高线性度CMOS射频AB类功率放大器设计

CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内.采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析,采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析.利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿,提高了CMOS射频AB类放大器的线性度.基于TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一款两级射频AB类功率放大器.该射频功率放大器差动输入,单端输出,工作频段为804~940MHz,工作电压为3V.仿真指标为:增益为11dB,输出1dB压缩点为17.2dBm,OIP3为18.2dBm,附加效率为37%.     

2.4GHz CMOS线性功率放大器设计

利用双重器件提高线性度的方法,设计了一个两级电路结构的线性功率放大器,可应用于蓝牙系统发射模块。电路基于台基电公司（TSMC）0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺进行设计,该功率放大器的中心工作频率为2.4GHz,利用ADS2008U2对电路进行模拟仿真。仿真结果显示,当输入信号功率为-7.8dBm时,功率增益为30.6dB,功率附加效率为26.67%,1dB压缩点输出功率为22.79dBm,具有很高的线性度。     

CMOS工艺射频功率放大器的实现与验证

射频功率放大器是无线设备的关键器件,GaAs工艺被广泛使用在射频功放的设计制造上。而CMOS工艺在生产成熟度和成本上有很大优势,主要关注用CMOS工艺来做射频功放的问题,介绍世界上第一颗量产的CMOS功放及其所使用的特殊技术。利用一款成熟的手机产品,替换这颗功放及外围器件,最后与原产品进行对比测试。     

基于电容补偿技术的CMOS功率放大器设计

利用电容补偿技术技术可以有效提高功率放大器的线性度.这垦描述了一种采用电容补偿技术改善线性的5.25GHz WLAN的功率放大器的设计方法,使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路,在此基础上设计输入输出匹配网络,然后使用ADS软件进行整体仿真,结果表明在1.8 V电源电压下,电路改进后与改进前相比较,用来表示功率放大...     

CMOS功率放大器在射频识别技术中的应用概述

针对国内外射频识别技术的迅猛发展,结合射频识别技术的应用背景,阐述了读写器中最大的耗能器件—功率放大器的研究现状;指出CMOS工艺应用于功率放大器设计的局限性和可行性;最后,探讨了将CMOS功率放大器应用于射频识别技术的主要研究方向。     

基于有源匹配转换器的全集成双频带射频CMOS功率放大器的设计

设计了基于有源转换器的双频带射频CMOS功率放大器,该放大器可以应用于移动WiMAX系统. 设计采用了0.13μm CMOS 工艺并且所有的匹配完全集成在芯片内. 转换器可以通过有源匹配而在双频带工作,在2.5和3.5GHz,转换器的效率为78.2%和70.4%,功率放大器的增益分别为26.5和24.8dB,功率增加效率为20%和28%,在平均功率25dBm处,三阶交调系数均低于-30dBc.     

基于有源匹配转换器的全集成双频带射频CMOS功率放大器的设计

设计了基于有源转换器的双频带射频CMOS功率放大器,该放大器可以应用于移动WiMAX系统.设计采用了0.13μmCMOS工艺并且所有的匹配完全集成在芯片内.转换器可以通过有源匹配而在双频带工作,在2.5和3.5GHz,转换器的效率为78.2%和70.4%,功率放大器的增益分别为26.5和24.8dB,功率增加效率为20%和28%,在平均功率25dBm处,三阶交调系数均低于-30dBc.     

CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和Load Pull技术,采用 0.18 μm CMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器。在电源电压1.8 V,温度25 ℃,输入信号0 dBm条件下,具有最大输出功率26.1 dBm,PAE为60.2%。     

2.1 GHz射频CMOS混频器设计

设计了一个用于第三代移动通信的2.1 GHz CMOS下变频混频器,采用TsMC 0.25 μm CMOS工艺.在设计中,用LC振荡回路作电流源实现低电压;并用增大电流和降低跨导的方法提高线性度.在Cadence RF仿真器中对电路进行了模拟,在1.8 V电源电压下,仿真结果为:1 dB压缩点PtdB-10.65 dBm,lIP3 1.25 dBm,转换增益7 dB,噪声系数10.8 dB,功耗14.4 mW,且输入输出端口实现了良好的阻抗匹配.并用Cadence中的Virtuoso Layout Editor软件绘制了电路的版图.     

电视发射机射频功率放大器的调试

电视发射机射频功率放大器的调试·调试与维护·河南鹤壁市广播电视局刘志学电视发射机末级电子管功率放大器是整机发射功率扩展的关键部位。它工作状态的好坏，直接影响到整机的性能和技术指标。由于该级功率放大器，一般均采用矩形谐振腔（米波）、同轴谐振腔（分米波）...     

