良率提高，众DRAM内存厂商纷入“70纳米时代”

目前，众DRAM内存厂商纷纷买入70nm制造工艺。奇梦达（Qimonda）正式对外宣布，将于2006年底前导入75nm工艺，并计划于德国300mm厂试产，而身为其重要合作伙伴的华亚科也对外表示，与奇梦达最新工艺制造技术将会同步。据了解，到8月底前华亚科将全部改采用90nm工艺来生产DRAM。     

台DRAM厂拼战70nm制程

近期DRAM价格止跌回稳，使台系DRAM厂6月营收较5月提升，但由于业者预估价格持续上涨幅度有限，遂积极转进70nm制程，以期降低生产成本，确保获利。目前台DRAM大厂中，茂德晶圆三厂预计10月所有投片采用70nm制程，华亚科亦预计在第3季开始量产，力晶12A、12B厂投片已有逾70％导入新制程，且良率不高的问题已获解决。     

海力士66nm DRAM研发几近完成进度超越三星

据韩国媒体Korea Times报道，存储器大厂海力士（Hynix）在66nm工艺技术的DRAM研发进度已近于完成阶段，进度超过其对手全球最大存储器厂三星电子（Samsung Electronics），目前2家公司都有采用80nm工艺技术研制DRAM，而三星电子积极开发70nm工艺技术，海力士则是转往与65nm接近的66nm工艺技术开发。     

Intel5座晶圆厂导入65纳米工艺可节支20亿

DRAM价格首季大跌三成，12寸厂成为DRAM厂得以维持获利主要关键，所以全球每家DRAM厂今年都无惧价格大跌，纷纷提高资本支出，全力冲刺兴建12寸厂。市场调查机构iSuppli则预估，2006年各家DRAM厂都拥有12寸厂，新产能也全面开出，价格将会有更明显的崩跌，每百万位元(Mbit)均价将由今年的0．017美元跌至0．008美元左右，全球市场规模也会衰退。     

日本Elpida完成90nm 512Mb XDR DRAM量产准备

日本Elpida于2005年3月开始100nm工艺XDR DRAM的出货。由于看好市场前景，当时也同时进行了90nm工艺产品的开发。日本Elpida日前表示，该公司已成功开发采用90nm工艺技术生产的512Mb XDR DRAM，并已完成量产的准备。和100nm相比较，采用90nm工艺可将生产效率提升20％以上。     

DRAM厂2011年持续获利

针对DRAM厂明年获利分析,集邦科技（TRENDFORCE）旗下研究部门DRAMeXchange指出,明年DRAM均价较今年下跌约30%。然而随着制程转进、成本下降,DRAM厂营业利益率（OP Margin）成本优势最佳者,今年营业利益率平均为36%,明年平均为26%;而成本优势落后者,今年下半年转亏为营，明年营业利益率约可维持在10％上下。     

转让90nm DRAM沟槽技术：英飞凌携手中芯国际跨入90nm时代

DRAM在2005年经历价格下跌的寒冬之后,有望在2006年迎来又一个春天.日前,英飞凌与中芯国际就DRAM产品的签署协议,将进一步拓展两者的合作,开始90nm技术的DRAM生产.     

三星首创50nm工艺1Gb DRAM技术

三星电子表示，已领先研发出以50nm工艺打造的1Gb DRAM技术，预定将自2008年第一季起推出此类DRAM产品。三星预估，2008年50nm等级DRAM市场规模将达50亿美元，2011年则可望成长至550亿美元。     

尔必达70nm量产 力晶乐观

茂德与力晶在70nm制程相互较竞，至于技术授权的国外业者进度更是超前，日本尔必达70nm的DRAM制程，已正式量产，意谓合作伙伴力晶的好消息也将不远，不过尔必达推出时间还是比三星电子晚半年；另外快闪记忆体大厂东芝半导体则传出，这个月底前，56nm就会进入量产。     

05年DRAM厂获利将减半至40亿美元

市场研究公司iSuppli分析师Nam Hyung Kim发表报告指出，经过2004年后,2005年DRAM销售增长预期减缓，但市场研发进程并不会停歇。今年将会看到高端DDR2 SDRAM进入行动运算、市场主流由256MB升级至512MB。另外iSuppli也预测，全球DRAM厂今年营业获利将由去年的74亿美元减至40亿。     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2012版综述（3）

将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难，今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22nm半节距DRAM和16nm半节距闪存选择一种光刻方法，但目前为止仍没有明确的选择。氟化氩（ArF）浸入光刻技术并不能在40Hm及更小的半节距尺度有多大发展，     

