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将三氧化二锑(Sb2O3)引入聚偏氟乙烯(PVDF)基体中,制备具有近红外激光响应性的PVDF/Sb2O3复合材料。探究Sb2O3的含量、粒径和激光参数(激光电流、激光扫描速率)对PVDF/Sb2O3复合材料激光标记性能的影响。结果表明:当Sb2O3含量为3%,粒径为0.2μm,激光电流为11 A,扫描速率为600 mm/s,对PVDF/Sb2O3复合材料的激光标记综合效果最佳。激光炭化的程度直接影响,复合材料的表面颜色深度与粗糙度。激光标记产生的无定型碳物质,是构成激光标记图案的主要组成部分。 相似文献
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用溶液共混法制备出聚偏氟乙烯/氧化石墨烯复合材料(PVDF/GO),经高温热压将GO还原得到聚偏氟乙烯/还原氧化石墨烯复合材料(PVDF/rGO)。研究了填料种类及含量对复合材料电学性能、热稳定性和力学性能的影响。结果表明:随GO和rGO的添加,两种复合材料的介电常数(ε r)均变大、介电损耗(tanδ)变化不大;低含量下GO和rGO均能提高PVDF的热稳定性,但rGO对PVDF性能的改善效果更好;随填料含量从0增加到8%(质量),100 Hz下PVDF/rGO复合材料的ε r从3.60增加到38.30,PVDF/rGO[4%(质量)]复合材料失重率为5%的分解温度较纯PVDF提高了6.44℃。rGO增强了PVDF的刚性,PVDF/rGO复合材料的拉伸强度先增大后减小,杨氏模量逐渐增大,当rGO含量为4%(质量)时拉伸强度最大,拉伸强度和弹性模量分别较纯PVDF提高了35.30%、22.58%。但GO和rGO都降低了复合材料的击穿场强。 相似文献
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《塑料科技》2021,(1):30-34
通过在聚偏二氟乙烯(PVDF)塑料薄膜上负载聚乙烯吡咯烷酮(PVP)改性TiO_2光催化纳米粒子制备了集油水分离和光催化降解功能为一体的多功能复合材料。由于改性TiO_2带来的粗糙结构,使得PVDF/PVP/TiO_2-2复合薄膜具有较高的油水分离性能,分离通量和拒油率分别为164 L/(m2·h)和99.8%。除此以外,PVDF/PVP/TiO_2-2复合薄膜在30 min内对甲基橙/甲苯乳液中甲基橙降解率达到了98.22%,并且对多种不同种类的可溶性污染物均具有较好的降解效果。循环稳定性方面,PVDF/PVP/TiO_2-2复合薄膜的分离性能以及光降解性能在经过10次循环后均为发生较大的下降,具有较好的实用性。 相似文献
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熔融模压制备PVDF/石墨烯复合材料及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以聚偏二氟乙烯(PVDF)树脂为基体、石墨烯为填料,通过高速混合机混合作用,经分散剂、润湿剂、表面活性剂、相容剂等组分协同作用,使石墨烯在PVDF中分散均匀,然后经熔融模压成型,制得PVDF/石墨烯复合材料。利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜研究了复合材料的微观形貌,并研究了石墨烯含量、制备工艺、助剂及PVDF树脂牌号对复合材料介电性能、导电性能和导热性能的影响。结果表明,采用的助剂体系和高速混合、熔融模压的制备方法能使石墨烯以微片的形态均匀地分散在PVDF树脂基体中,形成良好的功能网络结构;复合材料介电常数、电导率、介电损耗、体积电阻率和导热系数均随石墨烯含量增加而增大;当石墨烯质量分数达到2.0%左右时,复合材料的介电和导电特性均发生突变,向高介电、高导电材料转变,而当石墨烯质量分数达到5.0%左右时,复合材料开始向高导热材料转变;制备工艺和PVDF树脂牌号对复合材料热、电性能的影响则相对较小。 相似文献
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综述了β相聚偏氟乙烯(PVDF)材料制备工艺的作用,重点探讨了拉伸,超声处理,掺杂,复合作用,极化,衬底作用,溶剂作用,水合盐等作用对其β相PVDF材料制备影响,介绍了其特点及其在压电传感中存在的不足,并对其进行了总结和展望。 相似文献
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将1%~10%(体积分数)碳掺杂氮化硼纳米管(carbon-doped boron nitride nanotubes,BCN-nt)引入到纳米AlN中,采用放电等离子烧结得到致密的AlN/BCN-nt复相陶瓷。结果表明:适当提高烧结温度能使AlN晶粒充分长大,提高AlN晶粒完整性并有效去除结构中的氧杂质,因而显著改善了引入BCN-nt对热导率的劣化。在Kα波段(26.5~40.0GHz),随BCN-nt含量的增加,材料的介电常数实部和虚部都呈现逐渐增大的趋势,损耗因子也逐渐增加。提高烧结温度对介电常数影响不大,而过高的温度使介电常数虚部明显下降。适当的BCN-nt含量和烧结温度能够在提供稳定的介电损耗同时兼顾较高的热导率。 相似文献
