MEMS封装技术研究进展

介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。     

MEMS封装技术现状与发展趋势

介绍了 MEMS封装技术 ,包括单芯片和多芯片封装技术。从适用性的观点出发 ,概述了当前的 MEMS封装技术现状 ,并对其未来的发展趋势做出了分析     

MEMS：芯片外的封装级设计考虑

封装形式的选择对当今基于MEMS的产品是非常关键的，这是因为它们几乎占了总体物料和装配成本的20％～40％     

芯片粘接工艺对MEMS性能影响的单元库法模型

芯片粘接工艺引起的器件-封装热失配会对MEMS器件的可靠性和性能产生显著影响.常用FEM模拟在分析此类问题时比较费时且缺乏明确的理论意义.文中基于单元库法思路提出了该类问题的理论建模方法,并依此举例分析了芯片粘接工艺中各可变参数对双端固支梁pull-in电压的影响,其结论与Ansys模拟结果一致.该方法简单准确,对MEMS的封装-器件协同设计将有着实际的意义.     

芯片粘接工艺对MEMS性能影响的单元库法模型

芯片粘接工艺引起的器件-封装热失配会对MEMS器件的可靠性和性能产生显著影响.常用FEM模拟在分析此类问题时比较费时且缺乏明确的理论意义.文中基于单元库法思路提出了该类问题的理论建模方法,并依此举例分析了芯片粘接工艺中各可变参数对双端固支梁pull-in电压的影响,其结论与Ansys模拟结果一致.该方法简单准确,对MEMS的封装-器件协同设计将有着实际的意义.     

MEMS封装技术现状与发展趋势

介绍了MEMS封装技术，包括单芯片和多芯片封装技术。从适用性的观点出发，概述了当前的MEMS封装技术现状，并对其未来的发展趋势做出了分析。     

冲电气的首块MEMS芯片亮相

Hittite公司宣布推出型号为HMC462LP5、HMC463LP5、HMC464LP5和HMC465LP5用标准表面安装技术(SMT)封装的四款新的宽带GaAs PHEMT放大器。     

MEMS麦克风专利布局与技术发展分析

针对MEMS麦克风国内外专利文献进行检索、收集、统计及分析,文章综述了MEMS麦克风专利申请状况并重点分析了专利技术的发展情况,从MEMS麦克风芯片和封装两方面详细阐述了专利技术布局、发展脉络以及MEMS麦克风领域的最新技术研究热点。     

新型在线处理快速固化芯片粘结剂

一、前言对于塑封应用聚合物芯片粘结来说，目前已大部分取代了以前使用昂贵的预制金片烧结。结果，每年聚合物芯片粘结市场已超过6000万美元。通常，一种芯片粘结材料可用于不同的器件形式和封装类型。但是，根据当前芯片朝更大、封装更簿和在线处理方向发展的趋势，这种方式已不再适合了。于是，塑料包封器件芯片粘结市场按照对材料不同要求分成两块：低成本小芯片快速固化材料和大芯片＼薄型封装低应力／抗“爆米花”popcorn材料。烘箱固化掺银环氧树脂和聚酸亚胺粘结芯片方法成为工业化标准已多年，但其典型的粘结固化时间是在175℃下烘…     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性 ,因此 ,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式 ,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1] 。最后给出了一些商业化的实例     

MEMS划片技术的现状与技术革新

MEMS独特的结构和特性,给划片工艺带来了巨大的挑战.介绍了传统砂轮划片技术在MEMS芯片生产中的局限性,指出了隐形激光划片技术的优越性,综述了激光划片技术在MEMS划片中的应用,对几种较成熟的先进激光划片技术进行了比较,对各自的工作原理、特点、工序作了重点阐述,并对MEMS划片技术的发展前景作了展望.     

微加工射频可变电容的研究与进展

我们给出并比较各种最新颖的可变电容,这些电容包括上极板水平移动的可变电容、梳状水平移动的可变电容、平行板上下移动的可变电容、平行板梳状上下移动的可变电容、改变介质的交叠面积的可变电容、使用水平执行器的可变电容、使用绝缘衬底实现的可变电容和使用MEMS开关调节电容阵列来实现的可变电容,比较了目前的可变电容的各种结构以得出目前工艺条件可以较容易实现的高Q值的可变电容。     

基于MEMS的双功能温控芯片的设计与制作

为满足微全分析系统集成化的发展要求,设计制造了一种微型温控芯片。该芯片以硅为基底,采用MEMS工艺集成了加热和温度传感双重功能。介绍了芯片的制作工艺,并对加热器和温度传感器的性能进行测试和分析,结果表明,该芯片加热响应迅速,温度传感器灵敏度高、线性度好。而且这种温控芯片体积小、结构简单,易于集成。     

集成工艺中叠片BGA阵列翘曲的几何非线性预测分析

对层叠芯片BGA(SDBGA)阵列进行了线性小变形和非线性大翘曲仿真。与实验测量结果相比,线性方法不能反映翘曲形态而非线性大变形仿真能够反映出这种翘曲。原因在于,在小变形假设下,线性仿真不能考虑变形之后横断面惯性矩的变化。而非线性仿真则不受此假设的影响。文中基于非线性特性分析、预测了在整个集成工艺中SDBGA阵列的翘曲。利用“弯曲交互作用”和“翘曲竞争”解释了SDBGA阵列的翘曲特性。通过与线性仿真结果的比较,量化了几何非线性对集成工艺中SDBGA块封装翘曲的影响。     

一种基于工艺模拟的MEMS断裂可靠度预测方法

提出了基于工艺模拟的断裂失效概率计算方法,充分考虑了非理想形貌对失效概率的影响,使得预测结果更加准确.并利用APDL语言对ANSYS进行二次封装,采用VC++开发了可靠度计算程序,使得整个计算过程简便、高效.     

射频微机电系统技术现状

较全面地介绍了 RF MEMS 器件、由 RF 器件构成的组件及应用系统,并给出了一些新的典型示例。通过比较 RF MEMS 器件与传统微波器件在性能、尺寸等各方面的差别,可以了解 RF MEMS 技术在相控阵雷达上运用的优势。     

MEMS技术研究及应用

首先阐述了微电子机械系统 (MEMS)技术的基本概念、特点及概况 ;其次 ,介绍了MEMS技术的分类及在各领域的应用产品 ;最后 ,重点介绍了RFMEMS技术 ,包括某些RFMEMS器件的典型结构及性能指标     

RF MEMS开关封装的通孔工艺研究

将喷胶技术应用到金属互联工艺中,此方法可以用于器件的封装。具体工艺步骤如下:在衬底与硅帽键合结束后在底部湿法刻蚀孔200μm。在孔中利用PECVD生长SiO2,优化喷胶工艺在盲孔底部进行光刻,RIE除去SiO2后电镀金与衬底正面器件实现金属互联,传输线从衬底底部引出。针对整个流程中关键的步骤,进行20μm深孔光刻实验,结果证实能在深孔中光刻图形。     

石英微机械陀螺敏感芯片的抗振动分析与改进

石英微机械陀螺是振动惯性器件,而陀螺敏感芯片结构的抗振动能力会直接影响陀螺的性能。由于工作环境的振动会对陀螺的性能产生一定的影响,因此需提高陀螺敏感芯片结构的抗振动能力。该文利用有限元仿真软件对敏感芯片结构进行随机振动仿真分析,通过对敏感芯片结构的优化,提高了陀螺的抗振动能力。     

基于共晶的MEMS芯片键合技术及其应用

叙述了MEMS封装中共晶键合的基本原理和方法,分析了Au-Si、Au-Sn、In-Sn等共晶键合技术的具体工艺和发展,并对其应用作了介绍.