纳米WO3材料的氨敏特性研究

通过热分解法,可制备出平均晶粒尺寸＜１００nm的ＷＯ３材料,在此材料中掺入适量的用溶胶－凝胶法制备的ＳiO2可制得对ＮＨ３有较好灵敏度的气敏元件,该元件选择性好,响应时间短,可作为理想的氨敏元件。     

磁控溅射WO3薄膜特性研究

用磁控溅射法制成WO3薄膜,通过改变成膜的溅射参数来改变WO3薄膜的性能.利用XRD分析了样品的粒径大小,研究了成膜工艺参数对气敏元件性能的影响.结果表明,薄膜中WO3晶粒的平均尺寸为17 nm,该传感器对NOx气体有非常好的灵敏度和选择性,对体积分数为1×10-5的NOx气体灵敏度高于50倍,而对其他干扰气体的灵敏度小于2倍.     

WO3-SnO2薄膜的溶胶-凝胶制备及其气敏特性研究

以无机盐ＳnCl2.2H2O为主体原料、Ｈ２ＷＯ４为掺杂剂、无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了nw:nsn=1:1000的ＷＯ３－ＳnO2薄膜,并对共气敏性能进行了研究,实验表明,掺杂量为１％的ＷＯ３－ＳnO2薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ,ＮＯx气体具有较好的气敏性能,对Ｈ２Ｓ气体的敏感温度为１００℃,对ＮＯx气体的最佳敏感温度为７０℃。     

用于环境监测的气敏元件开发研究

以纳米级 Sn O2 为气敏材料制作了气敏元件 ,以无机试剂为前驱原料加入少量适当的溶胶形成助剂 ,采用溶胶 -凝胶法制备了纳米级 Sn O2 .通过研究不同掺杂量和不同加热条件下这类气敏元件对几种还原性气体的灵敏度和选择性 ,为开发用于环境监测的新型高灵敏度和高选择性的气敏元件提供技术数据 .     

纺锤形纳米γ—Fe2O３的气敏性能

用Ｎa2CO3代替ＮaOH作沉剂,制备了纺锤形纳米γ－Fe2O３,采用ＸＲＤ和ＴＥＭ对材料进行了表征,经测试,发现材料在３００℃工作温度下对ＬＰＧ有选择性检测能力（对Ｈ２的选择系数为４）,并具有相当的气敏稳定性,此外,还发现γ－Fe2O３的气敏机理不仅是体控性机制,在一定温度下,表面吸附氧也起到一定作用。     

纺锤形纳米γ-Fe2O3的气敏性能

用Na2CO3代替NaOH作沉淀剂,制备了纺锤形纳米γ-Fe2O3,采用XRD和TEM对材料进行了表征.经测试,发现材料在300℃工作温度下对LPG有选择性检测能力(对H2的选择系数为4),并具有相当的气敏稳定性.此外,还发现γ-Fe2O3的气敏机理不仅是体控性机制,在一定温度下,表面吸附氧也起到一定作用.     

In2O3热线型乙醇气敏元件研究

在纯度为９９．９９８％的超微细粉体Ｉn2O3中，掺杂入适当配比的ＰtO2,MgO,CaO等金属氧化物构成气敏材料，用Ｐt丝作热敏材料，采用热线型元件制作工艺，７０００１７０烧结１h，可制作出乙醇气敏元件，测试表明：该元件灵敏度高，响应恢复快，功耗低（≤２００ｍＷ），对汽油、烟雾等其他干扰气体有良好的选择性。     

纳米SnO2的制备及其气敏特性研究

通过对溶胶－凝胶法体系共沸蒸馏可制备的纳米ＳnO2，经Ｘ射线衍射、电子显微镜观测以及ＢＥＴ表面吸附实验均表明该ＳnO2材料具有颗粒细小、均匀、分散性好的特点，将该ＳnO2基料掺杂制成的气敏元件可对燃性气体具有较高的灵敏度。     

粘接剂对气敏元件特性的影响

为ＳｎＯ２气敏材料成型而加入的粘接剂，不仅对烧结体的机械强度有影响，还对元件的灵敏度、选择性、稳定性有影响，以正硅酸乙酯做为粘接剂，在元件烧结过程中，有抑制晶粒成长的“烧结阻碍”作用，使粒径大小控制在一定的程度，从而控制元件的电阻值、灵敏度和长期稳定性，这种粘接剂提高烧结体的抗压强度的现象与粘接剂中的硅含量有关，硅含量愈多，抗压强度愈高．     

SnO2主体材料气敏振荡特性的进一步研究

经对以ＳnO2为主体材料的掺杂Ｐd的振荡型气敏元件的实验研究和分析,对其振荡机理获得了进一步的认识：掺杂Ｐd是发生电导振荡的必要条件;高浓度的Ｈ２对振荡的抑制作用;某些气体对元件的振荡特性变能产生影响,而振荡频率的高代取决于气体吸附反应产物的能力;该类型气敏元件在低温或常温下对Ｈ２具有较好的敏感特性。     

粉末溅射SnO2/CeO2薄膜气敏元件的性能

通过对粉末溅射SnO2/CeO2薄膜气敏元件性能的测试和探讨,总结出反应升温△trea与气体浓度C存在关系△trea=(ACn)/(1+BCm)(其中A,B＞0,n＞m＞0),同时发现湿度对灵敏度的影响很大而对相对灵敏度影响不大;为确保测量的可靠性应避免用于测量高浓度气体,同时注意稳定测试电压,如用相对灵敏度进行测量,则可以减小湿度对测量结果(测量值)的干扰.     

悬挂式气敏元件的热功耗和超低热功耗元件探讨

通过理论和实验相结合的方法提出了一个适用于悬挂式气敏元件的热功耗Ph/mW与工作温度T0,环境温度Tr及芯片尺寸S的关系式Ph={5.67×10-11[(T0)4-(T0)4]×0.85+0.21(T0-T0)}S(T0=aT0+bTr,a≈0.135,b≈1.0)并指出采用Si微电子薄膜技术可设计出功耗在10 mW以下的气敏元件.     

计算机辅助气敏元件参数测试系统的开发

综合考虑气敏元件实验测试和生产测试的要求,研制了能测试气敏元件各种特征电参数及周围环境温度、湿度的微机测试系统,系统软件部分采用模块化程序设计,并引入了虚拟电阻概念,通过软件虚拟计算可查看不同负载下元件的数据,测试处理结果以文字、图像直观动态显示,易维、扩展性强,可大大提高实验和生产效率。     

用PECVD制备的SnO_2薄膜气敏特性研究

ＳｎＯ２薄膜制备及其应用日益受到人们的重视。本文阐述了用低温等离子体化学气相沉积法制备ＳｎＯ２薄膜的工艺，并研究了所制得的纯净及掺杂Ａｇ，Ｐｄ的ＳｎＯ２薄膜的气敏特性。此法制得的元件对还原性气体，尤其是低浓度Ｈ２Ｓ，Ｃ２Ｈ５ＯＨ具有很高的灵敏度及快速的响应．     

SnO2微粉的制备及其LPG气敏特性研究

应用溶胶－凝胶法,以非醇盐为起始物,研制了纳米级ＳnO2微粉,通过掺杂不同的催化剂和添加剂的实验,获得了对ＬＰＧ具有较高灵敏度和选择性的实用元件,比较发现,其灵敏度和选择性优于用常规方法制备的ＳnO2元件。