 4 Ω at 40 mA