源区正面通孔电镀热沉结构的X、Ku波段功率GaAs MESFET

本文简述了采用源区正面通孔电渡热沉结构的三种器件(CX631、CX641、CX671)的设计要点和主要制作技术及性能。由于这种结构的FET的源区通过在极薄GaAs衬底上开凿的通孔和散热电极直接接地,使器件的源寄生电感和热阻大大下降,使得器件在X、Ku波段获得较高增益。CX631器件在12GHz下,P_0≥40mW,G_p≥10dB,较好器件P_0为58mW,G_p为11.6。CX641器件在18GHz下,P_0≥30mW、G_p≥5dB,载体装配器件G_p可达7dB。最好器件P_0可达50mW。CX671器件在12GHz下,P_0≥80mW,G_p≥9dB,最好器件输出功率可达140mW。     

X波段双级单片功率放大器

本文利用比较符合实际的MESFET器件物理模型,采用集总元件匹配网络设计了单级和双级的x波段单片功率放大器。单级放大器中心频率为10.0GHz,带宽1.3GHz,线性输出功率126mW时,增益为5.2dB。双级放大器中心频率为9.4GHz,带宽0.8GHz,输出功率P_0≥1 00mW,增益G_p≥7dB,带内增益平坦度⊿G_p≤±0.5dB。较好的样品在9.6GHz下输出功率P_0≥250mW,G_p为9.4dB。     

2GHz线性输出1.5W硅微波功率晶体管研究

本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于器件内部存在着非线性效应使得输出特性产生了非线性畸变。为了改进器件线性性能,我们采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层材料提高了器件大电流性能。已研制的器件其参数在2GHz下,P_(-1)≥1.5W、线性增益G_p≥7dB、动态线性范围≥20dB,η_(-1)≥40％。     

宽带GaAs FET放大器的计算机辅助设计

本文介绍了一种可用于宽带GaAs FET放大器设计的计算机辅助设计方法。给出了两种宽带GaAsFET放大器的设计与实测结果。4-8GHz放大器,功率增益G_p=33±1.5dB,带内噪声系数F_n≤3.7dB,8-12GHz放大器,G_p=30±1.5dB,F_n≤6dB。     

8.4～9.5GHz微波FET低噪声放大器

本文主要介绍一种8.4～9.5GHz微波FET低噪声放大器,该放大器采用计算机微波辅助设计,利用微带工艺技术,在聚四氟乙烯双面敷铜版制作微带电路。文章介绍了放大器的调试结果,该放大器在8.4～9.5GHz的频带内,噪声系数NF≤2.0dB、增益G_p≥20dB、增益平坦度△G_P≤±0.5dB、饱和输出功率P_(-1)≥+8dBm,目前国外在该频率范围最好水平的低噪声放大器的NF≤2.2dB,由此可见,本低噪声放大器已达到目前国外水平。放大器已提供用户使用,用户反映很好。     

4～8GHz GaAs FET 宽带放大器的新进展

简介了4～8 GHz GaAs FET 宽带放大器在已有工作基础上的改进,报导了最终设计定型产品的性能与结果。产品达到的主要电参数指标为:功率增益 G_p=28～33dB,噪声系数 F_n≤4dB。     

2GHz输出500MW硅微波线性功率晶体管研究

本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于内部存在着非线性效应,使得输出波形产生了畸变。为了改进线性性能可采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层提高器件大电流性能,已研制出在2GHz下,1dB压缩点输出功率P_(-1)=500mW、增益G_p=8dB、动态线性范围大于20dB、1dB压缩点时集电极效率大于30％。     

GaAs微波双栅功率MESFET

本文报导了C和X波段GaAs微波双栅功率MESFET的研制情况和器件设计的主要原则、制作技术、器件性能以及使用情况。CX651型较好器件,f_0=12GHz,P_0=195mW,G_p=13.7dB,第二栅可控增益△G_P=34.4dB;DX591型较好器件,f_0=6GHz,P_0=310nN,G_P=7.1dB,第二栅可控增益△G_P=33dB。代表了目前我国双栅功率器件的最高水平。     

能取代某种行放的体效应放大器

一、引言 早先的X波段雷达发射机,多采用磁控管,振荡式工作,其频率应变能力差,抗干扰性能不好。近期逐渐发展起来的主振放大式雷达,能在较宽的频带内,实现频率的捷变,抗干扰能力好,成为雷达的研究重点。 本文所述的主振放大式雷达发射机,主振讯号功率较小。末级输出讯号功率较大,中间需加接几种频率范围的功率放大器。对它们的要求是:工作频率在7～12GHz,带宽B在1GHz以上,增益G_p大于或等于7dB,输出功率P。≥50和150mW。     

低压射频功率晶体管的特点和设计原则

本文分析了低压(低工作电压)射频功率晶体的特征,并由此导出了这类晶体管的设计原则.最后,作为一个实例,给出了f_o=470MHz,V_(cc)=12V,P_o=25W,G_p(?) 5dB的低压射频功率晶体管的设计图形和实验结果.     

