Ce在Si(111)面上吸附的EHT研究方法

采用集团模型和半经验的EHT方法研究Ce原子在Si(111)顶位和三度位吸附,由体系总能量最低确定了稳定的吸附位置,并在最稳定的三度吸附位讨论了Ce-Si成键特性和状态密度.结果表明,Ce原子的5d和4f轨道与Si原子的3p轨道相互作用,在费米能级以下形成了混杂的能级,同时5d和4f轨道的能量降低,获得少量6s轨道的电荷,而整个Ce原子失去约0.8个电子.计算所得结果及态密度在吸附前后的变化与第一性原理的DVM计算符合较好.     

(Pb1-xSrx)TiO3薄膜的结构与光学特性研究

采用sol-gel法制备(Pb1-xSrx)TiO3(x=0.40,0.50,0.60,0.70,简称PST40,PST50,PST60与PST70)前驱体溶液,通过旋涂工艺在石英玻璃基片上沉积PST薄膜。研究了PST薄膜的结构和光学特性。结果显示,经750℃退火30min,所得PST薄膜为晶化良好的钙钛矿立方结构,薄膜平均晶粒尺寸为200～300nm。750℃退火的PST40、PST50、PST60和PST70薄膜样品的直接带隙能分别为3.74,3.79,3.80和3.85eV。随着Sr含量的增加,带隙能增加。     

用于BOC(1,1)信号捕获的非模糊算法

基于BOC(1,1)信号特性,建立了多载波模型,对几种BOC捕获的非模糊算法作了简要介绍和总结.通过比较各种算法的复杂度和性能,选择类BPSK方法作为研究对象,并对一阶类BPSK的方法作了改进,提出了二阶类BPSK,用最大合并准则(MRC)接收主瓣和旁瓣信号,降低了能量损失.通过载噪比分析和仿真发现,与传统的一阶类BPSK相比,二阶类BPSK能增加0.8 dB检测率,最后可以得到比较理想的捕获结果.     

Si衬底(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜的制备与性能研究

性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其制备工艺可与 Si微电子技术兼容。测试结果表明 ,其微观结构致密 ,绝缘性较好 ,电阻率可高达 1 0 1 1 Ω· cm量级 ,介电常数与热释电系数分别可达 1 0 2 及 1 0 - 2 μC/cm2 K量级。     

Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7/Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3复合薄膜介电性能的频率特性研究

采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备了Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)/Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)双层复合薄膜,并研究了该薄膜在100 kHz~6 GHz频率范围内的介电性能。研究结果表明,BZN/BST复合薄膜的介电性能具有良好的频率稳定性。该复合薄膜的介电常数在研究的频率范围内基本与频率无关;其介电损耗在频率低于1 GHz时与频率无关,在频率高于1 GHz时随频率的上升而略微增大;薄膜在研究的频率范围内具有稳定的介电调谐率。     

Au衬底的制作及Co(Ⅱ)TsPc/Au的表面增强喇曼散射研究

在表面增强喇曼散射(简称SERS)活性最突出的三种衬底Ag、Cu及Au中,Ag和Cu不仅由于增强效果好,更由于衬底制作的成本低廉,方法多样,而在SERS研究中被广泛使用。相比之下,尽管Au性能稳定,不易氧化,而且在红光激发下具有与Ag和Cu相媲美的增强效果,但终因成本昂贵,制作方法单一等因素的存在,在很大程度上限制了对Au衬底的选用。     

清洁及单层吸附的Mo(001)表面声子色散研究

用最近邻及次邻中心相互作用势讨论了清洁的Mo(001)表面声子。作为初步近似,用质量亏损模型讨论了不同吸附原子质量对表面声子的影响。     

掺Cr,Ni对S在Fe(100)面吸附的第一性原理研究

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似下计算了Fe中掺Cr或Ni时S原子在Fe(100)面吸附的结构和电子性质,并计算了其分子轨道和吸附能。结果表明:S原子均是吸附在H位最稳定;纯铁时S在Fe(100)面H位的吸附能为-7.70 eV,掺Ni时S原子在H位的吸附能为-7.35 eV,吸附能的相对变化为4.5%;掺Cr时S原子在H位的吸附能为-5.79 eV,吸附能相对纯铁时变化为24.8%,表明掺Cr对S原子在Fe表面的吸附抑制作用更大。对比分析了每种吸附情况下的分波态密度,结果发现掺Cr时具有较高的局域电子云重叠,从而产生的排斥作用抑制了S原子的吸附。     

La掺杂对Ca_(3-x)La_xCo_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)/Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y复合热电材料的性能优化研究

采用助溶剂法和固相反应法分别合成Ca_(3-x)La_xCo_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)(0≤x≤0.16)和Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y陶瓷粉体,通过热压烧结制备Ca_(3–x)La_xCo_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)/Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y复合热电材料,研究了La掺杂对复合热电材料的微观结构、物相组成和热电性能的影响。结果表明:La掺杂复合热电材料的XRD谱与标准JCPDS卡保持一致,没有引进新的杂质;La掺杂样品的电导率和Seebeck系数同时增加,功率因子得到显著提高。在973 K时,Ca_(2.92)La_(0.08)Co_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)/Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y样品的功率因子达到4.477×10~(–4 )W·m~(–1)·K~(–2)。