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以硅(Si)粉、六方氮化硼(h-BN)为原料,在氮气(N2)中用燃烧合成(combustion synthesis,CS)气固反应法,原位生成可加工氮化硅/氮化硼(Si3N4/h-BN)复相陶瓷.考察了h-BN不同体积分数(下同)对Si3N4/h-BN复相陶瓷可加工性的影响.结果表明:在实验条件下,Si粉氮化完全,不存在残余的游离Si.Si3N4/h-BN复相陶瓷中以柱状β-Si3N4为主相,β-Si3N4晶粒之间为针状h-BN相.随着h-BN相含量的增加,Si3N4/h-BN复相陶瓷的可加工性提高,抗弯强度先减小后增加.h-BN含量为25%时,Si3N4/h-BN复相陶瓷的抗弯强度最低. 相似文献
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Ni/SiO2催化制备炭/炭复合材料研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用常规化学气相渗透工艺,在针刺炭布预制体中添加3.5%,4.O%Ni/SiO2负载型金属催化剂,以丙烯作碳源气体,在750-900℃下,经过100h的沉积,炭/炭(C/C)复合材料的密度达到1.65g/cm^3,其催化沉积炭的速率比不舍催化剂时提高了3倍以上。该材料经高温处理后,氧化失重率低,氧化起始温度高。应用扫描电镜(SEM),X射线衍射分析(XRD)和光学显微镜观察了基体炭的形貌,分析了催化沉积炭和抗氧化机理。实验结果证明,用该催化化学气相渗透法制备C/C复合材料,周期短,成本低,抗氧化性能好。 相似文献
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本文以纳米SiO2改性树脂作为树脂基体,以连续碳纤维作为增强体制备复合材料,研究了纳米SiO2掺入树脂中百分含量对树脂基体与增强体之间的界面性能的影响。通过对树脂基体与增强体纤维浸润性、微脱粘、层间剪切强度和扫描电子显微镜,对复合材料界面性能测试和表征。结果表明,随着纳米SiO2含量的增加,常温下,基体树脂和增强体纤维浸润性能下降,单丝纤维与树脂微球的界面剪切强度和复合材料单向板层间剪切强度在某一含量范围均有所提高。 相似文献
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制备工艺对多孔Si_3N_4陶瓷介电性能的影响(英文) 总被引:1,自引:0,他引:1
采用添加成孔剂和冰冻-干燥法制备具有不同气孔率(30%~60%)的多孔Si3N4陶瓷,研究了不同制备工艺对多孔Si3N4陶瓷介电性能的影响.结果表明:不同的成型工艺制备出具有不同孔分布的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷具有较大的孔,洞分布在致密的基体上:冰冻-干燥法制备的多孔陶瓷具有复合孔分布.对样品的介电特性的研究表明,随着样品的气孔率增加,其介电常数和介电损耗减小;添加成孔剂制各样品的介电常数小于冰冻-干燥法制备样品,而其介电损耗较大,多孔Si3N4陶瓷的介电常数和介电损耗分别在5.21~2.91和9.6×10-3~2.92×10-3范围内变化. 相似文献
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热压烧结制备SiO2f/SiO2复合材料的析晶行为及力学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
热压烧结制备了单向连续石英纤维补强的石英复合材料.研究了热压压力和烧结温度对复合材料的析晶行为及力学性能的影响,借助扫描电镜和透射电镜等手段观察和分析了材料的显微结构并用X射线衍射法鉴别物相变化.结果表明:热压烧结温度和压力对复合材料中方石英的析出有着显著的促进作用;而热压中石英纤维比石英基体易于析晶是造成复合材料力学性能下降的主要因素.在1 250℃,12 MPa热压制备的样品抗弯强度能达到113.9 MPa. 相似文献
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研究通过浸渍—炭化法制备二维C/C复合材料层叠板的工艺参数,分析了不同基体前驱体和增密次数对材料的密度、厚度和收缩率、体积电阻率和层间剪切强度的影响,并用扫描电子显微镜进行断口分析。结果表明:选用残炭率较高的基体前驱体和适当的增密次数是制备低成本二维C/C复合材料层叠板的关键;相同纤维体积的层叠板基体炭含量越高,电阻率越小,导电性能越好;单位体积含有炭纤维越多,纤维受损几率就越大,产生结构缺陷几率越高,导致电阻率增加,导电性能下降;本实验中二维C/C复合材料层叠板制备工艺简单可行,层叠板的密度达到1.40g/cm^3以上,剪切强度为1.5MPa,断口呈脆性断裂特征。 相似文献
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以硅酸乙酯和氧氯化锆为先驱体,制备了ZrO2/SiO2复合溶胶,重点考察了ZrO2的摩尔含量、添加剂DMF和TEABr、陈化温度对ZrO2/SiO2复合溶胶稳定性的影响。结果表明:氧氯化锆的存在不利于ZrO2/SiO2复合溶胶的稳定,且随着氧氯化锆摩尔百分含量的增加,溶胶易于凝胶;随着陈化温度的升高,凝胶时间变短;DMF能明显延长ZrO2/SiO2复合溶胶的凝胶时间;当0.4〈n(TEABr)/n(TEOS)〈1时,TEABr能提高溶胶的稳定性。 相似文献