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本文介绍了现代硅基核心功率半导体器件IGBT的历史演变和新型器件结构的研究进展,阐述了该器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了IGBT技术面临的技术挑战和发展趋势。 相似文献
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简要分析了IGBT(绝缘栅双极晶体管)的工作机理,制作了20A/1050V的IGBT芯片,给出了测试结果,并对试制样品中辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论。 相似文献
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高压IGBT制造技术的最新动向 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了当前2.5-4.5KV高压IGBT的最新制造技术和典型器件结构,认为高压大电流IGBT器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。 相似文献
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概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT—IGBT,Trench IGBT,Trenchstop—IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。 相似文献
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IGBT的传输特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对绝缘栅双极晶体管中宽基区、低增益pnp晶体管与普通高增益晶体管之间的差异进行了综合分析,表明,IGBT的工作特性必须采用双极传输理论来描述。 相似文献
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本文基于理论分析和实验研究,分别在n^-/n^+/p^+外延和硅单晶基片上实现了1300V及1600V高压IGBT;并进而证实了获得高压IGBT相互联的关键技术──器件纵向横向几何结构及工作参数的准确计量优化,低缺陷密度高性能厚层硅材料的工艺生长技术,和复合高压终端结构的叠加组合形成。 相似文献
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智能电网应用的大功率IGBT模块技术 总被引:1,自引:0,他引:1
近年来IGBT模块技术进步扩展了IGBT应用范围,进入了诸如轨道牵引、HDVC和包括智能电网系统的电能质量等真正的大功率领域。本文着重IGBT技术及其在欧盟UNIFLEX-PM(未来电网通用灵活电能管理先进功率变流器)项目应用情况。 相似文献
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本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。 相似文献
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张晓云 《电子工业专用设备》2014,(4):18-21,41
介绍了功率IGBT模块封装中所用到的氮化铝DBC技术和铝碳化硅技术,通过对其材料特性、技术特点分析以及其对IGBT模块性能的影响分析,说明了氮化铝DBC和铝碳化硅在未来高压大功率IGBT模块发展中的作用和发展趋势。 相似文献
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本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHMB模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。 相似文献
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IGBT全自动装片机是用于IGBT制造封装业中的后道封装工艺-固精工序。传统的封装工艺采用两台设备经过两次装片,两次加热,容易造成两次氧化的工艺、应力二次释放等问题。文章讨论的IGBT装片工艺是在一台设备上完成双芯片键合和焊料封装工序,实现IGBT器件的高速、精确装片,为了实现本工艺采用了双抓取、双Wafter平台技术,双识别、双监控系统等多项高端技术。文章从IGBT全自动装片机研究的必要性、工艺的创新性、可行性等几个方面进行了分析。 相似文献
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大容量IGBT整流器采用三电平PWM控制,应用调整载波相位配合等技术有效降低了谐波对电网的影响,采用高功率因数矢量控制技术,保证了网侧输入功率因数达到1.0;采用低开关频率载波并配合预见性PWM控制技术,提高IGBT在大容量系统中的应用能力。通过在运行中检修试验等实践,证明了其可以较好满足生产中各项要求。 相似文献