基于负载牵引技术的射频功率放大器设计

本文描述了微波电路中基于负载牵引技术的WLAN功率放大器的设计方法。笔者采用CMOS工艺设计了两级差分放大电路,并对该差分放大电路进行负载牵引。在此基础上,我们设计了输入输出匹配网络,最后使用ADS软件进行整体仿真。结果表明,在1．8V电源电压下,放大器增益为29dB,1dB压缩点的输出功率为18．3dBm,功率附加效率为16．8％,满足系统指标要求。     

一种用于便携式射频识别阅读器的CMOS功率放大器

针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B),提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构,以实现发射信号的OOK调制.采用0.18μm CMOS工艺实现的这种高效率、高度集成的无线发射机前端由射频信号调制器、E类功率放大器以及相应的逻辑控制单元组成,其中的功率放大器的小信号增益约为23dB,其1dB压缩点输出功率为17.6dBm,最大输出功率为19.0dBm,而最大功率增加效率为35.4%.整个发射机的输出信号满足相应协议的特定要求,可以实现不同调制深度(18%和100%)的射频信号输出.     

DX-200中波发射机射频功率放大器工作原理

数字化调幅发射机由音频信号+直流信号+72 kHz超音频三角波产生复合信号,经过模/数(A/D)转换,变化成12 bit的数字化信号,经过调制编码板编码后去控制224个射频放大器通断,产生调幅波。DX系列发射机的设计是积木化的,各种型号发射机的不同之处在于射频功率放大器模块的总数和单块模块的输出功率不同,从而可以产生出不同的功率等级。基于此,以DX-200数字化中波发射机为例,介绍射频功率放大器的工作原理。对于其他功率等级的发射机,可以举一反三。     

面向DSRC的5.8GHz射频功率放大器仿真设计

基于winHBT工艺,利用ADS软件实现了用于DSRC系统5.8GHzRFPA的仿真设计,电路采用自适应线性化偏置电路,为核心电路提供了补偿电流和补偿电压。根据二端口网络S参数和Loadpull技术完成了功率放大器的匹配网络设计。最后在Cadence环境下完成了功放的版图设计。     

0.18μm CMOS工艺5 GHz WLAN功率放大器设计

介绍采用TSMC公司的0.18μm CMOS工艺应用于5 GHzWLAN(无线局域网)发射集中的功率放大器的设计方法,并给出了仿真结果。电路采用A类三级放大结构,在3.3 V工作电压下,增益为23.7 dB,1 dB压缩点输出功率21.8 dBm,最大功率附加效率15%,可望用于WLAN 802.11a标准的系统中。     

一种基于自适应偏置的2.4 GHz CMOS功率放大器

提出了一种单端自适应偏置电路,该电路能够根据输入信号功率,动态地调整输出直流电压,以提升射频功率放大器(PA)的线性度及功率回退区域的效率。为验证该电路的功能,设计了一种2.4 GHz PA,该电路基于单端三级结构设计,采用0.18 μm CMOS工艺制造,电路输入及输出阻抗匹配网络均集成于片内。测试结果表明,PA的增益为26.8 dB,S11和S22均小于-10 dB,OP1 dB为23.5 dBm,功率回退6 dB点PAE和峰值PAE分别为14%和24%。该PA对WLAN、ZigBee等2.4 GHz设备具有一定的应用价值。     

射频包络消除与恢复功率放大器性能分析

从双频信号模型出发,分析了包络通道带宽和相位包络间信号延时差对交调失真的共同影响,得出了一个更符合测试结果的通用简化模型.该简化模型克服了Raab模型只能处理零延时差和无穷包络通道带宽这两个特例的局限性;采用本文模型得出的交调失真等高线图还可以帮助设计者快速准确地选择电路参数.最后,基于GSM/EDGE射频信号,用一个935MHz的射频功放示范了本文提出的设计方法.     

CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术

设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较,指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响;提出了一种片上变压器的设计方法,即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式,解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1.35 dB,其功率合成效率高达76%以上,适合多模多频段射频前端的应用。     

2.4 GHz CMOS功率放大器设计

利用CMOS工艺设计的功率放大器具有制造成本低的优点。介绍一种使用中芯国际（SMIC）公司0．18μ CMOS工艺设计的A类功率放大电路。采用单端两级放大。结构简单并且能够稳定工作。该功率放大器中心工作频率为2．4GHz。电路用Cadence公司的SpectreRF工具进行模拟,1dB压缩点输出功率22dBm，最大输出功率24dBm，可应用于蓝牙系统发射模块。     

CMOS射频集成电路的研究进展

近年来，射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展，CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨，着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案；分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展；展望了CMOS技术在射频领域的发展前景。