2008年DRAM产业重大事件回顾

回顾2008年,全球DRAM产业面临到严重供过于求与产业结构的问题,上半年时8英寸厂陆续投入非DRAM商品,加速8英寸厂转型并全力转进12英寸厂降低DRAM颗粒成本,并宣示明年导入50nm的走向不变,此时DRAM业界仍普遍相信景气回春有机会于下半年浮现,可惜下半年的金融风暴将DRAM产业推入冰河时期,不光DDR2 1Gb eTT颗粒价格曾下跌至0．58美元历史新低,现金的净流出更无异于让DRAM厂再次雪上加霜,营运上出现危机,产业的减产与整并才陆续在近期正式展开,希望藉由此机会让市场回归正常机制。     

奇梦达扩展与中芯国际技术合作协议

奇梦达公司（Qimonda）与中芯国际集成电路公司目前宣布签署协议，扩大双方于标准内存芯片（DRAM）的技术合作。根据该项协议，奇梦达将转移其80nm DRAM沟槽技术给中芯国际位于北京的12英寸晶圆厂。中芯国际将运用此技术，为奇梦达制造针对各种计算机运算应用的专属DRAM组件。     

九十年代的半导体设备

<正> 送走80年代,迎来90年代。从产品DRAM来看,80年代为K时代,90年代为M时代,90年代DRAM的主流产品为1M、4M、16M、64MDRAM。从芯片加工最小线宽来看,80年代为微米、亚微米时代,90年代为亚微米、半微米时代,即芯片加工最小线宽从0.8μm至0.2μm。从圆片加工尺寸来看,80年代以4、5英寸为主,90年代将以6、8英寸为主。大家都说;“一代设备、一代技术、一代产品。”那么90年代半导体设备是什么?其特点如何?我们该怎么办?     

DRAM进入正向景气循环未来连续三年获利可期

研究机构集邦科技表示，今年到2012年DRAM产业供给方面在产能扩充、资本支出、浸润式机台供给有限，以及40nm以下工艺转进难度高影响下，DRAM位成长有限。而DRAM需求在全球景气复苏，带动消费者及企业换机潮．以及智能型手机带动行动内存需求大幅成长下，DRAM需求强劲，未来三年，DRAM产业有机会连续获利。     

驱动因素面面观 剖析2005年DRAM供给与需求

在观察2005年DRAM供给端时,发现今年和1995年的情况有些相似.1995年由于8英寸厂产能持续开出,使得DRAM市场由卖方市场转变为买方市场,造成1995年年底的DRAM价格崩盘.而2005年在12英寸厂产能开出时是否会重覆1995年的情况呢?1995年和2005年的时空变化,当然会造成对于DRAM产业的影响不一,本文将深入解读驱动供给与需求变化的因素.     

2001年版国际半导体技术发展蓝图

自国际Roadmap委员会上次发表了99年版ITRS(InternationalTechnology Roadmap for Semiconductor国际半导体技术发展蓝图)后，不久前又公布了2001年版ITRS。这次新版的特点是微细化、高速化和低成本化进一步加速。99年版预测DRAM半栅长(λ)加工节点(half pitch process node)2005年达100nm，2008年70nm，2011年50nm。新版加速调整为2004年即突进90nm，2007年65nm，2010年45nm，2013年32nm，2016年22nm。MPU发展更快，其物理栅长(Gate length)预测2007年即可达到25nm(99年版为2013年)，2016年将达9nm。Low-k膜介电常数2007年要求达…     

两年投资新台币3千亿元兴建晶圆15厂 台积电中科扩厂提供8千工作

国内半导体龙头厂商看好未来景气与市场需求,纷纷在台湾扩大投资计划!台积电董事长张忠谋宣布,台积电将在两年内投资新台币三千亿元,在中科兴建晶圆十五厂,预计提供八千名工作机会,带动大台中高科技产业发展。同时,国内封测厂、面板厂和DRAM厂包括面板双雄友达、奇美电;封测厂硅品、日月光以及DRAM五雄力晶、南科、华亚科、茂德、华邦电等,看好未来景气热度与需求,今年资本支出都大增,以台积电中科十五厂今年预估投入一千     

海力士-意法半导体无锡存储器制造厂正式落成

由海力士和意法半导体公司于2005年4月在无锡合资建设的存储器芯片前端制造厂于近期正式落成。该工厂主要生产8英寸和12英寸的NAND闪存和DRAM芯片。目前,DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工艺,90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产,80nm晶圆在12英寸生产线上生产。2007年中,除     

美光在上海面向全球市场开发DRAM产品

凭借一流的设计、验证环境和基于标准DRAM的先进工艺技术(90nm&110nm),美光科技上海IC设计中心致力于为美光设计出最符合专用市场应用的高端DRAM产品和解决方案。美光上海IC设计中心总经理郑华表示: