混合集成电路金丝热超声球焊工艺及应用发展

混合集成电路工艺已成为今后电源和器件等微型化模块快速发展的关键瓶颈,在简要介绍内部引线键合技术的基础上,重点讨论HIC和MCM中广泛应用的直径25.4μm金丝热超声球焊工艺的技术特点、材料特性、工艺过程、工艺控制、工艺设计、目检要求、强度测试和应力试验,介绍了该工艺在近期的应用与发展.     

集成电路封装中的引线键合技术

在回顾现有的引线键合技术之后,文章主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。球形焊接工艺比楔形焊接工艺具有更多的优势,因而获得了广泛使用。传统的前向拱丝越来越难以满足目前封装的高密度要求,反向拱丝能满足非常低的弧高的要求。前向拱丝和反向拱丝工艺相结合,能适应复杂的多排引线键合和多芯片封装结构的要求。不断发展的引线键合技术使得引线键合工艺能继续满足封装日益发展的要求,为封装继续提供低成本解决方案。     

引线键合技术进展

引线键合以工艺简单、成本低廉、适合多种封装形式而在连接方式中占主导地位.对引线键合工艺、材料、设备和超声引线键合机理的研究进展进行了论述与分析,列出了主要的键合工艺参数和优化方法,球键合和楔键合是引线键合的两种基本形式,热压超声波键合工艺因其加热温度低、键合强度高、有利于器件可靠性等优势而取代热压键合和超声波键合成为键合法的主流,提出了该技术的发展趋势,劈刀设计、键合材料和键合设备的有效集成是获得引线键合完整解决方案的关键.     

功率混合集成电路键合强度控制研究

通过引入铜过渡键合垫片，取消了金-铝键合系统，改用铝-铝键合，以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级，满足某些特殊领域的要求。运用SPC控制，对键合工艺进行了有效控制，使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到了较大的提高。     

混合电路内引线键合可靠性研究

本文简述了混合电路以及半导体器件内引线键合技术原理，分析了影响内引线键合系统质量的因素，重点分析了最常见的几种失效模式：键合强度下降、键合点脱落等，并提出几点改良措施。     

陶瓷封装集成电路芯片焊盘设计

在设计陶瓷封装集成电路芯片的焊盘时,需要考虑到引线键合工艺对芯片焊盘设计的一些要求,诸如焊盘尺寸、焊盘布置、焊盘间距、焊盘引出金属条、焊盘到周围布线或元件间的距离等。文中对这些设计给出了一些参考数据。     

不同状态的SiAl丝对混合集成电路键合点根部损伤的影响

键合点根部损伤是Al丝超声键合工艺中最常见的问题之一，严重的根部损伤不仅使焊点的键合强度降低，甚至会使键合点失效。本通过优化键合机器的工艺参数，分析键合丝的组成成份和采取不同的退火条件，研究Al丝超声键合中键合点根部损伤的程度，为键合丝的选用提供依据，也为进一步提高Al丝超声键合强度做一些基础工作。     

混合集成电路金铝键合退化与控制研究动态

混合集成电路的两种金铝键合系统,有着不完全相同的两种退化模式。综述了相关的退化机理和控制方法的研究状况。金丝与芯片铝膜的Au/Al键合系统,是键合IMC、Kirkendall空洞导致其界面开裂失效;铝丝与厚膜金导体的Al/Au键合系统,除了界面开裂外,还存在键合根部因铝原子向IMC过度迁移而形成铝丝内部空洞导致铝丝断裂。采用铜丝代替金丝,可有效控制Au/Al键合系统的退化;采用过渡垫片或在金浆料中加入少量Pd,同时减少金导体膜厚度,可有效控制铝丝Al/Au键合系统的退化。     

混合集成电路用的封装材料

首先介绍混合集成电路封装技术的发展，然后讨论混合集成电路封装材料的选择及其依据，最后介绍新的混合集成电路封装材料。     

集成电路制造技术展望

简要论述了集成电路的发展和特大规模集成电路中部份硅生产工艺技术近几年的发展趋势。特大规模集成电路仍然朝着较大直径的硅单片和较小的特征尺寸方向发展。当特大规模集成电路特征尺寸在0.1μm以下时，角度限制散射投影电子束光刻和极紫外线光刻以及离子投影光刻等光刻技术是较佳侯选者。离子注入掺杂技术将向高能量与低量离子注入领域发展。淀积可靠耐用的TiN薄膜阻挡层是下一步溅射工艺的发展目标。集成电路的生产将向自动化方向发展。     

厚膜混合集成电路用的激光调阻系统

介绍厚膜混合集成电路用的激光调阻系统的机理，结构，切割图形及工艺参数。     

国外宇航级混合集成电路发展浅析

分析了美国、欧洲、日本等国家发展宇航级混合集成电路的策略、宇航标准体系和产品制造商质量体系认证等情况,详细介绍了美国Crane Interpoint、Natel公司等国际知名企业研发宇航级混合集成电路产品的概况。探讨了未来国际宇航级混合集成电路的技术和产品发展趋势,最后分析了国内外技术研究水平的差距,提出了发展中国宇航混合集成电路产品的建议。     

混合集成电路的Fabless之路

Fabless是SIC(半导体集成电路)行业中无生产线设计公司的简称.Fab1ess开拓出市场后(或根据市场未来的需求进行风险投资)进行产品设计,将设计的成果外包给Foundry厂家生产芯片,生产出来的芯片返回Fabless,由Fabless封装测试后独家销售.     

现代工艺集成电路的总剂量效应及加固技术

随着核技术和空间技术的发展，越来越多的电子设备不可避免地应用于各种辐射环境中。介绍两类重要的辐射环境及现代工艺集成电路总剂量效应的产生机理，详细描述电子空穴对的产生、氧化层陷阱电荷和界面陷阱的特点及对器件或电路的影响，并对现代先进工艺的抗辐射特点及应用前景进行了探讨。指出随着CMOS工艺不断按比例缩小，作为栅介质；HfO2最具应用前景，而Smart—Cut材料则是非常有发展前景的SOI材料，很可能成为今后SOI材料的主流。     

薄膜混合电路中有机薄膜厚度的快速测定

介绍了一种无损、快速、准确测定有机薄膜厚度的新方法-FT-IR反射-干涉光谱法.对测厚的原理进行了分析,将此方法用于薄膜微波电路生产中光刻胶和聚酰亚胺厚度的测定,并与传统的用台阶仪测厚方法进行比较. FT-IR反射-干涉光谱法更方便、快捷、更准确,避免了光刻的过程和光刻显影过程中显影液对膜厚的减损,以及台阶测厚仪本身可能造成的测量误差.     

混合集成电路技术发展与展望

混合集成电路(HIC)作为微电子领域的一个重要分支,它的发展得益于军事电子装备的高性能、多功能、小型化和高可靠的要求.文章概要介绍了HIC技术和产品发展现状,简要分析了国内外HIC技术和产品存在的差距,展望了HIC未来发展趋势,最后提出发展我国HIC的目标和建议.     

单片集成MEMS中的阳极键合工艺

分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响，并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法：对于玻璃在硅片上方的键合方式，通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以在很大程度上减轻阳极键合工艺的影响；而玻璃在硅片下方的键合方式，硅片上的电路几乎不受阳极键合工艺的影响，两种方法各有优缺点。