微波芯片倒装金凸点热疲劳可靠性分析及优化

为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题.使用球栅阵列(BGA)封装分布为周边型排列的GaAs微波芯片建立了三维有限元封装模型,研究了微波芯片倒装封装结构在-55～125℃热循环加载下金凸点上的等效总应变分布规律,同时研究了封装尺寸因素对于金凸点可靠性的影响.通过正交试验设计,研究了凸点高度、凸点直径以及焊料片厚度对凸点可靠性的影响程度.结果表明:金凸点离芯片中心越近,其可靠性越差.上述各结构尺寸因素对凸点可靠性影响程度的主次顺序为:焊料片厚度＞金凸点直径＞金凸点高度.因此,在进行微波芯片倒装封装结构设计时,应尽可能选择较薄的共晶焊料片来保证金凸点的热疲劳可靠性.     

倒装芯片热电极键合工艺研究

文章将论述一种无掩模制造细小焊料凸点技术。利用热电极键合工艺将带有凸点的倒装芯片焊到基板上。此项工艺能将间距小至40μm的倒装芯片组装到基板上。文章也论述了间距为40μm、电镀AuSn钎料凸点的倒装芯片组装工艺技术。金属间化合物相的形成对焊点可靠性有重要影响,尤其是对于细小焊点。文中研究了金属间化合物相的形成与增加对可靠性的影响。讨论分析了热循环和湿气等可靠性试验结果。     

倒装芯片凸点制作方法

倒装芯片技术正得到广泛应用，凸点形成是其工艺过程的关键。介绍了现有的凸点制作方法，包括蒸发沉积、印刷、电镀、微球法、黏点转移法、SB2－Jet法、金属液滴喷射法等。每种方法都各有其优缺点，适用于不同的工艺要求。可以看到要使倒装芯片技术得到更广泛的应用，选择合适的凸点制作方法是极为重要的。     

技术评论:倒装芯片非焊料高分子凸点工艺

在半导体工业奋力的去迎接明日的封装需求挑战之际,倒装芯片技术无疑将扮演一个重要的角色。为了达到更高的可靠性、更低的成本以及在更小尺寸的封装空间里进行更密集的装配以及更高速度的混合电路的回路,传统的芯片-金线连接方式必须改为倒装芯片的连接技术。倒装芯片封装有以下优点:●更小的尺寸和重量●简化工艺过程并降低构建体系成本●通过缩短信号通道提高电性能●提高散热性能●提高单片电子回路上I/O的数量达到更高的密集度●赋予可使用外围设备或在设计环节里进行排列连接点图案的能力虽然倒装芯片连接在整个连接制造工艺中只占一…     

采用热压焊工艺实现金凸点芯片的倒装焊接

金凸点芯片的倒装焊接是一种先进的封装技术.叙述了钉头金凸点硅芯片在高密度薄膜陶瓷基板上的热压倒装焊接工艺方法,通过设定焊接参数达到所期望的最大剪切力,分析研究互连焊点的电性能和焊接缺陷,实现了热压倒装焊工艺的优化.同时,还简要介绍了芯片钉头金凸点的制作工艺.     

用于倒装芯片的金球凸点制作技术

倒装芯片中凸点用于实现芯片和基板的电路互连,芯片凸点的制作是倒装芯片技术的关键技术之一.对金球凸点制作进行了介绍.金球凸点直接粘附于芯片上,同时又可具有电路互连的作用,可以完成倒装芯片与基板的电气连接.金球凸点的优势是简单、灵活、便捷、低成本,最大特点是无需凸点下金属层(UBM),可对任意大小的单个芯片进行凸点制作,平整度可达到±4μm.     

不同I/O端数金凸点倒装焊的预倒装工艺研究

金凸点热压超声倒装焊中涉及的主要工艺参数,如压力和超声功率,会随着I/O端数的改变产生较大差异。对具有不同数量I/O端的金凸点倒装焊工艺参数进行研究和优化,有助于透析产生差异的根源,指导实际生产。通过对I/O端数分别为121、225、361的金凸点倒装焊工艺参数进行研究,发现随着I/O端数量的增加,单位凸点上的最大平均剪切力依次减小,达到最大平均剪切力时所需单位凸点上的平均超声功率和平均压力依次减小。工艺窗口依次缩窄的主要原因是热压超声过程中传递的能量不均匀。在倒装焊工艺中,使用预倒装的方法可使各凸点在倒装焊中的能量分布更均匀,使用此方法对具有361个I/O端的芯片进行倒装焊,单位凸点上的平均剪切力达到了0.54 N,比未使用此方法时的平均剪切力（0.5 N）提高了8%。     

