Hg1-xCdxSe红外薄膜材料研究进展

硒镉汞(Hg_(1-x)Cd_xSe)作为碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)的红外替代材料受到广泛关注,它具有位错密度低、热膨胀系数小、晶格失配小等优势,可望获得高质量、大面积、廉价长波红外(Long-wavelength infrared,LWIR)焦平面阵列(Focal plane arrays,FPAs)。综述了Hg_(1-x)Cd_xSe材料的最新研究进展,讨论了Hg_(1-x)Cd_xSe薄膜材料在不同衬底和不同生长条件下对薄膜质量的影响及最新研究结果;同时,对Hg_(1-x)Cd_xSe材料的研究进行了展望。     

MOCVD法生长HgCdTe／CdTe／GaAs多层异质结材料工艺和性能研究

本文简述MOCVD法生长HgCdTe晶膜的优点。采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/GaAs外延片。研究了生长HgCdTe生长速率与衬底温度的关系,DETe和DMCd源分压对生长速率的影响,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与汞源温度的关系,当汞源温度固定时,Hg_(1-x)Cd_xTe中x值与气体流速V的关系。并采用多种方法分析HgCdTe外延片的表面形貌,结晶性,界面和缺陷,Te、Cd、Hg、Ga、As的截面分布,组份和其均匀性,光电性能等。测得HgCdTe和缓冲层CdTe的FWHM为450弧度秒,界面平坦、清晰,过度层约0.12μm。生长x值为0.1～0.8mol,均匀性△X=0.008。典型样品的性能,在77K电子浓度为1.4×10~(16)cm~(-3),迁移率为7.4×10~4cm~2/v·s,透射率为42％。     

碲镉汞阳极硫化膜界面的光电子能谱研究

用电子能谱方法研究了Hg_(1-x)Cd_xTe样品在0.1M的Na_2S·9H_2O+乙二醇溶液中形成的阳极硫化膜,结果表明界面上汞的含量较高,介质膜含氧;但在0.1M的Na_2S·9H_2O+NaOH+乙二醇溶液中形成的阳极硫化膜几乎不含氧,介质膜的主要成分是CdS,且含有较多的Hg和Te。结果表明,碲镉汞表面的含水硫化可以获得同无水硫化、无水多硫化和含水多硫化钝化表面基本一致的介质膜,从而实现了含水硫化钝化碲镉汞表面。     

垂直浸渍液相外延Hg1—xCdxTe的生长及性能

本文报导采用汞回流垂直浸渍液相外延方法,在CdTe或CdZnTe(111)面的衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶,其厚度为20μm,面积为1.5×2cm~2,组分x从0.18到0.7,组分均匀性Δx≈0.001。样品经热处理以后,x=0.2的n型样品电子浓度n≈1×10~(15)cm~(-3),电子迁移率μ≈10~5cm~2/v·s,p型样品空穴浓度p≈2×10~(16)cm~(-3),空穴迁移率μ≈300cm~2/v·s,双晶衍射显示样品的半峰宽为90arc sec,X光貌相分析表明外延层晶体结构优良。样品的红外光谱测量,电学参数测量以及载流子寿命测量表明样品具有优良的光电性质。     

应用闭管化学气相传输法制备Hg_(1-x)Zn_xFe体单晶

本文应用闭管化学气相传输方法制备Hg_(1-x)Zn_xFe单晶体,测量其完整性、晶格常数,组份及晶格结构。同时对于影响晶格组份的因素也作了初步探索。     

复合材料BiOBr_xCl_(1-x)的制备及可见光催化降解罗丹明B

采用软化学法制备了BiOBr_xCl_(1-x)样品,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见漫反射光谱(DRS)对所制得的BiOBr_xCl_(1-x)样品进行表征,并以罗丹明B(RhB)为探针,研究BiOBr_xCl_(1-x)样品的光催化性能。表征结果表明:BiOBr纳米片为单相四方晶型,粒径为600~700nm,禁带宽度为2.60eV;BiOBr0.75Cl0.25纳米片为异质节,粒径为200~300nm,禁带宽度为2.65eV;BiOBr0.5Cl0.5也为异质节,粒径为200~300nm,禁带宽度为2.95eV;BiOBr0.25Cl0.75结构以BiOCl四方晶型为主,Br元素以无定形状态存在,粒径为150~300nm,纳米片呈现半透明,禁带宽度为2.99eV;BiOCl纳米片为单相四方晶型,粒径为100~300nm,禁带宽度为3.08eV。光催化降解RhB结果表明,BiOBr0.25Cl0.75样品的活性最高。     

