CeO2颗粒含量和尺寸对铝化物涂层和基体互扩散行为的影响

研究发现,在铝化物涂层中添加活性元素（Reactive Element,简称RE）,例如钇,铪,锆,铈及其氧化物,可以显著提高涂层的抗氧化性能。本文通过在Ni基体电沉积纳米CeO2颗粒（15-30 nm）含量~0,~1,~2,~3 wt. %和微米CeO2颗粒（5 μm）含量~1 wt. %的Ni-CeO2复合镀层并对其进行部分渗铝,制备了不同CeO2颗粒含量和尺寸掺杂的δ-Ni2Al3/Ni涂层体系。将以上CeO2掺杂的铝化物涂层在1000 °C真空退火不同时间,研究CeO2颗粒含量和尺寸对铝化物涂层和基体互扩散行为的影响。退火结果表明,纳米CeO2颗粒的添加可有效减轻δ-Ni2Al3/Ni涂层体系的退化,而且随着CeO2颗粒含量的增加,其对互扩散的抑制作用明显增强;但微米CeO2颗粒的添加对涂层和基体的互扩散几乎没有影响。这是因为CeO2颗粒含量和尺寸会影响高温过程中铝化物/Ni镀层界面处CeO2富集层的形成,该富集层可作为扩散障,阻碍铝化物涂层和基体的互扩散。     

Effect of CeO2 on the Isothermal Oxidation of Electrode- posited Ni-Al Composite Coatings at 950 °C

采用微米Al和纳米Ce O2颗粒与Ni复合的方法在Ni基上制备了3种不同Al含量的Ni-Al-Ce O2复合镀层,作为对比采用相同的工艺制备了不含纳米CeO 2颗粒的Al含量相当的Ni-Al复合镀层。微米Al颗粒尺寸范围为1~5m,纳米Ce O2颗粒平均尺寸为10 nm。SEM/EDAX和TEM分析结果表明,纳米CeO 2颗粒的添加细化了基体Ni的晶粒。950℃下恒温氧化实验结果表明:在相同的Al颗粒含量条件下,不管Ni-Al复合镀层是形成NiO还是Al2O3氧化膜,纳米CeO 2颗粒的加入都提高了Ni-Al镀层的抗氧化性能。同时对Ce O2影响Ni-Al复合镀层的氧化性能进行了详细的分析。     

CeO_2对Ni-Al复合镀层950℃恒温氧化性能的影响(英文)

采用微米Al和纳米Ce O2颗粒与Ni复合的方法在Ni基上制备了3种不同Al含量的Ni-Al-Ce O2复合镀层,作为对比采用相同的工艺制备了不含纳米CeO 2颗粒的Al含量相当的Ni-Al复合镀层。微米Al颗粒尺寸范围为1~5m,纳米Ce O2颗粒平均尺寸为10 nm。SEM/EDAX和TEM分析结果表明,纳米CeO 2颗粒的添加细化了基体Ni的晶粒。950℃下恒温氧化实验结果表明:在相同的Al颗粒含量条件下,不管Ni-Al复合镀层是形成NiO还是Al2O3氧化膜,纳米CeO 2颗粒的加入都提高了Ni-Al镀层的抗氧化性能。同时对Ce O2影响Ni-Al复合镀层的氧化性能进行了详细的分析。     

La_2O_3/CeO_2颗粒尺寸对Ni-La_2O_3/CeO_2复合电镀层高温氧化性能的影响(英文)

通过向普通硫酸镍电镀液中添加一定含量的微米或纳米La2O3/CeO2颗粒,采用复合电镀制备微米或纳米La2O3/CeO2颗粒分布的Ni基复合镀层,并研究La2O3/Ce O2颗粒尺寸对Ni-La2O3/CeO2复合镀层在1000°C抗氧化性能的影响。结果表明:与普通Ni镀层相比,Ni-La2O3/CeO2复合镀层中的La2O3/Ce O2颗粒通过溶解扩散进入氧化膜中,阻碍Ni的外扩散,从而降低氧化速度;此外,与La2O3/CeO2纳米颗粒相比,La2O3/Ce O2微米颗粒在氧化初期还起到扩散障碍层的作用,对阻碍Ni的外扩散具有更强的作用。     

