150V及200V新型MOSFET器件

国际整流器公司（ＩＲ）推出了一系列全新的１５０Ｖ及２００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ ,它们的导通电阻和栅电荷特性已经过优化 ,能将４８Ｖ输入隔离式直流 -直流转换器的效率提高１ % ,适用于网络和电信系统。该新型ＭＯＳＦＥＴ的载电效能比ＴＯ -２２０封装器件高出２０ % ,同时还提供有Ｄ２Ｐａｋ和ＴＯ -２６２两种封装。新器件ＩＲＦＳ３８Ｎ２０Ｄ和ＩＲＦＳ５２Ｎ１５Ｄ适用于单输出板上功率模块或多输出电源的原边插座 ,也可用于“热插拔”电路及有源ＯＲｉｎｇ电路 ,因而确保了系统操作的稳定可靠。在典型的１５０Ｗ半砖式…     

IR推出新型HEXFET功率MOSFET

ＩＲ公司的新型１００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０增强了４８Ｖ输入、半桥或全桥拓扑技术的功率密度 ,可用于通信设备所需的高性能直流 -直流转换器。ＩＲＦＢ４７１０采用ＴＯ -２２０封装 ,额定电流可达７５Ａ ,使用该器件可使设计人员只用较少的器件即可获得所需的额定电流 ,从而减少设备的体积、重量和电源成本。ＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０型ＭＯＳＦＥＴ的导通电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））比以往器件低４０ % ,因此其效率更高和操作温度更低。在３５０Ｗ功率时 ,使用４个ＩＲＦＢ４７１０可…     

业界风云

ＩＲ宣布ＤＣ－ＤＣ转换新技术 国际整流器公司（ＩＲ）最新推出的功率半导体,可在三个主要领域强化直流－直流应用系统性能：首先,用于新一代电信及网络功率管理的ＩＲ１ １７６同步整流集成电路,配合新型ＩＲＦ７８２２ ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ,使４８Ｖ输入／１．５Ｖ隔离输出变换器能在４０Ａ全负载环境下,达到８５％的效率水平。该芯片组可简化宽频网的低压、大电流输出ＤＣ－ＤＣ转换器设计,实现更高的效率和更佳的成本效益。其次,用于隔离及非隔离（降压）同步ＤＣ－ＤＣ变换器的３０ＶＨＥＸＦＥＴＭＯＳＦＥＴ,比业…     

飞兆半导体推出新型MOSFET

飞兆半导体公司 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)推出七种新型高压平面型ＭＯＳＦＥＴ ,具有更低的导通电阻、更低的门电荷值及更高的雪崩和转换模式能量密度。这些器件专用于满足先进开关电源 (ＳＭＰＳ)和ＤＣ/ＤＣ转换器的性能要求。器件的先进条件结构技术和较小封装为功率系统带来了许多益处 ,如减少功率损耗 ,提高系统效率和稳定系统质量。以飞兆半导体ＴＯ 2 2 0封装 5 0 0ＶＦＱＰ18Ｎ 5 0Ｖ2为例 ,其ＦＯＭ较同类产品低 2 1%以上。此外 ,飞兆的 2 0 0ＶＦＱＤ18Ｎ2 0Ｖ2采用Ｄ ＰＡＫ封装 ,其ＦＯＭ (ＲＤＳ(ＯＮ)…     

IR推出FlipFET(tm)功率MOSFET

国际整流公司（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ,简称ＩＲ）推出专用 ＦｌｉｐＦＥＴ（ｔｍ）功率ＭＯＳＦＥＴ器件,所有管脚均位于芯片的同一侧．开创了新一代芯片级封装超精巧功率结构。崭新的功率ＭＯＳＦＥＴ可实现１００％的硅／面积比,特别适合窝电话等空间有限的便反作用式应用系统。 如今,有许多蜂窝电话的智能锂电池组采用双ＳＯ－８ ＭＯＳＦＥＴ。 ＦｌｉｐＦＥＴ技术可大大减少路尺寸,因而能在相同体积的电池组中,将标准锂电池的３小时时通话时间延长半小时,相当于电池容量增加近２０％。 随着第三代因特网多…     

最新的通信IC

以下介绍的通信ＩＣ都是各公司１９９６年的最新产品，其品种涉及到ＰＣＳ手机、无绳电话、无线通信、卫星电视、调制解调器、ＦａｓｔＥｔｈｅｒｎｅｔ和ＡＴＭ等。＋３ＶＤＣＰＣＳ手机用分立器件和ＩＣＯｋｉ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ公司开发了一系列８００～１９００ＭＨｚＰＣＳ手机用＋３ＶＤＣ分立器件和ＩＣ。这些器件是用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ技术和硅ＣＭＯＳ技术制作的。ＧａＡｓ器件包括ＫＧＦ１６０６分立ＧａＡｓ场效应管（ＦＥＴ）、ＫＧＦ１６０８分立ＧａＡｓ　ＦＥＴ和ＫＧＦ１２６２中功率ＧａＡｓ单片微波集成电路…     

