国外微波晶体管概况

微波晶体管可分为双极晶体管和场效应晶体管两大类。在微波频率范围内,这些器件主要应用于微波低噪声放大器和微波功率源。双极晶体管已有较长的发展历史,现已进入成熟阶段,但到目前为止,一般限于C波段以下应用,而场效应晶体管在C—Ku波段仍表现出良好的微波性能。从应用来说,一般使用双极晶体管电路较为简单。在放大器中容易作到宽带匹配,而使用场效应管则较为复杂。因此,在近期内,在C波段以下的应用中,双极晶体管仍占主导地位。在C波段以上,双极晶体管的性能还有待进一步改进。而场效应管在C～Ku波段将占主要地位。     

国外微波低噪声晶体管发展动态

遵照毛主席“洋为中用”、“知彼知己,百战不殆”的教导,现将各资本主义国家对微波低噪声晶体管的研究和生产情况,作一介绍,以供参考。众所周知,微波波段的信息容量比低频段、高频段都大得多,外界噪声对系统的影响也较小,天线和整机体积都可大大缩小。因此,国防尖端技术,如核弹、导弹、雷达、卫星、探测、通讯等所用的无线电系统越来越多地选在微波波段。因此,在这波段上对小型化低噪声接收机的要求越来越迫切。当前在接收机用的器件中,低噪声混频二极管和低噪声晶体管     

国外硅功率晶体管发展概况

功率晶体管是电流放大器件,其参数依赖于结构和几何图形。有四个重要参数:击穿电压、电流增益、速度和功率耗散。它们相互制约,限制着功率晶体管的设计。功率晶体管的设计有不同的方案,因而出现了几种不同的结构,其各种结构的优缺点归纳于表1。     

国外锗晶体管概况

一、概述 锗晶体管从一九四八年美国贝尔实验室研制出来以后,发展极为迅速,但近年已趋饱和,目前稍有下降的趋势。例如日本72年为514百万只,73年540百万只,74年435百万只。 锗管产量下降原因有三方面,1.锗管本身在特性上低劣于硅管,2.锗材料来源较少,资本主义国家主要限于南非和刚果,3.合金法工艺不利于自动化生产。不但如此,近年来锗管研究近于停顿,文章和报告都很少。 但是锗晶体管似有某些优点,特别在低频、中小功率器件等方面,硅管仍然不能全部取代锗晶体管。     

异质结微波晶体管概况

文章综述了异质结双极晶体管和扬效应晶体管的发展概况,介绍了异质结器件的主要设计原理以及双极、单极器件的优点,也叙述了异质结器件工艺实现的可能性。     

国外半导体微波技术发展概况

一、引言目前,半导体微波技术,正在电子对抗、卫星通信、遥控、遥测、相控阵雷达以及民用微波通信等现代化整机方面广泛地得到应用。半导体微波器件的发展,业已促进了整机的固体化和小型化的实现。而现代化的整机,又对半导体微波器件提出了更高的要求。比如在微波波段要有大功率信号源以作固体发射源,又如在微波领域要有低噪声器件以作固体接收部件。目前,在半导体微波器件中进展最快的是微波晶体管。双极晶体管和场效应晶体管     

硅微波双极功率晶体管概况

<正> 一、引言六十年代初硅双极功率晶体管的研制开始进入微波领域,从那时起功率晶体管开始闯进长期以来为电子管牢固独占的微波电子管阵地。整个六十年代尤其到七十年代头几年硅微波双极功率晶体管雨后春笋般地向频率更高、功率更大的方向飞速发展。1965年E.O.Johnson 发表了晶体管的功率频率极限问题的研究。梳状图形的结构出现较早,接着出现了复盖图形结构,1967年出现了网状发射极结构,70年又出现了菱形结构。由于微波波段同低频、高频和超高频相比有频率高、频带宽的优点,因此微波功率晶体管很     

微波晶体管的发展

微波功率晶体管正在发展。图1示出一九六六年前后出现第一个1千兆赫5瓦的晶体管后的“发展速度”。在微波功率晶体管的发展中,通常是力图在较高的频率下获得大的功率。几乎在所有新的设计中,功率受频率响应所限制。晶体管的电流工作能力与发射极周长和基极面积成正比,而频率响应又和发射极—集电极间距的平方以及电容成反比。因此,对已定的基区宽度来说,功率输出—频率能力限制在一定的范围内。     

