移动通信用的半导体技术

介绍了移动通信的发展动向和移动通信对半导体技术的要求。给出了具体的器件技术包括Si双极晶体管、SiMOSFET、GaAsHBT、HJFET和HEMT以及电路技术。     

第三代无线通信及相关半导体技术

介绍了第三代无线通信系统 ,着重展望第三代无线通信系统用的新型半导体器件与技术的发展前景     

第三代无线通信及相关半导体技术

介绍了第三代无线通信系统，着重展望第三代无线通信系统用的新型半导体器件与技术的发展前景。     

SiGe半导体技术新进展

综述了 Si Ge材料的性质、主要研究方向以及最新的发展情况 ,并介绍了国外 Si Ge的研究情况。     

半导体技术如何构建无线通信的未来

在推动通信产业发展的时候，不管针对是2.5G、3G还是4G技术，政府和企业领导以及从事研究开发的工程师们都应该从半导体技术、芯片技术的角度有一个思考，这是我今天报告的第一个主题。     

功率半导体技术的发展浪起潮涌

本文概述了各种功率半导体器件与功率集成电路的现状与最新发展动向，从新结构、新材料等方面展望了功率半导体技术的发展趋势，指出功率半导体技术正朝着高温、高频、低功耗、高功率容量以及智能化、系统化方向发展。     

从ASIC到PLD:半导体技术市场趋势展望

根据Dataquest的统计数据,PLD是半导体行业中增长最快的细分市场,复合年度增长率(CAGR)达19.5%。这一数字是ASIC市场预计9%复合年度增长率的两倍多。过去,可编程芯片在半导体行业中一直是很重要的外围器件,由于其灵活性而被广泛用于ASIC仿真、胶合逻辑,或者作为适应标准变化的一种解决方案。今天,在与ASIC和ASSP的市场份额竞争中,PLD取得了很大进步。目前,该技术正逐渐成为主要设计技术,而且业界也在普遍向可编程芯片转移。作为重要的ASIC替代解决方案,PLD现在已成为大势所趋。促进这种发展的主要因素是FPGA技术的重大进展…     

科技为本 创新为魂 由半导体技术引起的重大革命

半导体功率器件与功率集成电路是半导体器件与集成电路大家族中的一个重要成员与分支。以科学院院士陈星弼教授为代表的电子科技大学微电子所在此领域获得某些具有国际先进水平、具有自己知识产权的重大突破与创新,为我国半导体功率器件及功率集成电路的发展谱写了光辉的一章。本刊刊登此文,旨在引起各级领导和企业家,对发展拥有自己知识产权的,并使之能形成规模生产的功率器件与功率集成电路的高度重视。     

半导体技术进步与人才培养

回顾晶体管发明以来半导体技术巨大发展及规律，介绍关系其今后发展的某些关键技术，分析研究工作和科技人工培养在半导体产业发展中的关键作用。     

手机中的半导体技术

根据手机电路系统的构成与要求以及各种半导体技术的特点，论述了不同的半导体技术在手机电路集成中的适用性。     

最新半导体技术亮相IEDM2005

半导体技术的国际盛会“IEEE国际电子器件会议(IEDM2005)”于2005年12月5日～7日在美国华盛顿举行。各公司许多即将用于量产的元器件技术都在此次会议上崭露头角,如65nmCMOS工艺、4Gb闪存,以及用于高速通讯的UWB等。在本届IEDM上,还有很多即将占据今后几年内主流地位的半导体技     

SiGe泮导体技术新进展

综述了ＳｉＧｅ材料的性质、主要研究方向以及最新的发展情况，并介绍了国外ＳｉＧｅ的研究情况。     

用于射频无线通信的MEMS器件

无线通信的发展已成为推动半导体工业发展的真正动力，许多半导体公司为了在这一领域占有一席之地正大力开发微电机械系统(MEMS)。实现目标的途径之一是设计出可集成无源器件的方法，这些器件占当今无线手机中所用器件的70％。研究人员目前正努力开发芯片集成技术，MEMS技术便是其中的重要组成部分。MEMS已用于开关、滤波器、局域振荡器、可调电容器及高品质因数电感线圈等。制作这些器件的光刻条件与那些标准的在极端复杂的表面上进行的半导体制造工艺大相径度。本文讨论了制作这些器件的难点以及一些经证明可以满足要求的制作方法。