新品发布

多模ＭＴ－ＲＪ收发器 Ｔｙｃｏ　查询号 １８１ 泰科电子公司（Ｔｙｃｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）日前宣布推出ＡＭＰ ＥＳＣＯＮ多模ＭＴ－ＲＪ收发器,其数据传输速率高达２００Ｍｂ／ｓ。该产品用于ＥＳＣＯＮ链路,可适用于广泛应用的ＭＴ－ＲＪ小型封装模块（ＳＦＦ）连接器接口。这种ＳＦＦ收发器采用２ｘ５ＤＩＰ（双列直插式组件）式封装,集成了ＭＴ－ＲＪ连接器接口。新式小型封装模块的接口宽度大约仅为双工ＳＣ１ｘ９模块的一半,因而设计人员可将给定产品的端口密度提高两倍。 机顶盒 Ｍｏｔｏｒｏｌａ　查询号 １８２ 摩托…     

IR扩展肖特基整流器系列

功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特…     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

三端电压控制型负阻器件（7）

三端电压控制型负阻器件（７）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第八章电压控制负阻ＭＯＳ器件［２’ｊ电压控制负阻ＭＯＳ器件（Ｖｏｌｔａｇｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｇａｔｉ、ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＭＯＳＤｅｖｉｃｅ）也称作“Ａ”微分负阻ＭＯＳＦＥＴ...     

微小引脚LitleFoot———功率MOSFETS的一大飞跃

微小引脚ＬｉｔｌｅＦｏｏｔ———功率ＭＯＳＦＥＴＳ的一大飞跃微小引脚ＬｉｔｌｅＦｏｏｔ———功率ＭＯＳＦＥＴＳ的一大飞跃ＴＥＭＩＣ公司的最新推出ＬｉｔｌｅＦｏｏｔ是目前市场上体积最小的功率器件。它的封装形式为ＴＳＯＰ—６，这一新型ＬｉｔｔｌｅＦｏｏｔ...     

IR新型20VHEXFET MOSFET

国际整流器公司（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ,ＩＲ）推出两种新型２０ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ,可提高１２Ｖ输入直流／直流变换器效率４ %。新的ＩＲＦ３７１１和ＩＲＦ３７０４系列专用于多相降压变换器 ,为新一代ＧＨｚ级微处理器电源元件。新元件的门电荷（Ｑｇ）和输出电容（Ｃｏｓｓ）都得到优化。２０ＶＩＲＦ３７１１系列实现了同步场效应管最佳性能 ,而２０ＶＩＲＦ３７０４系列则实现了控制场效应管最佳性能。IR新型20VHEXFET MOSFET     

快速低阻功率开关MOSFET

飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源,ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互…     

在FEA中使用的MOSFET技术

本文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明,并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进作了介绍。     

以太网到SONET/SDH映射芯片

安捷伦科技公司推出其创新产品———ＨＤＭＰ -３００１,以太网到ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ（ＥｏＳ）映射芯片。ＨＤＭＰ -３００１是一款通用芯片 ,运用该创新产品 ,网络和电信设备可为ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ网络同时提供局域网和广域网的接口 ,大大降低了覆盖多个地域的企业网络的运营维护成本。ＨＤＭＰ-３００１是由安捷伦科技与武汉邮电科学研究院共同研究开发的 ,也是安捷伦科技的ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ多协议芯片 (ＭＰＩＣ)系列中的第一款。ＭＰＩＣ可以将各种协议的信息映射到ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ中 ,为企业级用户将数据业务传送到ＳＯＮＥＴ…     

飞兆半导体推出全新的40V MOSFET

飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 /路由器及其他便携 /手持式设备的电源设计 ,提供极佳的价格和效能优势。ＦＤＳ4 770的最大Ｒｄｓ(ｏｎ)为 7.5ｍΩ ,最高结点温度为 175°Ｃ。这些 4 0Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ具有增强的抗雪崩能力 ,能适应恶劣的操作环境 ,在存在高瞬态电压的应用或ＭＯＳＦＥＴ需要承受增强应力的工作模式中 ,可带来更…     

半导体和IC

表面贴装功率ＩＣ封装ＳＧＳ　ＴＨＯＭＳＯＮ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ公司的大功率表面贴装封装系列又增添了一种形状和尺寸与标准１４×１４×２．８ｍｍＱＦＰ封装相同的新型大功率封装。这种新封装叫做ＨＩＱＵＡＤ－６４（ＪＥＤＥＣＭＯ－１８８），是为未来的灵巧功率芯片设计的，具有优于１ｋ／Ｗ的连接外壳热阻，厚度为１０密耳的铜线框以及金或铝焊线。它可容纳１２０ｋ密耳２的小片。高速ＡＳＩＣ验证工具ＶｉｅｗｌｏｇｉｃＳｙｓｔｅｍｓ公司最近推出Ｅａｇｌｅ系列新产品ＥａｇｌｅＶ　ＴＭ，这是一种优化的专用集…     

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ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...     

硅微波功率DMOSFET发展现状

简要地评述了硅微波功率ＤＭＯＳＦＥＴ（ＬＤＭＯＳ,ＶＤＭＯＳ）的发展概况,叙述了硅微波功率ＤＭＯＳ的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率ＤＭＯＳ的性能,特点与ＢＪＴ进行了比较,并对其应用,发展方向及前景进行了探讨。