多金球凸点倒装片技术

文章提出了一种在IC芯片的一个I/O端制作多个金球凸点的倒装片IC焊盘设计和金球凸点芯片制作的方法。在一个I/O端制作多个金球凸点,在芯片安装时可以提高芯片安装的机械强度,进而提高芯片安装的可靠性。多焊盘芯片也可用于制作KGD。     

圆片级封装及带凸点倒装芯片简介

介绍了圆片级封装的定义、状况及支撑技术。     

倒装芯片化学镀镍/金凸点技术

本文对倒装芯片化学镀镍/金凸点技术进行了阐述。文中主要讨论了化学镀镍/金凸点的表面形貌、均匀性及其在铝电极上的附着性能等问题。     

倒装芯片互连凸点电迁移的研究进展

电子产品向便携化、小型化、高性能方向发展,促使集成电路的集成度不断提高,体积不断缩小,采用倒装芯片互连的凸点直径和间距进一步减小和凸点中电流密度的进一步提高,由此出现电迁移失效引起的可靠性问题.本文回顾了倒装芯片互连凸点电迁移失效的研究进展,论述了电流聚集和焊料合金成分对凸点电迁移失效的影响,指出了倒装芯片互连凸点电迁移研究亟待解决的问题.     

金凸点键合工艺在国产陶瓷外壳中的应用

国产陶瓷外壳已经逐渐应用于高可靠要求的各类电子元器件的封装上。在IC封装过程中, 随着封装密度的提高,因其键合指状引线的质量难以满足键合工艺要求,为使其能达到工艺控制要求, 我们开发出一些相应的封装技术,提高了产品的可靠性。金凸点键合工艺用于提高国产陶瓷外壳键合指 上的键合引线强度有非常明显的效果,是一项较新的技术。     

基于不同键合参数的Cu-Sn-Cu微凸点失效模式分析

电迁移已经成为影响微电子产品可靠性最严重的问题之一,长时间电流负载下,互连金属凸点内部由于空洞、裂纹等缺陷导致产品失效风险提高。为了研究不同键合参数下互连金属微凸点的失效模式,基于CB-600倒装键合机,得到了不同键合质量的芯片,并在不同电流密度负载下进行试验,得到了凸点组织演变行为及失效模式,为产品实际使用过程中可能出现的问题提供了参考。     

倒装芯片封装技术的凸点、压焊及下填充

简要叙述了IBM公司的倒装片技术,包括凸点形成技术、压焊技术和下填充技术,并展望了倒装片技术的发展前景.     

应用于倒装芯片的铜钉头凸点技术

铜钉头凸点技术可以为中低I／O密度的器件提供成本最低的倒装芯片封装。     

IC芯片钉头金凸点的制作技术研究

重点介绍采用金丝球焊机制作IC芯片钉头形金凸点的工艺技术、钉头金凸点的整平方法及金凸点抗剪切强度的评价.     

倒装键合中助焊剂涂敷的工艺优化

助焊剂涂敷是C4凸点焊料的倒装键合中的关键工艺步骤之一,涂敷均匀和稳定性决定了回流焊后整体成品的质量和可靠性,同时影响倒装键合设备的生产效率。在实际生产中,现有的助焊剂涂敷系统影响设备提升生产效率,并且暴露出生产过程中助焊剂泄漏量过大的问题。通过分析现有涂敷系统的问题和助焊剂泄漏的成因,优化设计了一种更高效的助焊剂涂敷系统,有效提升了设备生产率,使泄漏量对生产的影响降低到最小。     

倒装芯片与表面贴装工艺

<正> 1 引言 蜂窝电话,个人数码助理机(PDA),数码相机等各种消费类电子产品已逐渐变得更小,反应更为迅速,同时智能化的程度也越来越高。因而,电子封装及组装工艺必须跟上这一快速发展的步伐。随着材料性能、设备及工艺水平的不断提高,使得越来越多的电子制造服务公司(EMS)不再满足于常规的表面贴装工艺(SMT),而不断尝试使用新型的组装工艺,这其中就包括倒装芯片(FC)。