La2O3/CeO2颗粒尺寸对Ni-La2O3/CeO2复合电镀层高温氧化性能的影响（英文）

通过向普通硫酸镍电镀液中添加一定含量的微米或纳米La2O3/CeO2颗粒,采用复合电镀制备微米或纳米La2O3/CeO2颗粒分布的Ni基复合镀层,并研究La2O3/Ce O2颗粒尺寸对Ni-La2O3/CeO2复合镀层在1000°C抗氧化性能的影响。结果表明:与普通Ni镀层相比,Ni-La2O3/CeO2复合镀层中的La2O3/Ce O2颗粒通过溶解扩散进入氧化膜中,阻碍Ni的外扩散,从而降低氧化速度;此外,与La2O3/CeO2纳米颗粒相比,La2O3/Ce O2微米颗粒在氧化初期还起到扩散障碍层的作用,对阻碍Ni的外扩散具有更强的作用。     

Y2O3/CeO2改性的低温渗铝涂层制备和循环氧化性能研究

本文利用Y2O3/CeO2纳米颗粒替代部分Al2O3粉作为填充剂,在Ni基体上, 600℃低温渗铝10h,制备了Y2O3/CeO2改性的低温渗铝涂层。作为对比,采用相同的工艺在Ni基体上利用纯Al2O3粉制备了普通渗铝涂层。对比研究了Y2O3/CeO2是如何影响氧化铝的相变以及渗铝涂层的1000℃时的循环氧化性能。结果发现,Y2O3和CeO2对q-a相变具有不同的作用：Y2O3抑制?-Al2O3的长大,而CeO2促进?-?相变。与普通渗铝涂层相比,Y2O3/CeO2改性的渗铝涂层形成粘附性更好的氧化铝膜,提高了渗铝涂层的循环氧化性能。文中对Y2O3/CeO2是如何影响?-?相变以及渗铝涂层的循环氧化性能进行了分析。     

Ni-CeO2纳米复合镀层的摩擦磨损性能

采用复合电镀技术,通过向普通电镀溶液中加入平均粒度约为10 nm的CeO2颗粒的方法在Ni基上制备了Ni-CeO2纳米复合涂层. XRD和SEM/EDAX分析结果表明,CeO2纳米颗粒均匀分布在Ni纳米晶中,由于纳米CeO2颗粒的加入,Ni-CeO2纳米复合涂层的择优取向由单Ni镀层的 (200)变为 (111),在镀层中起弥散强化作用的CeO2同时细化了基体Ni的晶粒尺寸,使得与单Ni镀层相比,Ni-CeO2纳米复合镀层表现出了更高的硬度、低的摩擦系数和更好的耐磨性能.     

Al2O3改性的渗铬涂层制备与氧化性能研究

采用在Ni基上复合电镀Ni-Al2O3纳米复合涂层后在1100 ℃扩散渗铬3 h的方法,制备Al2O3改性的渗铬涂层.作为对比,采用相同的工艺在单Ni镀层上直接渗铬,获得一种不含Al2O3纳米粒子的渗铬涂层.SEM/EDS和TEM结果表明:Al2O3纳米颗粒均匀分布在Ni纳米晶中, 纳米Al2O3颗粒的加入不仅细化基体Ni的晶粒尺寸,而且明显抑制在渗铬过程中涂层晶粒的长大.900 ℃, 120 h的氧化试验结果表明:与不含Al2O3纳米粒子的渗铬涂层相比,Al2O3改性的渗铬涂层所具有的细晶结构促进了保护性氧化物形成元素Cr沿晶界向氧化前沿的快速扩散,从而有利于保护性Cr2O3氧化膜的快速形成,同时改变氧化膜的形成过程,降低氧化速度,使得Al2O3改性的渗铬涂层表现出更优异的抗氧化性能.并对Al2O3渗铬涂层的组织及氧化机制进行了分析.     

Pt/Zr共改性铝化物涂层的抗高温氧化性能研究

采用电镀Pt和化学气相沉积Al-Zr共渗两步法制备了一种Pt/Zr共改性铝化物涂层,并对其进行了组织结构表征和1000℃抗高温氧化性能测试。结果表明:Pt/Zr共改性铝化物涂层外层主要相为β-(Ni,Pt)Al,同时含有少量的PtAl_2和PtZr相。在1000℃氧化300 h后,Pt改性铝化物涂层和Pt/Zr共改性铝化物涂层中均有大量的有益相β-NiAl存在,表现出很好的抗高温氧化性能;Pt/Zr共改性铝化物涂层比单一的Pt改性铝化物涂层具有更低的氧化速率,其表面氧化膜也更加致密,这是因为在保护性的Al2O3膜下方形成了条状的富Zr氧化物,可以起到钉扎的作用。     

Ni-28.0 mass%Al纳米复合镀层的氧化研究

利用复合电镀技术，通过向电镀溶液中加入平均粒度为75 nm的Al粉的方法在Ni基材上制备了Ni-28.0 mass%Al纳米复合涂层，XRD和TEM分析表明，Al纳米颗粒均匀分布在Ni纳米晶粒中.1050℃氧化实验表明：Ni-28.0 mass%Al纳米复合镀层的氧化速度明显低于单Ni镀层及Ni基材的，这是因为在氧化过程中Ni-Al纳米复合镀层热生长连续的Al2O3氧化膜.      