高居里点大功率PTC发热体制造及其加热器设计研究

对(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3——PTC发热陶瓷的制造方法及其加热器的结构进行各种试验研究。提出了制造高居里点PTC材料的原料选择、配方与工艺的设计要点。还分析了提高PTC加热器发热量的途径.     

铁磁准同型相界与Laves相稀土合金磁致伸缩效应

磁致伸缩材料是制造换能器和传感器的重要磁性功能材料。此前,在铁电材料中,通过将材料成分控制在准同型相界,获得了大压电效应。因此根据铁磁与铁电材料表现出的物理效应的相似性,可以期待在铁磁材料中构建准同型相界,获得磁场导致的奇异应变特性。本文归纳了已发现的基于准同型相界而构建的Laves相稀土合金体系Tb_(1-x)Dy_xCo_2,Tb_(1-x)Gd_xCo_2和Tb_(1-x)Gd_xFe_2,总结了其磁致伸缩效应和其他物理性能与准同型相界的关系,3个体系在MPB处表现出3种不同的磁致伸缩效应:Tb_(1-x)Dy_xCo_2表现出大磁致伸缩、大磁导率,Tb_(1-x)Gd_xCo_2表现出弱磁致伸缩、大磁导率,而Tb_(1-x)Gd_xFe_2在MPB并没有发现特殊的效应。在铁电材料中,在MPB处各类场致应变效应都得到显著增强,因此铁磁材料与铁电材料的准同型相界效应还有显著不同,还需要更加深入的研究来揭示其作用机理。     

宽禁带半导体AlN晶体发展现状及展望

<正>半导体材料与技术是现代信息技术发展的基石,以硅(Si)和砷化镓(Ga As)材料为代表第1代、第3代半导体技术,奠定了20世纪微电子和光电子工业的基础,极大地推动了社会的进步和变革。随着技术的发展,传统的Si和Ga As半导体器件性能已接近其材料本身决定的理论极限。因此第3代半导体材料(即宽禁带半导体材料,禁带宽度大于2.2e V)正日益受到人们的重视。宽禁带半导体材料主要是指碳化     

(1-x)(Na0.5K0.5)NbO3-x(Ba0.88Ca0.12Zr0.12Ti0.88O3) 无铅压电陶瓷的制备及性能研究

介绍了一种利用传统固态烧结法制作的无铅压电陶瓷(1-x)(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3-x(Ba_(0.88)Ca_(0.12)Zr_(0.12)Ti_(0.88)O_3)((1-x)KNN-xBCZT)。(1-x)KNN-xBCZT是由KNN和BCZT形成的均匀固溶体。随着BCZT浓度的增加,(1-x)KNN-xBCZT的T_c和四方相-正交相的相变温度呈近似直线方式下降。相变温度的降低,有助于提升固溶体的电性能,当x=0.055时(1-x)KNN-xBCZT陶瓷性能达到最优。MnO_2助烧剂可以进一步降低(1-x)KNN-xBCZT陶瓷的相变温度,使(1-x)KNN-xBCZT陶瓷更为致密。0.055BCZT-0.945KNN-0.01MnO_2陶瓷展现出的性能为d_(33)=212 pC/N,d_(31)=-75 pC/N,k_p=45%,ε=875,tanδ=0.02和T_C=340℃,T_(O-T)=127℃。     

