共查询到20条相似文献,搜索用时 687 毫秒
1.
2.
3.
4.
讨论了反射劳厄形貌术的优缺点,结合碲镉汞器件研制工作给出了实际应用的几个例子。如磅镉汞晶片结构检查,观察碲镉汞晶片表面的磨抛损伤、跟踪观察碲镉汞晶片在光刻、化学腐蚀成形、离子刻蚀成形前后的晶格变化等。 相似文献
5.
用光电导衰退法和MIS器件的电容-电压特性测量研究了紫外辐照对碲镉汞样品的影响。研究表明:紫外辐照使MIS器件的氧化膜/碲镉汞界面固定电荷减少,表面由积累向平带变化;紫外辐照使碲镉汞样品的电阻明显增大,样品的表面复合速度上升,少子体寿命下降.说明紫外辐射不仅对碲镉汞样品的表面有影响,而且在磅镉汞体内也有影响,这些效应可以用碲镉汞表面能带结构的模型来解释。 相似文献
6.
7.
8.
离子束刻蚀碲镉汞的沟槽深宽比改进 总被引:1,自引:1,他引:0
高深宽比离子束刻蚀技术是实现碲镉汞红外焦平面探测器的关键工艺技术.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大,沟槽深宽比较低.针对Ar离子束刻蚀机,尝试了三种提高深宽比的方法:选择不同的光刻胶做掩模、改变刻蚀角度和使用三栅离子源,并通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碲镉汞刻蚀图形的剖面轮廓并计算了深宽比.分析了这些工艺方法对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助于获得高深宽比的离子束刻蚀沟槽的实验结果. 相似文献
9.
对经过低能离子束刻蚀前后的碲镉汞材料表面,测量其红外反射光谱,发现在刻蚀时间较短的情况下可以用扩散散射模型很好地解释刻蚀前后光谱的变化,由此方法得到的表面均方根粗糙度与材料和刻蚀条件没有明显的关系,约为60-100nm。这一结果为研究碲镉汞的表面形貌提供了新的手段。 相似文献
10.
11.
12.
从半导体激光诱导液相腐蚀的工艺原理出发,对影响刻蚀精度的主要因素进行了分析研究,从刻蚀图像分辨率、侧壁垂直度及底面平坦度、表面均匀化三个方面提出了改善刻蚀精度的方法。 相似文献
13.
对碱性蚀刻机理和设备维护保养进行了较深入的阐述,就如何达到稳定一致的蚀刻线路,提高产品质量作了分析说明,并提出了建议。 相似文献
14.
V. Srivastav R. Pal B. L. Sharma A. Naik D. S. Rawal V. Gopal H. P. Vyas 《Journal of Electronic Materials》2005,34(11):1440-1445
Mesa structures were etched in HgCdTe using different Br2/HBr/Ethylene glycol (EG) formulations. Etch rate and degree of anisotropy (A) were studied in detail for all of the combinations.
Addition of EG to the conventional etchant gave A>0.5, with controllable etch rates. Optimum etchant composition was determined
to be 2% Br2 in a 3:1 mixture of EG:HBr. This composition resulted in a good anisotropy factor of ∼0.6 and a reasonably optimum etch rate
of ∼2.5 μm/min, with rms surface roughness of ∼2 nm. Kinetics of the etching reaction have also been studied for the optimum
etchant concentration and an etching mechanism has been proposed. 相似文献
15.
利用聚集离子束(F IB)对小线度下(≤3μm)的溅射刻蚀与增强刻蚀的性能进行了实验和分析。通过对硅和铝的刻蚀实验,研究在溅射刻蚀与增强刻蚀方法下刻蚀速率、蚀坑形貌与离子束流大小的关系。实验发现,铝和硅的刻蚀速率与刻蚀束流近似成线性关系;束流增大到一定程度后由于束斑变大及瞬时重淀积的作用,刻蚀速率曲线偏离线性。使用卤化物气体的增强刻蚀,硅和铝的刻蚀速率得到不同程度地提高。根据蚀坑形貌与束流大小的关系分析,发现瞬时重淀积是影响小线度刻蚀质量的主要因素。增强刻蚀大大减小了蚀坑的坑璧倾角,而坑底倾斜问题需综合考虑。 相似文献
16.
17.
18.
19.
20.
激光化学液相次序选择腐蚀新方法 总被引:4,自引:1,他引:4
提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法———次序选择腐蚀法。次序选择腐蚀是指在激光化学液相腐蚀中,腐蚀溶剂不是混合后同时作用于基片,而是按照溶剂的性能,分先后对基片进行腐蚀。实质上是采用微处理(表面处理)再进行混合液相激光辅助下的腐蚀。理论分析和实验结果都表明,与国内外研究普遍采用的混合溶剂腐蚀法相比,次序选择腐蚀可以有效地提高腐蚀表面的均匀性;因先采用H2O2对基片进行化学腐蚀处理,大大缩短了激光化学腐蚀的时间;利用溶剂分开,降低了激光化学腐蚀对混合溶剂精确配比的要求,使激光化学腐蚀控制和分析更加简单。这种方法可以克服常规方法的诸多弊端,提高腐蚀性能,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。 相似文献