超声辅助对共沉淀法制备富锂锰基正极材料Li[Li_0.144Ni_0.136Co_0.136Mn_0.544]O₂性能影响的研究

通过超声辅助共沉淀法成功制备了富锂锰基正极电极材料,研究了不同的超声时间对材料形貌、结构和电化学性能的影响。研究发现,超声辅助能够使材料颗粒更加均匀,结构更合理,有利于材料电化学性能的提升。当合成前躯体材料超声时间为8h时,复合材料的放电比容量最好,在0.1C的初始放电比容量为327.8 mAh g_-1,均高于未超声的复合材料的265.2 mAh g_-1,1C下循环50圈后放电容量为181.6 mAh g_-1,保持率为84.8%。通过循环伏安法测试和电化学交流阻抗测试,发现超声后的复合材料还原氧化峰电流更大,电荷转移阻抗更小,具有较好的倍率性能。     

Fe₇₃Si₁₅Nb₃B₈Cu₁铁芯薄带的热处理工艺研究

本文对用Finemet型Fe73Si15Nb3B8Cu1快淬薄带制备的铁芯增加预退火处理,再在540 oC晶化退火处理得到退火铁芯。结果表明,随着预退火温度提高,预退火的薄带及再经晶化退火的薄带的韧性均逐渐降低,预退火后非晶薄带的第一晶化温度变化不大,而第二晶化峰值温度向高温方向偏移,预退火扩大了非晶薄带晶化退火的温度范围,有利于获得性能更加稳定的非晶纳米晶薄带;增加预退火处理的薄带的晶粒尺寸比直接晶化退火薄带的晶粒分布更均匀,其中在450 oC预退火的薄带经晶化退火后,晶粒尺寸在8~15 nm之间。增加预退火的铁芯样品,其振幅磁导率和铁损较直接退火的均有明显改善,其中经450 oC预退火的铁芯具有最大的振幅磁导率（μa=8.6×104, f=10 kHz）和最小的交流铁损（P0.5/10k=8.7 W/kg）,分别较直接退火的铁芯升高了16.0%,下降了17.1%。     

Zn_²⁺掺杂对共沉淀法制备Ce:Gd₃Ga₃Al₂O₁₂陶瓷粉体闪烁性能的影响

本文利用化学共沉淀法制备Zn_²⁺共掺的Ce:GAGG陶瓷粉体。研究了Zn_²⁺共掺的Ce:GAGG陶瓷前驱粉体的TG/DTA和FTIR曲线;分析了不同煅烧温度对Ce:GAGG陶瓷粉体相、形貌和颗粒度分布的影响;系统研究了Zn_²⁺含量对Ce:GAGG陶瓷粉体光致发光,辐射发光,激发光谱和荧光寿命的影响。研究表明：前驱粉体在883℃的相组成为GdAlO₃相和GAGG相;前驱粉体在煅烧温度为900℃时,完全转化为GAGG相;当煅烧温度为1200℃时,GAGG颗粒尺寸控制在20nm~60nm,分布均匀;随着 Zn_²⁺含量的变化,光致发光和辐射发光强度也相应变化,特别的,当Zn_²⁺含量为0.4mol%时,光致发光和辐射发光强度达到最大值;随着Zn_²⁺掺杂含量的上升,荧光寿命出现下降的趋势。因此,Zn_²⁺含量对Ce:GAGG陶瓷粉体的辐射发光具有明显的影响,对降低荧光寿命具有积极的作用,对于提高GAGG闪烁材料的快速响应具有重要意义。     

连铸含铝钢中Al2O3夹杂物形态控制探讨

水口结瘤是连铸含铝钢面临的主要问题之一。针对连铸含铝钢钢水可浇性问题,首先分析了传统含铝钢中Al2O3夹杂形态控制的钙处理技术。在热力学计算的基础上,提出了高铝钢中夹杂物控制思路,认为采用转炉渣洗和合适的精炼渣而不用钙处理能保证钢水的可浇性。     

压力对Mg₃Zn₃Y₂相的结构、电子和力学性能影响的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究了高压对面心立方化合物Mg3Zn3Y2的结构,弹性和电子性能的影响。在0GPa下优化的晶格常数与其他计算和实验结果相吻合。计算并分析了Mg3Zn3Y2的弹性常数。基于弹性常数的计算结果,推导了Mg3Zn3Y2的体积模量(B),剪切模量(G),杨氏模量(E),泊松比(ν),各向异性指数(A),熔点和硬度。结果表明压力的增加可以促进Mg3Zn3Y2的力学性能。最后,通过的电子态密度的分析,表明随着压力的增加,Mg3Zn3Y2相的结构稳定性降低。     