国外低频硅功率晶体管概况

一、硅功率晶体管的发展概况 一九五七年硅合金功率晶体管问世,是硅晶体管进入功率领域的良好开端。近二十年来,尽管其它名目繁多的半导体器件层出不穷地进行着新陈代谢,但硅功率晶体管这个老产品却一直在稳步地向前发展着。 图1是1970～1975年世界市场上硅功率晶体管和闸流管的增长情况。图2表示德克萨斯仪器公司1960～1980年半导体定货总量中功率器件所占的百分比。这在美国是有代表性的。从这两幅图表可以看出,即使在集成电路高速发展的今天,硅功率晶体管仍发挥着它的作用。     

国外异质结双极晶体管设计概况

本文介绍了以宽禁带发射极晶体管为重点的六种异质结双极晶体管(HBT)的一般设计原则。为说明这一原则还给出了一个高速开关HBT的设计实例。     

国外微波半导体器件研制概况

伟大领袖毛主席曾教导我们说:“指挥员使用一切可能的和必要的侦察手段,将侦察得来的敌方情况的各种材料加以去粗取精、去伪存真、由此及彼、由表及里的思索,然后将自己方面的情况加上去,研究双方的对比和相互关系,因而构成判断,定下决心,作出计划,——这是军事家在作出每一个战略、战役或战斗的计划之前的一个整个的认识     

国外微波二极管及集成电路概况

一、引言 早在第二次世界大战期间,人们就已在雷达中使用微波点接触二极管来进行混频和检波,首先开创了微波半导体接收器件的研究,五十年代初,由于晶体管的出现,使人们对于半导体物理的研究产生了浓厚的兴趣,大大推动了这门新学科的发展。在此基础上,于五十年代末出现了变容二极管和隧道二极管。六十年代初出现了表面势垒二极管。这些新接收器件的出现,大大提高了接收机的灵敏度。     

国外微波管用于军事装备的概况

微波的波束竟,虽然分辨率不如激光,但适于搜索目标。微波的大气衰减小,可以全天候工作,微波管的研制水平较高较成熟,可以提供大功率、高效率、宽频带、长寿命的功率源,因此微波管是有重要地位和生命力的。虽然微波固体器件有不少优点,有取代微波管的趋势,但在要求较大功率的场合微波管具有独特的优点。美国60年代末70年代初忽视微波管的发展,使美国的军用系统受到严重损害,这是一个深刻的教训。目前国际上既注意毫米     

微波功率晶体管近几年来的发展水平

微波功率晶体管近几年来的发展速度保持着迅速的步子。以5瓦连续输出功率晶体管为例,1962年频率为0.25千兆赫,1964年为0.5千兆赫,1966年为1千兆赫,1968年为2千兆赫,1969年计3千兆赫,1972年为4千兆赫,1973年可达5千兆5瓦。在不久的将来连续输出5瓦的功率管每1～2年可望提高1千兆赫。     

微波功率晶体管的发展与分析

本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT,HFET,MISFET,金刚石、SiC电子器件,真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况。提出了发展微波功率晶体管的几点想法。     

射频微波晶体管的发展现状及分析

对当前各种类型射频微波晶体管的结构特点、性能和应用情况进行了分析和综述.对晶体管的发展历史进行了全面而细致的回顾,指明了今后射频微波晶体管的发展特点和发展趋势,得出了射频微波晶体管的选型原则.     

晶体管的高频性能及其发展概况

自从1951年第一只面结型(生长型)晶体三极管诞生后,人们努力的方向之一是提高晶体管的高频性能.十余年来,在这方面已取得了飞跃的发展.但与电子管,特别是微波电子管相比,晶体管在高频性能(尤其是高频大功率)方面尚有逊色.这是由于晶体管的内部结构和工作机理比较复杂的缘故.在电子管内,构成电流的电子是在真空中运动,即电流的流通是依     

微波双极晶体管和微波场效应晶体管线性放大器

1.引言近年来,由于微波双极晶体管和微波场效应晶体管在制造工艺上所取得的成就,使得使用电真空器件的一些无线电设备单元完全可以用半导体器件代替。用线性放大器作为无线电发射设备的输入,输出极和中放、以及作为无线电测量仪器的某些单元是     

新型微波晶体管

本文介绍了调制掺杂晶体管、电子有效质量调制晶体管和电子截断波长晶体管的原理、结构和发展动态,并简述了其发展前景。