微差温度传感器

应用钠β氧化铝管作固体电解质隔膜,测定了钠/钠汞齐电池:Na|Na~ -β-Al_2O_3|Na_xHg_(1-x)(x:0.035～0.25,固 液,两相区)的电动势与温度的依从关系。研究表明,液、固两相共存的钠汞齐电池有大的负温度系数。在(-30～320)℃之间,其温度系数变化为(0.8～2.5)mV/K。温度恒定时,电池电动势有很好的稳定性。因此,该电池可作为微差温度传感器,测量微小的温度变化,灵敏度达(0.1～0.04)mK。     

纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金的电子结构和相特性研究

采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金的电子结构和相特性进行研究。结果显示,纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO的能隙由价带顶O2p态和导带底Mg3s态共同决定。随着Mg组分的增大,Be_(1-x)Mg_xO合金的能隙逐渐变小,合金离子性在增强。Be—O和Mg—O的平均键长差距大致使Be_(1-x)Mg_xO合金内部产生明显的晶格振动效应,而无序相Be_(1-x)Mg_xO合金的形成能比有序相要低,容易使纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金内部产生无序结构,因此制备纤锌矿Be_(1-x)Mg_xO合金时要适当提高实验温度。     

Mg掺杂对Gd_2Ce_2O_7热导率的影响

以Gd_2O_3、MgO和Ce(NO_3).6H_2O为原料,采用溶胶凝胶法制备了(Gd_(1-x)Mg_x)_2Ce_2O_(7-x/2)固溶体。用X射线衍射法分析了固溶体的相组成,用扫描电镜观察了其致密块体样品的显微组织,用激光脉冲法测试了固溶体的热扩散系数。结果表明,成功制备了纯净的具有萤石结构的(Gd_(1-x)Mg_x)_2Ce_2O_(7-x/2)固溶体,其致密块体结构致密,晶界清晰,较多的氧空位使(Gd_(0.95)Mg_(0.05))_2Ce_2O_(6.95)具有最低的热导率,(Gd_(1-x)Mg_x)_2Ce_2O_(7-x/2)固溶体有潜力用作热障涂层表面陶瓷层材料。     

Zn1-xMgxO的溶胶凝胶法合成及其特性研究

由溶胶凝胶法、利用草酸盐在水相中合成了干凝胶前体粉末,经过热处理得到了纳米Zn1-x MgxO(x≤0．15)粉体;XRD表明所制得的材料具有ZnO的六方晶系结构;经UV—Vis分析,比较了量子尺寸的ZnO与热处理的ZnO和Mg掺杂的ZnO及其混合溶胶的紫外吸收差异;通过Mg的掺杂,使ZnO的禁带宽度从3、31eV调节至3．65eV。     

Ce_(1-x)Pr_xO_2陶瓷颜料的结构及呈色机理

采用低温燃烧-水热合成法制备出具有不同x值的Ce_(1-x)Pr_xO_2陶瓷颜料,研究了Pr掺杂量对Ce_(1-x)Pr_xO_2晶体结构的影响,并对Ce_(1-x)Pr_xO_2陶瓷颜料呈色机理进行了分析。结果表明:Pr离子进入CeO_2晶格形成Ce_(1-x)Pr_xO_2固溶体,Ce_(1-x)Pr_xO_2的晶格常数随着Pr掺杂量的增加而增大;Ce_(1-x)Pr_xO_2晶体中的氧空位破坏了CeO_2晶体中质点排列的有序性,引起晶体内周期性势场的畸变。自由电子陷落在氧离子空位中而形成缺陷,即形成氧离子空位的F-色心,导致其吸收波长&lt;600nm左右的可见光,从而呈现红色色调。     

(1-x)(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3-x(Sr_(0.4)Ba_(0.6))_(0.7)Bi_(0.2)TiO_3无铅铁电陶瓷介电性能研究