ZrB₂含量对Nb-Mo-ZrB₂复合材料氧化行为的影响

利用热压烧结法,在2400℃烧结温度下,制备了NbMo固溶体（此后记作(Nb,Mo)ss）基陶瓷颗粒增强复合材料。其中,ZrB2陶瓷增强相的体积分数分别为15%,30%,45%和60%。本文研究了在800℃,1000℃和1200℃下,ZrB2含量对复合材料抗氧化性和氧化产物演变的作用。试验结果表明,氧化温度和ZrB2含量均对复合材料的氧化行为有影响。从氧化速率常数角度讲,ZrB2-(Nb,Mo)ss复合材料的抗氧化性随ZrB2含量的增加而提高,随氧化温度的提高而降低。800℃-1000℃的氧化产物中含有膜状Nb2Zr6O17相,能作为屏障阻止氧气向基体扩散,因此在800℃-1000℃时,复合材料氧化速率较低。然而,在1200℃氧化时未发现Nb2Zr6O17相,MoO3的剧烈挥发和ZrO2的体积效应破坏了Nb2Zr6O17保护层,导致了氧化层严重剥落,材料的抗氧化性极差。综上,本文结合观察到的氧化产物形貌,详细阐述了不同ZrB2含量的复合材料在不同温度下的抗氧化机制。     

磷酸铁锂/石墨烯复合材料的低温微波水热法制备及性能

采用喷雾干燥结合低温微波水热法制备了石墨烯/LiFePO₄复合正极材料,利用SEM、XRD、DLS等对其微观形貌、结构、粒度分布进行了表征,并利用恒流充放电、CV、EIS等测试研究了复合正极材料的电化学性能和电极动力学过程。结果表明,与未包覆的样品相比,石墨烯包覆的LiFePO₄具有优异的倍率性能(5C放电比容量为125.4 mAh?g_-1)和循环稳定性(1C条件下100次充放电后容量保持率在95%左右)。包覆石墨烯后LiFePO₄正极材料的电荷迁移电阻减小,电化学可逆性增强,从而提高了材料的倍率性能。本文提供了一条提高磷酸铁锂正极材料电化学性能的简便途径,具有良好的应用前景。     

Electronic structures of Heusler alloy Co2FeAl1-xSix surface

We have calculated the electronic structures of Co2FeAl1-xSix(101) surface using first-principles method based on the density functional theory. Because of the surface effect, the minority spin band gap at the Fermi level disappears at the surface of bulk Co2FeAl1-xSix. However, beneath the surface, the minority spin gap opens at the Fermi level, which indicates that the electronic structures of Co2FeAl1-xSix(101) be-come close to that of bulk phase. Accordingly, the Co2FeAl1-xSix(101) surface is a composite tri-layer structure that corresponds to the weakening of half-metallic property in Co2FeAl1-xSix films. Even though, the spin polarization of Co2FeAl1-xSix(101) surface is still larger than that of Co2FeAl or Co2FeSi materials, making Co2FeAl1-xSix a promising spintronics material.     

Andreev reflections in a Bi<Subscript>1.8</Subscript>Pb<Subscript>0.3</Subscript>Sr<Subscript>1.9</Subscript>Ca<Subscript>2</Subscript>Cu<Subscript>3</Subscript>O<Subscript>x</Subscript> break junction

The current-voltage characteristic (CVC) of a break junction made from polycrystalline Bi_1.8Pb_0.3Sr_1.9Ca₂Cu₃O_x is investigated. The experimental CVC has a hysteretic feature that reflects part of the curve with a negative differential resistance. The CVC is discussed within the framework of the Kümmel-Gunsenheimer-Nicolsky theory that takes into account multiple Andreev reflections in superconductor/normalmetal/superconductor junctions.     

Connectionism;Backpropagation;Structure;Interpretation;Symbolic Logic

A particular backpropagation network, called a network of value units, was trained to detect problem type and validity of a set of logic problems. This network differs from standard networks in using a Gaussian activation function. After training was successfully completed, jittered density plots were computed for each hidden unit, and used to represent the distribution of activations produced in each hidden unit by the entire training set. The density plots revealed a marked banding. Further analysis revealed that almost all of these bands could be assigned featural interpretations, and played an important role in explaining how the network classified input patterns. These results are discussed in the context of other techniques for analyzing network structure, and in the context of other parallel distributed processing architectures.