WTF-631型体效应放大器

研制了一种 X 波段同轴传输线型宽带功率体效应放大器。它具有体积小、重量轻、使用方便、稳定性好等特点。使用 T512型体效应放大二极管,放大器一般指标为:中心频率 f_0=9.0±0.3千兆赫、带宽≥20%、输出功率 P_0=50～100毫瓦、功率增益 G_p=7～10分贝。最佳结果:f_0=8.8千兆赫、带宽42%、P_0=50～100毫瓦、G_p=7～10分贝。放大器通过了环境实验、高温贮存(+85℃、250小时)实验,并且连续工作寿命在250小时以上。进行了两级放大器级联工作,其功率增益能较好地迭加。比较好的结果:中心频率 f_0=9.0千兆赫、带宽22%、输入功率 P_i=1毫瓦、输出功率 P_0=100～155毫瓦、功率增益 G_p=20～22分贝。     

300～1500M低噪声管壳封装放大器

本文主要介绍了一种用国际通用的TO-8型管壳封装超小型混合集成放大器(尺寸为φ12mm)。该放大器采用集总参数的设计原理,直接把GaAs FET管芯和半导体MOS电容装架在一个(7×7mm)微晶玻璃片上,利用薄膜工艺技术,在微晶玻璃片上做有微波匹配电路。这祥,就做成了一种类似单片电路的超小型混合集成放大器。另外还介绍了由于小型化的管壳封装。几十个元件挤在一起,在电路版图设计中和在微细加工中,如何克服元件之间的相互影响,以及在装架中所应注意的微细加工的细节。文章最后给出了调试结果,F=300～1500M,G_p≥20dB,N_F≤1.7dB。该放大器性能指标国内领先,受到用户好评。     

微波毫米波宽带单片低噪声放大器

推导了反馈电路理论,利用0.25μmGaAs PHEMT工艺,研制了两种并联反馈单片低噪声放大器。第一种放大器的工作频带为6～18GHz,测得增益G≥21dB,带内增益波动ΔG≤±1.0dB,噪声系数NF典型值为2.0dB,输入驻波VSWRin≤1.5,输出驻波VSWRout≤2.0,1分贝压缩点输出功率P1dB≥11dBm。第二种放大器的工作频带为26～40GHz,测得增益G≥17dB,噪声系数NF约为2.0dB,输入、输出驻波VSWR≤2.5,1分贝压缩点输出功率P1dB≥10dBm。两种电路的测试结果验证了设计的正确性。     

介质隔离高稳定低噪声对管电路的工艺研究

文章采用先进的全介质隔离、高频低噪声、浅结工艺研制高稳定性低噪声对管电路。该器件具有两管电流放大系数对称性好（hFE=97%)、噪声系数低（NF≤3dB）、隔离度高（g≥40dB）、共模抑制比高（CMRR≥80dB)和截止频率高（fT≥600MHz）等优点。     

一种新颖的鳍线单刀双掷开关

介绍一种只需要一个偏置控制端口,采用正负脉冲驱动的T形结鳍线单刀双掷开关的设计方法。在电路中采取改进措施,提高了隔离度、降低了插入损耗,测量结果表明,开关在Ka频段内,插入损耗≤1.5dB,隔离度≥30dB;在W频段内,插入损耗≤2dB,隔离度≥25dB。     

X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器

报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。     

钟神

<正> 基本规格:频率范围:2Hz～20KHz(±1dB)·动态范围:≥100dB·输出电平:200mV·信噪比:≥95dB(电子管输出≥102dB)·失真系数:≤0.001%(电子管输出≤0.002%)·模拟输出:平衡(XLR)一组、非平衡(RCA)一组·数码输出:光纤、同轴·外形尺寸:376mm×370mm×105mm·重量:12kg·参考价格:4680元/台     

微型化2GHz低噪声高选择性放大模组的研制

本文介绍一种将微波低频段分布参数电路与超微细薄膜工艺结合的微型化、低噪声、高选择性的放大模组。对低噪声放大电路、椭圆函数带通滤波电路及后级平衡放大电路的设计完成后,将其制作在76×20×0.5mm^3氧化铝陶瓷基片上。本模组在1.8-2.2GHz范围内,增益Gp≥50dB,噪声系数Nf≤0.9dB,其1dB压缩点输出功率Po≈30dBm,带外抑制≥80dB。     

诠释全新的音乐意义钟神CD—S5

CD—S5是钟神推出的新款CD播放机，采用先进的光耦碟片检测系统以及最新的＇fen电路，能有力地保证读取碟片的快速和精确。在D／A转换方面，采用了BB公司出色的PCM1732，而滤波及线路输出采用了严格筛选配对的分立元件电路，并配以钟神自制的高精密变压器作供电。另外，采用了全避震防磁式铝合金机箱，既时尚又耐用。频率范围：2Hz20kHz（±1dB）、动态范围：≥100dB、输出电平：200mY、信噪比：≥95dB（电子管输出≥102dB）。     

一种低电压超高频微带功放的设计和调试

本文扼要介绍了一种混合微带功率放大器。主要技术指标如下:工作电压:13.5伏,工作频率417.5MH_2,输入功率≥4瓦,输出功率≥20瓦,增益≤7dB,总效率≥40％,3dB带宽≤20MHz,谐杂波抑制≥50dB(加低通滤波器后实测结果),在55℃恒温2小时后,断续加电,功放工作正常,其输出功率下降了约1瓦。根据技术指标要求,按以下几个步骤进行设计和调试。