采用传统固相烧结法,在铌酸钾钠陶瓷基体中掺入Sr、Ba、Bi和Ti元素,制备了(1-x)(K0.5Na0.5)-NbO3-x(Sr0.4Ba0.6)0.7Bi0.2TiO3((1-x)KNN-xBSBT)(0.01≤x≤0.04)陶瓷。XRD测试结果表明,(1-x)KNNxBSBT(0.01≤x≤0.04)为纯钙钛矿相;介电温谱表明,(1-x)KNN-xBSBT为弛豫铁电体;0.97KNN-0.03BSBT陶瓷介电常数具有很好的温度稳定性,在室温至400℃介电常数变化很小。     

微波水热法合成纳米BaTiO3粉体的掺杂改性与性能研究

以正钛酸四正丁酯(C_(16)H_(36)O_4Ti)、Ba(OH)_2·8H_2O、NbCl_5和NaOH试剂为原料,利用微波水热法,制备了不同含量Nb掺杂的纳米BaTi_(1-x)Nb_xO_3(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06)粉体。然后,将纳米BaTi_(1-x)Nb_xO_3粉体压制成形并进行烧结处理,获得了不同含量Nb掺杂的BaTi_(1-x)Nb_xO_3压电陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等对纳米BaTi_(1-x)Nb_xO_3粉体的物相结构、表面形貌和晶粒尺寸进行分析,采用振动磁强计对BaTi_(1-x)Nb_xO_3压电陶瓷的烧结密度和磁性能进行分析。XRD和拉曼光谱分析表明,不同含量Nb掺杂的纳米BaTi_(1-x)Nb_xO_3(x=0,0.03,0.06)粉体具有四方特性;SEM形貌分析表明,纳米BaTi_(1-x)Nb_xO_3(x=0,0.03,0.06)粉体由粒径极细、分散性良好的球形颗粒组成,随着Nb含量的增加,粉体的颗粒尺寸也不断增加,其平均粒径分别约为60,90和120 nm;烧结密度研究表明,随着Nb含量的增加,BaTi_(1-x)Nb_xO_3压电陶瓷的烧结密度不断增大,当Nb含量为0.06时,BaTi_(1-x)Nb_xO_3压电陶瓷的烧结密度达到最大;磁性能分析表明,当Nb掺杂量为0.03时,BaTi_(1-x)Nb_xO_3压电陶瓷的剩余磁化强度最大(8.235μC/cm~2),且其矫顽力(5.762 kV/cm)与不掺杂Nb的BaTiO_3陶瓷(5.556 kV/cm)相差不大。因此,Nb掺杂量为0.03时,BaTi_(1-x)Nb_xO_3压电陶瓷的压电性能最优。     

分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用

在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As材料的AlAs摩尔分数,即x值。     

关于"双CSTR连续发酵及其混沌行为"一文的意见

该文发表于《振动工程学报》1 999年第 1 2卷第 4期。文中第 4 69页所指定态解问题 (该文中有称定态解 ,也有称稳态解 )是该文推理的第一步 ,也是该文以下推理与计算的出发点 ,对该文是至关重要的。下面讨论该文在研究定态解问题时的错误。已知定态解方程可由文中式 ( 2 )导出 ,即dx1 dτ=-x1 υ1 x1 =0dx2dτ=1 -x2 -x1υ1 Yx/ s=0dx3dτ=-x3 x1υ1 Yx/ s=0dx4dτ=V1 2 ( x1 -x4) x4υ2 =0dx5dτ=V1 2 ( x2 -x5) -x4υ2Yx/ s=0dx6dτ=V1 2 ( x3-x6) x4υ2Yx/ p=0　　由上面第一个方程-x1 υ1 x1 =x1 (υ1 -1 ) =0( 1 )当 υ1 ≠ 1 ,…     

碳化硅半导体技术及产业发展现状

<正>碳化硅半导体(这里指4H-Si C)是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高(比硅高3倍)、与Ga N晶格失配小(4%)等优势,非常适合用作新一代发光二极管(LED)衬底材料[1]、大功率电力电子材料[2]。采用碳化硅作衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。此外,碳化硅除了用作LED衬底,它还可以制造高耐压、大功率电力电子器件如肖特基二极